MOSFET
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3A輸出、同步DC-DC轉(zhuǎn)換器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封裝中集成了MOSFET。內(nèi)置MOSFET能夠提供比異步方案更高的效率(93%)，同時還可簡化設(shè)計，并極大地降低EMI。MAX15041能夠輸出高達3A電流，非常適合電信和網(wǎng)
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3A輸出、同步DC-DC轉(zhuǎn)換器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封裝中集成了MOSFET。內(nèi)置MOSFET能夠提供比異步方案更高的效率(93%)，同時還可簡化設(shè)計，并極大地降低EMI。MAX15041能夠輸出高達3A電流，非常適合電信和網(wǎng)
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短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯片
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短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
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符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護低端MOSFET驅(qū)動IC（ON Semiconductor）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV84
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低通態(tài)電阻650V MOSFET（ST）
意法半導(dǎo)體近日推出一款全新功率 MOSFET產(chǎn)品，為設(shè)計工程師帶來更多選擇。新產(chǎn)品 STW77N65M5采用意法半導(dǎo)體的超高能效MDmesh™ V制造工藝和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247 封裝，是業(yè)內(nèi)通態(tài)電阻最低的650V MOSFET產(chǎn)品。意法半導(dǎo)
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針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
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兩款N溝道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路（
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新型高速18V MOSFET驅(qū)動器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14 ns 至35 ns 的傳播延遲和10 ns 至25 ns 的邊沿上升/下降時間。新型 ADP36xx MOSFET 驅(qū)動器系列
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針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
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針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
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兩款N溝道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路（
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兩款N溝道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路（
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新型高速18V MOSFET驅(qū)動器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14 ns 至35 ns 的傳播延遲和10 ns 至25 ns 的邊沿上升/下降時間。新型 ADP36xx MOSFET 驅(qū)動器系列
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MOSFET柵漏電流噪聲模型研究
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度<2 nm時，大量載流子以不同機制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
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業(yè)界最小的芯片級MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道S
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全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供
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全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供
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MOSFET市場增長快速，本土企業(yè)積極追趕
全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應(yīng)地，電源管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應(yīng)用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示
