MOSFET
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電源管理和MOSFET：國際大廠仍占主導(dǎo)
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FAN3XXX系列高速低端MOSFET驅(qū)動器概述
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FAN3XXX系列高速低端MOSFET驅(qū)動器概述
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FAN3XXX系列高速低端MOSFET驅(qū)動器概述
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Microchip 推出0.5A小型MOSFET驅(qū)動器
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出MCP1401及MCP1402 (MCP140X) 單輸出MOSFET驅(qū)動器。
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凌力爾特用N溝道MOSFET取代肖特基二極管
凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的雙路理想二極管“或”控制器LTC4355允許在高可用性系統(tǒng)中用N溝道MOSFET取代肖特基二極管，并具有廣泛的故障監(jiān)視功能以診斷電源故障。以這種方式形成的輸入電源二
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ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列
ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的「MPT6Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電
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Zetex 推出新型自保護(hù)MOSFET
Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。
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飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動器
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動高達(dá)30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降時間，能夠迅速開啟
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Zetex 推出N溝道增強模式MOSFET
Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動電壓應(yīng)用設(shè)計的N 溝道增強模式 MOSFET。
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Holtek 推出高壓MOSFET閘極驅(qū)動器
HOLTEK半導(dǎo)體針對三相直流無刷馬達(dá)控制領(lǐng)域，推出專用MCU-HT45RM03并搭配高壓MOSFET 閘極驅(qū)動器 - HT45B0C (High Voltage MOSFET Driver)，提供客戶在三相直流無刷馬達(dá)的控制應(yīng)用領(lǐng)域上一個整體方案。
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Holtek 推出高壓MOSFET閘極驅(qū)動器
HOLTEK半導(dǎo)體針對三相直流無刷馬達(dá)控制領(lǐng)域，推出專用MCU-HT45RM03并搭配高壓MOSFET 閘極驅(qū)動器 - HT45B0C (High Voltage MOSFET Driver)，提供客戶在三相直流無刷馬達(dá)的控制應(yīng)用領(lǐng)域上一個整體方案。
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瑞薩 發(fā)布功率因數(shù)校正控制IC
瑞薩科技公司（Renesas）宣布，推出業(yè)界第一款可實現(xiàn)間插操作的臨界導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正控制IC R2A20112，可以實現(xiàn)數(shù)字家電等產(chǎn)品的電源單元PFC電路。
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瑞薩 發(fā)布功率因數(shù)校正控制IC
瑞薩科技公司（Renesas）宣布，推出業(yè)界第一款可實現(xiàn)間插操作的臨界導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正控制IC R2A20112，可以實現(xiàn)數(shù)字家電等產(chǎn)品的電源單元PFC電路。
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Vishay 提供免費在線MOSFET熱模擬工具
Vishay Intertechnology, Inc.在其網(wǎng)站上推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運行時的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。
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Vishay 提供免費在線MOSFET熱模擬工具
Vishay Intertechnology, Inc.在其網(wǎng)站上推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運行時的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。
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IR 推出200V DirectFET MOSFET
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實現(xiàn) 95% 的效率。
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IR 推出200V DirectFET MOSFET
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實現(xiàn) 95% 的效率。
