MOSFET
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矽晶片/封裝技術(shù)加持 新MOSFET效能/體積齊優(yōu)化
新問世的NexFET Power Block透過矽晶片及封裝技術(shù)的突破，來滿足小尺寸產(chǎn)品的高效率及高電量需求，其所占空間約為離散式MOSFET的一半，可降低相關(guān)寄生效應(yīng)，并使同步降壓電源配置，能夠在效能方面超越離散式MOSFET電
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說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例
現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗
21ic訊 Diodes 公司推出一對互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗
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分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計過程的一個組
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分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或
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分析混合動力電動車設(shè)計中大功率器件的應(yīng)用
盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動力電動汽車采用了幾個系統(tǒng)，它們需要更高的功率級別。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或
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飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊
21ic訊 電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu
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飛兆推出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊
21ic訊 電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu
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基于雙管正激的模塊電源設(shè)計
高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成為當(dāng)前模塊電源技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力。雙管正激電路是實(shí)現(xiàn)這些要求的實(shí)用電路之一,被廣泛應(yīng)用在中、高功率電源設(shè)計中。本文簡要介紹了雙管正激電路的工作原理及優(yōu)點(diǎn),同時詳細(xì)介
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計過程的一個組
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電池電路工作原理
電池電路工作原理 電路具有過充電保護(hù)、過放電保護(hù)、過電流保護(hù)與短路保護(hù)功能，其工作原理分析如下： 1、正常狀態(tài) 在正常狀態(tài)下電路中N1的“CO"與“DO"腳都輸出高電壓，兩個MOSFET都處于導(dǎo)通狀
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飛兆推出PowerTrench® MOSFET器件
21ic訊 對于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計人員來說，構(gòu)建一個具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，全
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飛兆推出PowerTrench® MOSFET器件
21ic訊 對于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計人員來說，構(gòu)建一個具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，全
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件
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Diodes推出超小型MOSFET
21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件
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恩智浦NextPower MOSFET 15款新產(chǎn)品開始供貨
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最
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恩智浦NextPower MOSFET 15款新產(chǎn)品開始供貨
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最
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基于TOPSwitchⅡ的開關(guān)電源設(shè)計
摘 要: TOPSwitch Ⅱ系列芯片是Power Integration 公司生產(chǎn)的開關(guān)電源專用集成電路,他將脈寬調(diào)制電路與高壓MOSFET 開關(guān)管及驅(qū)動電路等集成在一起,具備完善的保護(hù)功能。使用該芯片設(shè)計的小功率開關(guān)電源,可大大減少外
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IR推出WideLead 封裝的車用MOSFET系列
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提高 30% 電流。這款新型車用 MOSFET 系列適合
