MOSFET
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高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計(jì)中，頭部、頸部、四肢的任何活動(dòng)都需要各種各樣電機(jī)的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī)，但這些電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制要求各有不同，如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案？如何
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高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計(jì)中，頭部、頸部、四肢的任何活動(dòng)都需要各種各樣電機(jī)的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī)，但這些電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制要求各有不同，如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案？如何
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(二)
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能 (上接第
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25W連續(xù)、28W峰值多輸出電源電路簡(jiǎn)介
上圖所示的DVD或機(jī)頂盒電源是用TNY280PN(U1)設(shè)計(jì)的一個(gè)反激式轉(zhuǎn)換器。在這個(gè)設(shè)計(jì)中，10 μF的C4電容選擇了U1的增強(qiáng)限流點(diǎn)，在啟動(dòng)或負(fù)載瞬態(tài)（DVD開倉(cāng)）時(shí)可使電源輸出28 W的峰值功率。圖 1. 25 W連續(xù)、28 W峰值多
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(二)
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能 (上接第
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Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封裝提高效率
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
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Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL
21ic訊 Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。這款新MOSFET采用超精密及高熱效率
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MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，
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MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用
下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，
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灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營(yíng)中國(guó)新興熱點(diǎn)市場(chǎng)
根據(jù)中國(guó)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局所公布的數(shù)據(jù)顯示，2010年起中國(guó)已經(jīng)超越日本，成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體，其GDP在未來(lái)五年內(nèi)的年復(fù)合成長(zhǎng)率將高達(dá)7%，到2015年時(shí)預(yù)計(jì)會(huì)成長(zhǎng)為56兆人民幣，相當(dāng)于新臺(tái)幣280兆的規(guī)模；而在此同時(shí)，中國(guó)
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飛兆半導(dǎo)體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司獲頒伊頓亞太區(qū)2011年最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)。伊頓(Eaton)公司總部位于美國(guó)，并在上海設(shè)有亞太區(qū)總部，該公司是為單相與三相UPS、電信
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上華：臺(tái)灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營(yíng)中國(guó)新興熱點(diǎn)市場(chǎng)
根據(jù)中國(guó)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局所公布的數(shù)據(jù)顯示，2010年起中國(guó)已經(jīng)超越日本，成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體，其GDP在未來(lái)五年內(nèi)的年復(fù)合成長(zhǎng)率將高達(dá)7%，到2015年時(shí)預(yù)計(jì)會(huì)成長(zhǎng)為56兆人民幣，相當(dāng)于新臺(tái)幣280兆的規(guī)模；而在此同時(shí)，中國(guó)
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運(yùn)放做自動(dòng)OR操作的電源選擇器
一般來(lái)說(shuō)，人們都希望系統(tǒng)供電電源是可用性最高的輸入電壓。用一種肖特基二極管的OR方法就可以完成這個(gè)任務(wù)(圖1)。糟糕的是，肖特基二極管的正向壓降在300mV~600mV范圍內(nèi)。這個(gè)壓降會(huì)消耗功率，產(chǎn)生熱量，降低系統(tǒng)可
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運(yùn)放做自動(dòng)OR操作的電源選擇器
一般來(lái)說(shuō)，人們都希望系統(tǒng)供電電源是可用性最高的輸入電壓。用一種肖特基二極管的OR方法就可以完成這個(gè)任務(wù)(圖1)。糟糕的是，肖特基二極管的正向壓降在300mV~600mV范圍內(nèi)。這個(gè)壓降會(huì)消耗功率，產(chǎn)生熱量，降低系統(tǒng)可
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最佳電源模塊選擇標(biāo)準(zhǔn)
目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)采用分布式電源架構(gòu)供電。這些復(fù)雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個(gè)精確的參數(shù)。為達(dá)到這種性能水平，大部分設(shè)計(jì)采用FPGA、微處理器、
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最佳電源模塊選擇標(biāo)準(zhǔn)
目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)采用分布式電源架構(gòu)供電。這些復(fù)雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個(gè)精確的參數(shù)。為達(dá)到這種性能水平，大部分設(shè)計(jì)采用FPGA、微處理器、
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理解功率 MOSFET 的電流
通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁(yè)，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對(duì)于許多電子工程師來(lái)說(shuō)，他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
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晶片設(shè)計(jì)/封裝別出心裁 電源供應(yīng)系統(tǒng)加速“綠”化
隨著各國(guó)法規(guī)對(duì)電子產(chǎn)品耗電量的要求日益嚴(yán)苛，消費(fèi)者也開始將節(jié)能效果的良窳，做為采購(gòu)時(shí)的重要參考指標(biāo)。為符合市場(chǎng)需求，電源晶片商正全力開發(fā)更高轉(zhuǎn)換效率的解決方案，以因應(yīng)電源供應(yīng)器朝向更高節(jié)能效率發(fā)展的風(fēng)
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Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。 《今
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Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于
