家電智能功率模塊單驅(qū)動(dòng)電源方案

由于雙列直插式(DIP)智能功率模塊(IPM)內(nèi)置高壓集成電路(HVIC)，使采用單一控制電源供電成為可能。對(duì)控制電源的性能指標(biāo)要求為：+15V(+-10%)，dv/dt≤(1V/us，V紋波>≤2Vp-p。HVIC器件通常會(huì)忽略掉脈寬<50ns、

感應(yīng)加熱用IGBT超音頻電源

1引言 感應(yīng)加熱是將工件直接加熱，它具有效率高，作業(yè)條件好，溫度容易控制，金屬燒損小，無需預(yù)熱等優(yōu)點(diǎn)。 傳統(tǒng)的感應(yīng)加熱設(shè)備應(yīng)用的電力電子器件是電子管和快速晶閘管。電子管電壓高，穩(wěn)定性差，幅射強(qiáng)，效率低，已

基于矩陣變換器IGBT的集中式過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要：分別針對(duì)矩陣變換器的整流級(jí)和逆變級(jí)IGBT的過流現(xiàn)象進(jìn)行了討論，提出了一種新的集中式過流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時(shí)被關(guān)斷，從而安全穩(wěn)定地運(yùn)行。試驗(yàn)結(jié)果表明：新的集中式過流保

馬達(dá)設(shè)計(jì)原理及技巧

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動(dòng)電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會(huì)受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會(huì)受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%.　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%.　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終

基于單片機(jī)和PSD設(shè)計(jì)的數(shù)制化電源

摘 要： 根據(jù)單片機(jī)80C196KC和現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件PSD302的特性，設(shè)計(jì)了一種數(shù)制化電源裝置，提供了程序框圖，并對(duì)其進(jìn)行了諧波分析。它是一種高性能的通用裝置，可替代傳統(tǒng)的PWM逆變電源。 隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會(huì)

馬達(dá)設(shè)計(jì)的技巧

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動(dòng)電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會(huì)受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會(huì)受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。功率半導(dǎo)體開關(guān)工作期間產(chǎn)生的電壓、電流交疊會(huì)造成損耗，必須將其消除。雖然功率耗散問題可以通過加設(shè)散熱片而得到改善，但這也會(huì)限制半導(dǎo)體器件在電路板上的布局安排。

基于單片機(jī)和PSD設(shè)計(jì)的數(shù)制化電源

摘 要： 根據(jù)單片機(jī)80C196KC和現(xiàn)場可編程系統(tǒng)器件PSD302的特性，設(shè)計(jì)了一種數(shù)制化電源裝置，提供了程序框圖，并對(duì)其進(jìn)行了諧波分析。它是一種高性能的通用裝置，可替代傳統(tǒng)的PWM逆變電源。 隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會(huì)

馬達(dá)設(shè)計(jì)的技巧

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動(dòng)電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會(huì)受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會(huì)受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。功率半導(dǎo)體開關(guān)工作期間產(chǎn)生的電壓、電流交疊會(huì)造成損耗，必須將其消除。雖然功率耗散問題可以通過加設(shè)散熱片而得到改善，但這也會(huì)限制半導(dǎo)體器件在電路板上的布局安排。

汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

針對(duì)汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。 混合動(dòng)力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求 工作環(huán)境惡劣(高溫、振動(dòng)) IGBT位于逆

汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

針對(duì)汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。 混合動(dòng)力車輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求 工作環(huán)境惡劣(高溫、振動(dòng)) IGBT位于逆

第三代高速600V和1200V IGBT（英飛凌）

英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用，在降低開關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類拔萃的效率方面，樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，并可滿足開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需

飛兆半導(dǎo)體技術(shù)專家闡釋功率電子技術(shù)未來發(fā)展趨勢

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的技術(shù)專家將與來自電子界和學(xué)術(shù)界的專家一起，于2010年6月1至3日在上海舉辦的PCIM China 2010展會(huì)上發(fā)表演說，闡述功率電子技術(shù)的最新發(fā)展?fàn)顩r和未來的發(fā)展趨勢。 飛兆

華潤微電子IGBT工藝平臺(tái)通過產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證

由中國科學(xué)院微電子研究所（以下簡稱“中科院微電子所”）設(shè)計(jì)研發(fā)的絕緣柵控雙極晶體管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，簡稱IGBT”）系列產(chǎn)品于日前在華潤微電子有限公司（以下簡稱“華潤微電子”）的工藝

如何為電路設(shè)計(jì)選擇適合的IGBT

什么是IGBT？其工作原理是什么？為什么大家要選擇IGBT？它的優(yōu)勢是什么？一系列疑問的拋出，在3月5日第十五屆國際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China2010)上，國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)公司給出

BUCK電路拓?fù)?/a>

單象限降壓型電路

單象限降壓型電路T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),當(dāng) 時(shí),T導(dǎo)通 D:續(xù)流二極管 L0和C0組成LPF 二.工作原理 當(dāng) 時(shí),控制信號(hào)使得T導(dǎo)通,D截止,向L0充磁,向C0充電 當(dāng)