MOSFET
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MicroFET MOSFET（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機、電動牙刷和須刨等應用延長電池壽命。這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝，
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全新OR\'ing 控制器（Diodes）
Diodes 公司推出有源OR\'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中，實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可
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MicroFET MOSFET（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機、電動牙刷和須刨等應用延長電池壽命。這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝，
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由MAX1822和74C906構(gòu)成的1～6通道負載開關(guān)電路
由MAX1822和74C906構(gòu)成的1～6通道負載開關(guān)電路如圖所示。MAX1822是電荷泵開關(guān)電源，其輸入電壓可在3.5～16V范圍內(nèi)選擇，輸出電壓為11V，可以驅(qū)動低阻N溝道MOSFET。74C906是六反相器，SWl～SW6 6個開關(guān)信號可以同
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性
電動工具由于其設計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn)，具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
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量體裁衣 如何選擇適合自己的功率器件？
功率器件的選擇是做好一個電源系統(tǒng)的基本，所謂的“量體”，就是在選擇器件的時候要首先根據(jù)我們的需要，定義出我們對功率器件的實際需求。就像定做衣服一樣，我們系統(tǒng)的電流、電壓、功率、功耗、效率等參數(shù)的要求，
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選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性
電動工具由于其設計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn)，具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
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量體裁衣 如何選擇適合自己的功率器件？
功率器件的選擇是做好一個電源系統(tǒng)的基本，所謂的“量體”，就是在選擇器件的時候要首先根據(jù)我們的需要，定義出我們對功率器件的實際需求。就像定做衣服一樣，我們系統(tǒng)的電流、電壓、功率、功耗、效率等參數(shù)的要求，
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11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品（AOS）
Alpha & Omega Semiconductor公司(AOS)宣布發(fā)行11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和熒光燈照明應用等的一系列交
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11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品（AOS）
Alpha & Omega Semiconductor公司(AOS)宣布發(fā)行11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和熒光燈照明應用等的一系列交
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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業(yè)內(nèi)最低導通電阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。 現(xiàn)有的同
