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ECL至VMOS的推挽式接口電路
ECL至VMOS的推挽式接口電路
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ECL至VMOS的接口電路
ECL至VMOS的接口電路
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Altera為MoSys串行高密度帶寬引擎器件提供接口
Altera公司今天宣布，公司成功完成了StratixIV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存儲器應用中的互操作性測試。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口實現與MoSys帶寬引擎器件的互操作性，為數據流量管理和
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Altera首次為MoSys串行高密度帶寬引擎器件提供接口
Altera公司日前宣布，公司成功完成了Stratix IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存儲器應用中的互操作性測試。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口實現與MoSys帶寬引擎器件的互操作性，為數據流量管
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Altera為MoSys串行高密度帶寬引擎器件提供接口
Altera公司日前宣布，公司成功完成了Stratix® IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine®器件在串行存儲器應用中的互操作性測試。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip™接口實現與MoSys帶寬引擎器件的互操作性
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使用MOS大規(guī)模IC的4位計數顯示電路
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諾基亞西門子獲美國Mosaic電信LTE合同
美國鄉(xiāng)村電信運營商Mosaic電信（Mosaic Telecom）選擇諾基亞西門子為其部署LTE網絡，采用頻段為700MHz以及1700/2100MHz。Mosaic電信同時采用諾西的femto基站為自己的3G用戶完善室內覆蓋。Mosaic電信首席執(zhí)行官Rick V
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宏力半導體發(fā)布0.18微米電壓可調CDMOS制程工具包
宏力半導體專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國內首個適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。 與標準0.5和0.35微米的電源管理CDM
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宏力半導體發(fā)布國內首個0.18微米電壓可調CDMOS制程
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國內首個適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。與標準
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IBM與Mosaid公司就侵權案達成和解協議
IBM與Mosaid公司就侵權案達成和解協議
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比亞迪成為“2010泰利特戰(zhàn)略供應商”
泰利特無線通信解決方案，機器對機器（M2M）技術領域專業(yè)公司，不久前宣布將“2010泰利特戰(zhàn)略供應商”稱號授予中國企業(yè)比亞迪。比亞迪是中國主要的電動汽車制造商之一。借助巴菲特的投資，比亞迪最近被譽為最有前途的
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瑞薩電子高壓MOS在進行產品開發(fā)時的注意要點
本文主要介紹瑞薩電子（又稱：Renesas注1)高壓MOS在客戶電源等產品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產品開發(fā)提供參考性的設計意見。 MOSFET以其電壓控制、開關頻率高、開關速度快等優(yōu)點，廣泛應用于電源等產
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美信與力晶合作BCD-MOS制程投片
繼德州儀器開始在美國12寸廠RFAB開始生產模擬IC之后，另一模擬芯片整合組件大廠美信半導體（Maxim）宣布，透過與臺灣DRAM大廠力晶科技合作，成功完成0.18微米雙載子/互補/擴散金屬氧化半導體（BCD-MOS）制程認證，并
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美信與力晶合作完成BCD-MOS制程認證
繼德州儀器開始在美國12寸廠RFAB開始生產模擬IC之后，另一模擬芯片整合組件大廠美信半導體(Maxim)宣布，透過與臺灣DRAM大廠力晶科技合作，成功完成0.18微米雙載子/互補/擴散金屬氧化半導體(BCD-MOS)制程認證，并已開
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美信、力晶BCD-MOS制程 投片
繼德州儀器開始在美國12吋廠RFAB開始生產模擬IC之后，另一模擬芯片整合組件大廠美信半導體（Maxim）宣布，透過與臺灣DRAM大廠力晶科技合作，成功完成0.18微米雙載子/互補/擴散金屬氧化半導體（BCD-MOS）制程認證，并
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100W VMOS家用不停電電源2
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100W VMOS家用不停電電源1
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5V、2A的VMOS線性電源電路
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簡易VMOS定時器
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LN099八節(jié)奏發(fā)生器電路的應用電路圖
LN099是一塊電子琴專用NMOS節(jié)奏發(fā)生器電路,它通過內部存貯系統的選擇,可提供八種節(jié)奏,自動和弦,低音控制及四種打擊樂的16個時序的拍點,并有與意大利SGS公司的音源電路M208配合的自動分解和弦的花樣存貯拍點.LN099外
