MOSFET
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安森美半導(dǎo)體汽車技術(shù)及車身和動力系統(tǒng)解決方案
隨著人們對汽車舒適性等方面要求的提高，車身電子控制和動力性的重要性日益突顯，越來越多的汽車開始裝備高性能的車身控制系統(tǒng)和先進(jìn)的管理系統(tǒng)。這類系統(tǒng)的增加和升級為半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開辟了巨大的空間。 但
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安森美半導(dǎo)體汽車技術(shù)及車身和動力系統(tǒng)解決方案
隨著人們對汽車舒適性等方面要求的提高，車身電子控制和動力性的重要性日益突顯，越來越多的汽車開始裝備高性能的車身控制系統(tǒng)和先進(jìn)的管理系統(tǒng)。這類系統(tǒng)的增加和升級為半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開辟了巨大的空間。 但
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30V DirectFET MOSFET芯片組（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元
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30V DirectFET MOSFET芯片組（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元
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業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXPI）發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的
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如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET的技巧
鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面
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為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET的技巧
鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面
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業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXPI）發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的
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業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXPI）發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的
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如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計方案
設(shè)計降壓轉(zhuǎn)換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉(zhuǎn)換器是一個盒子，一端輸入一個直流電壓，另一端輸出另一個直流電壓。這個盒子可以有很多形式，可以是降階來產(chǎn)生一個更低的電壓，或是升壓來產(chǎn)生一個更高的
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同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計方案
設(shè)計降壓轉(zhuǎn)換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉(zhuǎn)換器是一個盒子，一端輸入一個直流電壓，另一端輸出另一個直流電壓。這個盒子可以有很多形式，可以是降階來產(chǎn)生一個更低的電壓，或是升壓來產(chǎn)生一個更高的
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同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計方案
設(shè)計降壓轉(zhuǎn)換器并不是件輕松的工作。許多使用者都希望轉(zhuǎn)換器是一個盒子，一端輸入一個直流電壓，另一端輸出另一個直流電壓。這個盒子可以有很多形式，可以是降階來產(chǎn)生一個更低的電壓，或是升壓來產(chǎn)生一個更高的
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光伏逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及設(shè)計思路
1 引言 對于傳統(tǒng)電力電子裝置的設(shè)計，我們通常是通過每千瓦多少錢來衡量其性價比的。但是對于光伏逆變器的設(shè)計而言，對最大功率的追求僅僅是處于第二位的，歐洲效率的最大化才是最重要的。因為對于光伏逆變器
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高速MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動光耦合器（飛兆）
為了滿足全球各地的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達(dá)驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員需要具備更低功耗和更快開關(guān)速度的性能更高的柵極驅(qū)動光耦合器。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出
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德儀3座晶圓廠 瞄準(zhǔn)模擬IC
德儀（TI）近兩年分別在美國德州、日本會津若松市及中國成都大舉收購晶圓廠生產(chǎn)設(shè)備，藉以擴(kuò)充模擬IC產(chǎn)量，昨（16）日臺灣區(qū)總經(jīng)理陳建村對外界說明，包括位于德州Richardson的12吋晶圓廠（RFAB）及會津若松市、成都
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高
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25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高
