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在電子電路設(shè)計(jì)中，確保電源的穩(wěn)定和安全至關(guān)重要。LTC4365 作為一款出色的過(guò)壓(OV)、欠壓(UV)以及反向極性故障保護(hù)控制器，在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。其能夠?yàn)殡娫摧斎腚妷嚎赡艹霈F(xiàn)過(guò)高、過(guò)低甚至負(fù)值的應(yīng)用場(chǎng)景提供可...
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控制器
柵極
輸出電壓
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，開(kāi)關(guān)電源因其高效、緊湊等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。其中，反激式開(kāi)關(guān)電源以其簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和較低的成本，在中小功率應(yīng)用場(chǎng)景中占據(jù)了重要地位，如手機(jī)充電器、LED 驅(qū)動(dòng)電源等。然而，反激式開(kāi)關(guān)電源輸出電壓中存在的...
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紋波
反激式
輸出電壓
在實(shí)際應(yīng)用中，運(yùn)放電路廣泛存在于許多領(lǐng)域。然而，運(yùn)放電路的應(yīng)用遠(yuǎn)不止于同相放大和反向放大，其在實(shí)際設(shè)計(jì)與應(yīng)用中展現(xiàn)出極高的靈活性。為了深入理解和分析運(yùn)放電路，我們需要緊扣兩大核心概念——“虛短”與“虛斷”。
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電路圖
運(yùn)算放大器
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)可控硅的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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可控硅
MOS
上海2025年2月6日 /美通社/ -- 貝克曼庫(kù)爾特生命科學(xué)正式推出CytoFLEX家族新成員：CytoFLEX mosaic光譜流式分析儀 它是一款具備"兩棲"能力的流式細(xì)胞儀，是CytoFLE...
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FLEX
MOS
光譜
IC
在電工領(lǐng)域，電路圖的識(shí)圖能力是每一位從業(yè)者不可或缺的基本技能。它不僅關(guān)乎到日常工作的效率，更是確保電氣系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。
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電路圖
電工
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOS管的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOS管具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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MOS
MOS管
在這篇文章中，小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)MOS管的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS
MOS管
尖峰
一直以來(lái)，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)IGBT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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IGBT
開(kāi)關(guān)特性
MOS
高頻工作，可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積，降低電源成本，讓電源實(shí)現(xiàn)小型化，美觀化。從而實(shí)現(xiàn)電源的升級(jí)換代。
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MOS
硅MOS
IGBT
在這篇文章中，小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS
MOS管
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)MOS管的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)MOS管的了解，和小編一起來(lái)看看吧。
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MOS
MOS管
二極管
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)?MOS寄生模型的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)?MOS寄生模型的了解，和小編一起來(lái)看看吧。
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MOS
寄生模型
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，PWM（脈沖寬度調(diào)制）與MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的結(jié)合已成為驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的一種高效、靈活的方式。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，這種驅(qū)動(dòng)電路有時(shí)會(huì)面臨燒毀的嚴(yán)重問(wèn)題，不僅影響設(shè)備的正常運(yùn)行，還可能...
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PWM
MOS
驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)電路
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，放電MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的控制元件，負(fù)責(zé)電池的放電過(guò)程。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，放電MOS常因過(guò)壓而擊穿，導(dǎo)致系統(tǒng)失效甚至安全隱患。本文將從放電MOS的工作原理、過(guò)壓擊穿...
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BMS
MOS
過(guò)壓擊穿
一直以來(lái)，MOS管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)MOS管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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MOS
MOS管
NMOS
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MOS
MOS管
電路
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOS管的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOS管是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOS
MOS管
死區(qū)損耗
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOS管的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOS管具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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MOS管
電阻
MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過(guò)這篇文章，小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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MOS
NMOS
