www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當(dāng)前位置:首頁(yè) > 模擬 > 模擬
[導(dǎo)讀]國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能,適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能,適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。

新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅技術(shù),可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負(fù)載條件下,低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率。

IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝,可比 SO-8封裝提供更高的功率密度,同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過(guò)‘二合一’交換來(lái)減少元件數(shù)目,滿足不同應(yīng)用的要求?!?/p>

單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外,單個(gè) N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝,而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,可以不含鹵素。

本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點(diǎn),本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

關(guān)注華爾街內(nèi)幕資訊的“streetinsider”近日爆出,安博凱直接投資基金(MBK Partners, L.P.)有意收購(gòu)全球頂尖的半導(dǎo)體封測(cè)公司Amkor。風(fēng)聞傳出之后,Amkor當(dāng)日(7月15日)股價(jià)上揚(yáng)2.2%...

關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 封測(cè) 封裝

傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...

關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)

近年來(lái),HDD機(jī)械硬盤市場(chǎng)遭遇了SSD硬盤的沖擊,除了單位容量?jī)r(jià)格還有一點(diǎn)優(yōu)勢(shì)之外,性能、體積、能耗等方面全面落敗,今年再疊加市場(chǎng)需求下滑、供應(yīng)鏈震蕩等負(fù)面因素,HDD硬盤銷量又要大幅下滑了。來(lái)自集邦科技旗下的Trend...

關(guān)鍵字: HDD 機(jī)械硬盤 AMR 封裝

據(jù)路透社報(bào)導(dǎo),知情人士透漏,就在美國(guó)“芯片法案”正式完成立法的之后,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士將在美國(guó)建設(shè)一座先進(jìn)的芯片封裝工廠,并將于2023 年第一季左右破土動(dòng)工。

關(guān)鍵字: 芯片 封裝 SK海力士

北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日,國(guó)內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過(guò)項(xiàng)目評(píng)審和論證,在開放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)(OCTC)獲批立項(xiàng)。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位,將牽頭圍繞冷板、連...

關(guān)鍵字: OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC

(全球TMT2022年9月20日訊)9月16日至18日,借第19屆中國(guó)—東盟博覽會(huì)開展之機(jī),首屆中國(guó)—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng),并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中國(guó)原子能工業(yè)有限公司...

關(guān)鍵字: 分布式 器件 安防 并聯(lián)

為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...

關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真,帶來(lái)更多的工程洞見。然而,與制造商精細(xì)的器件模型相比,這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...

關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET

北京, 2022年9月20日 /美通社/ -- 9月16日至18日,借第19屆中國(guó)—東盟博覽會(huì)開展之機(jī),首屆中國(guó)—東盟和平利用核技術(shù)論壇在廣西南寧召開。中核集團(tuán)同方股份有限公司出席活動(dòng),并聯(lián)合核安保技術(shù)中心、中...

關(guān)鍵字: BSP 全自動(dòng) 分布式 器件

該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...

關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管

模擬

31144 篇文章

關(guān)注

發(fā)布文章

編輯精選

技術(shù)子站

關(guān)閉