國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,適合D 類(lèi)音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來(lái)計(jì)算電源損耗:下一步是利用上述簡(jiǎn)單表達(dá)式,并將其放入效率方程式中:這樣,輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結(jié)果。當(dāng)輸出電
我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來(lái)計(jì)算電源損耗:下一步是利用上述簡(jiǎn)單表達(dá)式,并將其放入效率方程式中:這樣,輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結(jié)果。當(dāng)輸出電
我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型: Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd:是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊,第二是 耗盡區(qū)電容
隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展,以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升,設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性,但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì),飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型: Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd:是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊,第二是 耗盡區(qū)電容
隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展,以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升,設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性,但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì),飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展,以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升,設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性,但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì),飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展,以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升,設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性,但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì),飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 日前宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻(RDS(on))應(yīng)用的汽車(chē)用功率 MOSFET 專(zhuān)用系列,包括車(chē)載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。新的 MO
以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設(shè)計(jì)了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變 換器. 對(duì)該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95~250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達(dá)到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.
半導(dǎo)體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝,但電壓和電流特性基本相同。在工作點(diǎn)時(shí),小電壓變化會(huì)導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過(guò)大也會(huì)使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對(duì)它的驅(qū)動(dòng)電源有十分嚴(yán)格的要求
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200,以滿足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200,以滿足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用,讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
為提高半導(dǎo)體激光器光功率輸出穩(wěn)定性,并保證激光器安全、可靠工作,設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源。驅(qū)動(dòng)電源主電路采用同步DC/DC方式,輸出效率高;驅(qū)動(dòng)電路可以產(chǎn)生200 kHz觸發(fā)脈沖,降低了輸出電流的紋波,保證激光器輸出功率穩(wěn)定;驅(qū)動(dòng)電路帶有過(guò)壓比較器及過(guò)流比較器,保證激光器安全工作。經(jīng)過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)表明:該驅(qū)動(dòng)電源在20 A工作時(shí)效率達(dá)到85%以上,紋波小于5%。
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用,讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用,讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背