Vishay Siliconix推出高效集成DrMOS解決方案

21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。器件的工作頻率超過1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、

Vishay Siliconix推出高效集成DrMOS解決方案

21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。器件的工作頻率超過1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、

摩根大通預(yù)測(cè)蘋果第二季度營(yíng)收增至244.2億美元

4月16日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在蘋果4月20日召開第二季度盈收?qǐng)?bào)告會(huì)前，投資銀行摩根大通提高了蘋果公司2012年的盈收預(yù)測(cè)，因?yàn)閕Phone和iPad帶來的收入有望持續(xù)增長(zhǎng)。摩根大通分析師Mark Moskowitz在今天發(fā)布給投資

MAX663系列輸出電壓的設(shè)定方法電路PMOS直接輸出時(shí)有過流保護(hù)電路圖

MAX663系列輸出電壓的設(shè)定方法電路PMOS直接輸出電路圖

MAX663系列輸出電壓的設(shè)定方法電路PMOS直接輸出時(shí)有過流保護(hù)電路圖

MAX663系列輸出電壓的設(shè)定方法電路PMOS直接輸出電路圖

華潤(rùn)微電子1200V IGBT工藝平臺(tái)開發(fā)成功

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)

華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開發(fā)成功

華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成

采用SG3525A雙端輸出驅(qū)動(dòng)MOS功率管的電路圖

采用SG3525A雙端輸出驅(qū)動(dòng)MOS功率管的電路圖

2012年平板電腦市場(chǎng)規(guī)?；蚋哌_(dá)350億美元

北京時(shí)間3月1日早間消息，JP摩根今天預(yù)計(jì)，2012年平板電腦市場(chǎng)的規(guī)模最高將達(dá)到350億美元。JP摩根認(rèn)為，平板電腦將繼續(xù)侵蝕PC市場(chǎng)，而競(jìng)爭(zhēng)會(huì)拉低產(chǎn)品溢價(jià)。JP摩根分析師馬克·莫斯科維茨（Mark Moskowitz）說：

TTL至VMOS的放大式接口電路

TTL至MOS的驅(qū)動(dòng)器

MOS至TTL的驅(qū)動(dòng)器

ECL至VMOS的推挽式接口電路

ECL至VMOS的接口電路

TTL至VMOS的放大式接口電路

TTL至VMOS的放大式接口電路

TTL至MOS的驅(qū)動(dòng)器

TTL至MOS的驅(qū)動(dòng)器

MOS至TTL的驅(qū)動(dòng)器

MOS至TTL的驅(qū)動(dòng)器