MOSFET
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30V車用 MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為
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汽車用功率 MOSFET 專用系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 日前宣布拓展了針對低導通電阻（RDS(on)）應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。新的 MO
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基于TPS759XX多片信號處理系統(tǒng)的電源設(shè)計
以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設(shè)計了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變 換器. 對該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實驗結(jié)果表明所設(shè)計的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95～250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.
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半導體激光管(LD)的電源設(shè)計
半導體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝，但電壓和電流特性基本相同。在工作點時，小電壓變化會導致激光管電流變化較大。此外電流紋波過大也會使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對它的驅(qū)動電源有十分嚴格的要求
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150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計人員對具有較
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150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計人員對具有較
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應用，讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。采用高壓背
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半導體激光管驅(qū)動電源設(shè)計與實現(xiàn)
為提高半導體激光器光功率輸出穩(wěn)定性，并保證激光器安全、可靠工作，設(shè)計了半導體激光器的驅(qū)動電源。驅(qū)動電源主電路采用同步DC／DC方式，輸出效率高；驅(qū)動電路可以產(chǎn)生200 kHz觸發(fā)脈沖，降低了輸出電流的紋波，保證激光器輸出功率穩(wěn)定；驅(qū)動電路帶有過壓比較器及過流比較器，保證激光器安全工作。經(jīng)過仿真和實驗表明：該驅(qū)動電源在20 A工作時效率達到85％以上，紋波小于5％。
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應用，讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。采用高壓背
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應用，讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。采用高壓背
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月產(chǎn)能全滿載 元隆將虧轉(zhuǎn)盈
中小尺寸晶圓代工廠元隆電子總經(jīng)理陳弘元表示，元隆6吋廠產(chǎn)能已全部滿載，由于今年包括金屬氧化物半導體場效晶體管（MOSFET）等模擬IC需求強勁，下半年已陸續(xù)與客戶洽談?wù){(diào)漲報價事宜。 元隆完成減資及私募后，
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高能效同步穩(wěn)壓器（安森美半導體）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步穩(wěn)壓器新系列，應用于消費電子，如機頂盒(STB)、數(shù)字視盤(DVD)/硬盤驅(qū)動器、液晶顯示器/液晶電視、免提電話、線纜調(diào)制解調(diào)器和電信/數(shù)據(jù)通信設(shè)備。 N
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Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設(shè)計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設(shè)計者在制造原型前，對器件進行細
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功率半導體行業(yè)的春天
功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設(shè)計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設(shè)計者在制造原型前，對器件進行細
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功率半導體行業(yè)的春天
功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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意法半導體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢
意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小
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意法半導體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢
意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
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為節(jié)能式電源選擇正確的拓撲
世界各地有關(guān)降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議，正促使單相交流輸入電源設(shè)計人員采用更先進的電源技術(shù)。為了獲得更高的功率級，這些倡議要求效率達到87% 及以上。由于標準反激式 (flyback) 和雙開關(guān)正激式等傳統(tǒng)電源拓撲都
