業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET（Diodes）

Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。

完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET（Diodes）

Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。

半橋MOSFET驅(qū)動器（研諾）

研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech）宣布為其不斷擴(kuò)展的MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達(dá)28V, 其半橋雙金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器可提供業(yè)界同類多相DC-DC轉(zhuǎn)換器中的最低

半橋MOSFET驅(qū)動器（研諾）

研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech）宣布為其不斷擴(kuò)展的MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達(dá)28V, 其半橋雙金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器可提供業(yè)界同類多相DC-DC轉(zhuǎn)換器中的最低

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。

超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢

近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對電能有苛刻需求的消費(fèi)類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制，越來越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓?fù)浼軜?gòu)的

滿足復(fù)雜DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求的解決方案

滿足復(fù)雜DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求的解決方案

滿足復(fù)雜DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求的解決方案

抽頭式電感器提高離線降壓轉(zhuǎn)換器的性能

華微電子六英寸線投產(chǎn)試運(yùn)行

華微電子(600360)六英寸新型功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目設(shè)備已經(jīng)安裝調(diào)試完畢，日前正式通線并投入試運(yùn)行。此舉將公司在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)向前推進(jìn)了一大步。公司董事長夏增文表示，六英寸項(xiàng)目通線后，將加