MOSFET
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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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凌特公司通過2.6A超低正向電壓理想二極管提高二極管“或”效率
凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4411 低損耗 Power PathTM 控制器，能夠控制一個集成 P 溝道 MOSFET，為電源切換或負載共享提供近于理想的二極管功能。在導(dǎo)通時，MOSFET 的電壓降至 28mV，比同類別的肖特基二
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IR全新多功能驅(qū)動集成電路
功率半導(dǎo)體領(lǐng)袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR2304及IR2308多功能600V高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動集成電路，產(chǎn)品整合了專為照明鎮(zhèn)流器、電源及電機驅(qū)動內(nèi)的半橋MOSFET或IGBT電路而設(shè)的保護功能。IR230
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飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設(shè)備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢，這些設(shè)備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性
功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關(guān) (ZVS) 電路等軟開關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開關(guān)式電源 (SM
