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MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

  • 增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

  • 新型100V MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610

  • 新型100V MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610

  • 新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

  • 新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

  • 新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

  • 新款全橋式MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC(Allegro)

    Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報(bào)告功能的新款全橋式 MOSFET 預(yù)驅(qū)動(dòng)器 IC，擴(kuò)展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5

  • 新型IRS2093驅(qū)動(dòng)IC（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 針對(duì)50W至150W高性能D類音頻應(yīng)用的需求推出新型IRS2093驅(qū)動(dòng)IC，這些應(yīng)用包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音響放大器。IRS2093基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在一個(gè)IC上集成了4個(gè)高壓通

  • 基于混合SET/MOSFET的比較器

    　　1. 引言　　據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的

  • 基于混合SET/MOSFET的比較器

    　　1. 引言　　據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的

  • 超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢(shì)

    　　近年來(lái)，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對(duì)電能有苛刻需求的消費(fèi)類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制，越來(lái)越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓?fù)浼?/p>

  • 超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢(shì)

    　　近年來(lái)，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對(duì)電能有苛刻需求的消費(fèi)類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制，越來(lái)越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓?fù)浼?/p>

  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。

  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。

  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。

  • 高壓電容器充電變簡(jiǎn)單了

    設(shè)計(jì)一個(gè)高達(dá)kV的高壓電容器充電器或電源不是一件小事。采用通用反激式 PWM 控制器的分立式解決方案需要光耦合器，還要具備監(jiān)視、狀態(tài)指示和保護(hù)功能，這就要很多電路，增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜性。尤為重要的是要避免輸入過(guò)流，這種情況在發(fā)生在接通時(shí)會(huì)被誤認(rèn)為是短路的容性負(fù)載所引發(fā)。還必需確保該類型的轉(zhuǎn)換器只有輸入電壓在安全工作范圍之內(nèi)時(shí)才接通，從而保持長(zhǎng)期可靠性。