MOSFET
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UniFET II MOSFET器件（飛兆）
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET™ II MOSFET，新產(chǎn)品
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大陸MOSFET需求強勁 供應(yīng)商出貨不及
2010年大陸因市場需求勁揚5成，產(chǎn)能受限，導致部分金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroel
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漢磊連4季漲價
國際整合元件制造廠（IDM）大動作對臺釋出類比IC晶圓代工及磊晶晶圓（EPI Wafer）訂單，隨著訂單在1月起陸續(xù)到位，磊晶晶圓需求強勁爆增，已出現(xiàn)供給吃緊現(xiàn)象。由于IDM廠持續(xù)加碼下單，磊晶晶圓將重演去年大缺貨榮景
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電源設(shè)計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
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電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分
在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
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英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
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估算熱插拔MOSFET溫升的方案
本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
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英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
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估算熱插拔MOSFET溫升的方案
本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
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英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
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英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
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MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中
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強化電源戰(zhàn)力 英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
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強化電源戰(zhàn)力 英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠以擴大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
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電源跟蹤技術(shù)
引言---當今的大多數(shù)電子產(chǎn)品（從手持式消費電子設(shè)備到龐大的電信系統(tǒng)）都需要使用多個電源電壓。電源電壓數(shù)目的增加帶來了一項設(shè)計難題，即需要對電源的相對上電和斷電特性進行控制，以消除數(shù)字系統(tǒng)遭受損壞或發(fā)生閉
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電源跟蹤技術(shù)
引言---當今的大多數(shù)電子產(chǎn)品（從手持式消費電子設(shè)備到龐大的電信系統(tǒng)）都需要使用多個電源電壓。電源電壓數(shù)目的增加帶來了一項設(shè)計難題，即需要對電源的相對上電和斷電特性進行控制，以消除數(shù)字系統(tǒng)遭受損壞或發(fā)生閉
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40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重
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安森美半導體汽車技術(shù)及車身和動力系統(tǒng)解決方案
隨著人們對汽車舒適性等方面要求的提高，車身電子控制和動力性的重要性日益突顯，越來越多的汽車開始裝備高性能的車身控制系統(tǒng)和先進的管理系統(tǒng)。這類系統(tǒng)的增加和升級為半導體器件的應(yīng)用開辟了巨大的空間。 但
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40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重
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安森美半導體汽車技術(shù)及車身和動力系統(tǒng)解決方案
隨著人們對汽車舒適性等方面要求的提高，車身電子控制和動力性的重要性日益突顯，越來越多的汽車開始裝備高性能的車身控制系統(tǒng)和先進的管理系統(tǒng)。這類系統(tǒng)的增加和升級為半導體器件的應(yīng)用開辟了巨大的空間。 但
