MOSFET
-
遼寧工學(xué)院 TOPSwitch的特點及設(shè)計時需注意的問題
摘要：對TOPSwitch的特點作了進(jìn)一步的分析，并講述了設(shè)計中如何求得一個最佳電感值的問題。1引言 對于200W以下的開關(guān)電源，應(yīng)用TOPSwitch與應(yīng)用UC3842相比，所需的元器件要少得多，從而使電路簡化，體積和重量進(jìn)一
-
車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動
-
提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關(guān)注架構(gòu)級和元件級優(yōu)化的改進(jìn)，以實現(xiàn)最高效的設(shè)計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
-
提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關(guān)注架構(gòu)級和元件級優(yōu)化的改進(jìn)，以實現(xiàn)最高效的設(shè)計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
-
提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關(guān)注架構(gòu)級和元件級優(yōu)化的改進(jìn)，以實現(xiàn)最高效的設(shè)計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
-
UniFET II MOSFET器件（飛兆）
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET™ II MOSFET，新產(chǎn)品
-
大陸MOSFET需求強(qiáng)勁 供應(yīng)商出貨不及
2010年大陸因市場需求勁揚5成，產(chǎn)能受限，導(dǎo)致部分金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(STMicroel
-
漢磊連4季漲價
國際整合元件制造廠（IDM）大動作對臺釋出類比IC晶圓代工及磊晶晶圓（EPI Wafer）訂單，隨著訂單在1月起陸續(xù)到位，磊晶晶圓需求強(qiáng)勁爆增，已出現(xiàn)供給吃緊現(xiàn)象。由于IDM廠持續(xù)加碼下單，磊晶晶圓將重演去年大缺貨榮景
-
電源設(shè)計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
-
電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分
在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
-
英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
-
估算熱插拔MOSFET溫升的方案
本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
-
英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
-
估算熱插拔MOSFET溫升的方案
本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
-
英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
-
英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
-
MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中
-
強(qiáng)化電源戰(zhàn)力 英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
-
強(qiáng)化電源戰(zhàn)力 英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
-
電源跟蹤技術(shù)
引言---當(dāng)今的大多數(shù)電子產(chǎn)品（從手持式消費電子設(shè)備到龐大的電信系統(tǒng)）都需要使用多個電源電壓。電源電壓數(shù)目的增加帶來了一項設(shè)計難題，即需要對電源的相對上電和斷電特性進(jìn)行控制，以消除數(shù)字系統(tǒng)遭受損壞或發(fā)生閉
火焰舞者
happde
happde
wcg13537439710
fanguang2003
劍圣灬哥
lixiangyu808
MinMinMin
htjxianjian
GB20
天命風(fēng)流
小小Lotous
m564522634
SerenityPjb
HDIY
yangsong901123
lghtjpu
mamahuhu1
hufuju
lqsgg
