飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ,該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專(zhuān)有PowerTrench® 工藝 技術(shù),為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75mΩ) ,能夠最大限度地減小傳導(dǎo)損耗。通過(guò)降低損耗,F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設(shè)計(jì)的效率,并延長(zhǎng)電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護(hù)功能,以保護(hù)器件免受ESD事件影響。
FDZ371PZ器件的WL-CSP封裝使用4 x 250µm無(wú)鉛焊球,具有出色的電氣和熱阻數(shù)值,安裝時(shí)的封裝高度達(dá)到0.4mm,達(dá)業(yè)界領(lǐng)先水平。
FDZ371PZ是飛兆半導(dǎo)體全面的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的成員,能夠滿(mǎn)足業(yè)界對(duì)于緊湊的薄型MOSFET器件的需求,并提供高效率和出色的開(kāi)關(guān)性能。
價(jià)格(訂購(gòu)1,000個(gè),每個(gè)): 0.30美元
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傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線(xiàn)性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開(kāi)關(guān)近年來(lái),HDD機(jī)械硬盤(pán)市場(chǎng)遭遇了SSD硬盤(pán)的沖擊,除了單位容量?jī)r(jià)格還有一點(diǎn)優(yōu)勢(shì)之外,性能、體積、能耗等方面全面落敗,今年再疊加市場(chǎng)需求下滑、供應(yīng)鏈震蕩等負(fù)面因素,HDD硬盤(pán)銷(xiāo)量又要大幅下滑了。來(lái)自集邦科技旗下的Trend...
關(guān)鍵字: HDD 機(jī)械硬盤(pán) AMR 封裝為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制,使其成為...
關(guān)鍵字: MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)