MOSFET
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單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
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新型MOSFET 器件（Diodes）
Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的要求。
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25V DirectFET系列MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。IRF6718在新
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單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
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新型MOSFET 器件（Diodes）
Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的要求。
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25V DirectFET系列MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。IRF6718在新
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25V DirectFET系列MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。IRF6718在新
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64
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高性能電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流技術(shù)
為滿足這些需求，在上世紀(jì)90年代晚期開關(guān)電源設(shè)計(jì)師開始采用同步整流（SR）技術(shù)——使用MOSFET來替代常用二極管實(shí)現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性，并可降低整個(gè)系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點(diǎn)，并討論在其實(shí)現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)。
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ULDO穩(wěn)壓器在上網(wǎng)本電源中的應(yīng)用
未來的4C產(chǎn)品標(biāo)榜低價(jià)、輕薄且具備移動(dòng)上網(wǎng)功能，因此其電源設(shè)計(jì)方案必須擺脫傳統(tǒng)的限制。這些限制包括外部零件和線路煩瑣復(fù)雜，較高的輸出噪音和待機(jī)功耗，以及不夠平易近人的BOM成本等?！榇耍瑏喩R特科技特別
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ULDO穩(wěn)壓器在上網(wǎng)本電源中的應(yīng)用
未來的4C產(chǎn)品標(biāo)榜低價(jià)、輕薄且具備移動(dòng)上網(wǎng)功能，因此其電源設(shè)計(jì)方案必須擺脫傳統(tǒng)的限制。這些限制包括外部零件和線路煩瑣復(fù)雜，較高的輸出噪音和待機(jī)功耗，以及不夠平易近人的BOM成本等?！榇?，亞瑟萊特科技特別
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ULDO穩(wěn)壓器在上網(wǎng)本電源中的應(yīng)用
未來的4C產(chǎn)品標(biāo)榜低價(jià)、輕薄且具備移動(dòng)上網(wǎng)功能，因此其電源設(shè)計(jì)方案必須擺脫傳統(tǒng)的限制。這些限制包括外部零件和線路煩瑣復(fù)雜，較高的輸出噪音和待機(jī)功耗，以及不夠平易近人的BOM成本等?！榇?，亞瑟萊特科技特別
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全球首款1毫歐以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Pow
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全球首款1毫歐以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Pow
