國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能,適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅技術(shù),可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負(fù)載條件下,低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝,可比 SO-8封裝提供更高的功率密度,同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過(guò)‘二合一’交換來(lái)減少元件數(shù)目,滿足不同應(yīng)用的要求?!?/p>
單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外,單個(gè) N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝,而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,可以不含鹵素。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日,國(guó)內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過(guò)項(xiàng)目評(píng)審和論證,在開放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(huì)(OCTC)獲批立項(xiàng)。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位,將牽頭圍繞冷板、連...
關(guān)鍵字: OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管