功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
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功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%.
MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。
IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為8%.IGBT主要用于通信、工業(yè)、醫(yī)療、家電、照明、交通、新能源、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、航空、航天及國(guó)防等諸多領(lǐng)域。
中國(guó)企業(yè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。2009年我國(guó)功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售額已超過(guò)870億元，同比增長(zhǎng)5.86%.我國(guó)的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來(lái)幾年里還會(huì)保持增長(zhǎng)，2010年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)10%,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到956.6億元，2011年將達(dá)到1060.5億元。由于目前中國(guó)市場(chǎng)功率半導(dǎo)體器件有接近90%需要進(jìn)口，因此中國(guó)掌握功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的企業(yè)未來(lái)面臨巨大的進(jìn)口替代市場(chǎng)空間。
國(guó)家對(duì)于功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的扶持力度加大。在2009年出臺(tái)的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》中，明確提出要提高新型電力電子器件、高頻頻率器件等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)能力，初步形成完整配套、相互支撐的電子元器件產(chǎn)業(yè)體系。2010年3月19日國(guó)家發(fā)改委專(zhuān)門(mén)出臺(tái)針對(duì)支持功率半導(dǎo)體發(fā)展的文件《國(guó)家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)的通知》，重點(diǎn)支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。
下載文檔（全球TMT2022年10月12日訊）Exyte已完成對(duì)美國(guó)廢氣凈化技術(shù)專(zhuān)家Airgard Inc.的收購(gòu)。Airgard成立于1988年，總部位于加利福尼亞州的Milpitas，是 "濕式" 洗滌器開(kāi)發(fā)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)...
關(guān)鍵字： TE AIR 進(jìn)程 半導(dǎo)體行業(yè)傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開(kāi)關(guān)(2022年9月30日，香港)宏光半導(dǎo)體有限公司(「宏光半導(dǎo)體」，連同其附屬公司統(tǒng)稱(chēng)「集團(tuán)」; 股份代號(hào)：6908. HK)欣然宣布，集團(tuán)與協(xié)鑫科技控股有限公司(股份代號(hào)：3800. HK; 「協(xié)鑫科技」)創(chuàng)辦人、主席兼...
關(guān)鍵字： 宏光半導(dǎo)體 協(xié)鑫科技 半導(dǎo)體行業(yè)臺(tái)積電昨(8)日公布了8月業(yè)績(jī)，合并營(yíng)收首度突破新臺(tái)幣2000億元大關(guān)，達(dá)到了新臺(tái)幣2181.32億元(約合人民幣491.48億元)，連續(xù)兩個(gè)月創(chuàng)下新高，環(huán)比增長(zhǎng)16.8%，同比正在58.7%。凸顯蘋(píng)果iPhone 14...
關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體行業(yè)在最新的功率半導(dǎo)體技術(shù)中，開(kāi)關(guān)速度是最顯眼的屬性，但是在實(shí)際電路中，高邊緣速率會(huì)造成獨(dú)有的問(wèn)題。本博客將講解這個(gè)問(wèn)題和簡(jiǎn)單的解決方法。
關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)隨著人工智能大規(guī)模應(yīng)用于商業(yè)領(lǐng)域，金融分析、基因測(cè)序、智能駕駛、大規(guī)模圖像視頻處理等經(jīng)濟(jì)社會(huì)應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高性能計(jì)算的需求快速擴(kuò)大，社會(huì)資本開(kāi)始主動(dòng)進(jìn)入到高性能計(jì)算中心和超算中心建設(shè)之中。
關(guān)鍵字： GPU 半導(dǎo)體行業(yè) 平板電腦為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字： 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET意法半導(dǎo)體推出符合 VDA 標(biāo)準(zhǔn)的LIN 交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車(chē)電氣系統(tǒng)的性能和靈活性
該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制，使其成為...
關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)
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