2006年MOS電路產(chǎn)能激增，明年IC價(jià)格上漲將被抑制

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insights的預(yù)測(cè)，2006年全球MOS集成電路的工廠(chǎng)產(chǎn)能將增長(zhǎng)1,150萬(wàn)個(gè)等價(jià)200mm晶圓，僅比2000年創(chuàng)下的最大增幅低20萬(wàn)個(gè)。預(yù)計(jì)2006年總體MOS工廠(chǎng)產(chǎn)能將達(dá)到9,520萬(wàn)個(gè)200mm等價(jià)晶圓，比2005年8,370萬(wàn)個(gè)

Mosaid起訴Micron等三家芯片廠(chǎng)商侵權(quán)

Mosaid起訴Micron等三家芯片廠(chǎng)商侵權(quán)

Vishay 新型雙高壓 Trench MOS

整流器在30A、125℃時(shí)具有0.70V的業(yè)界低正向壓降（每腳） 可從以下網(wǎng)址下載JPEG圖像(<500K)： http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258 賓夕法尼亞、MALVERN—2006年5月19日—日前，VishayIntert

DRAM價(jià)格操縱案又有新進(jìn)展，為平風(fēng)波三巨頭將作億元賠付

據(jù)日前在三星電子(Samsung Electronics Co. Ltd.)、Hynix Semiconductor Inc.和英飛凌科技(Infineon Technologies AG)之間發(fā)生的DRAM價(jià)格操縱案件律師透露，三星電子、Hynix和英飛凌同意支付總額1.6億美元的罰金，以

員工長(zhǎng)篇記實(shí)：天堂向左，華碩往右

日立與瑞薩開(kāi)發(fā)MOS相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元

絕對(duì)隱私：華為員工待遇全面揭秘

絕對(duì)隱私：華為員工待遇全面揭秘

絕對(duì)隱私：華為員工待遇全面揭秘

Atmel BCDMOS 自動(dòng)防故障系統(tǒng)

ChipMos輔助韓國(guó)Hynix半導(dǎo)體完成內(nèi)存測(cè)試

Hynix Semiconductor Inc. has chosen Hsinchu, Taiwan-based ChipMos Technologies Ltd.’s ThaiLin Semiconductor Corp. subsidiary to provide testing services for its DDR SDRAM products, ChipMos reported t

中芯國(guó)際將收購(gòu)摩托羅拉芯片制造工廠(chǎng)

中芯國(guó)際將收購(gòu)摩托羅拉芯片制造工廠(chǎng)