MOSFET
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工作在降壓模式的升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED方案
如圖所示電路提供了一種驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的解決方案，即利用工作在“降壓”模式的標(biāo)準(zhǔn)升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED．這種解決方案的效率高達(dá)96％，與效率只有85％的標(biāo)準(zhǔn)方案相比，它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。 圖 ZX
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工作在降壓模式的升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED方案
如圖所示電路提供了一種驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的解決方案，即利用工作在“降壓”模式的標(biāo)準(zhǔn)升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED．這種解決方案的效率高達(dá)96％，與效率只有85％的標(biāo)準(zhǔn)方案相比，它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。 圖 ZX
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HOMSEMI MOSFET在高性能無葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)
本方案選用高性能的ST系列MCU，采用無級(jí)變速調(diào)節(jié)風(fēng)機(jī),配合紅外遙控,操作簡(jiǎn)單、快捷、方便。MCU發(fā)送過來的PWM脈沖指令傳輸?shù)綄ｉT匹配的成啟半導(dǎo)體（HOMSEMI）功率MOSFET HS2N60IB，驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī),最高轉(zhuǎn)速可達(dá)到10
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電子行業(yè)日新月異 成啟制勝三大策略
電子行業(yè)日新月異 成啟制勝三大策略自進(jìn)入2011年以來，由于日本大地震，泰國(guó)洪災(zāi)及歐洲主權(quán)債務(wù)危機(jī)，對(duì)中國(guó)電子行業(yè)帶來嚴(yán)重沖擊，供求關(guān)系惡化，導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格大幅降低，企業(yè)盈利水平下降，全球電子行業(yè)指數(shù)均出現(xiàn)
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電子行業(yè)日新月異 成啟制勝三大策略
電子行業(yè)日新月異 成啟制勝三大策略自進(jìn)入2011年以來，由于日本大地震，泰國(guó)洪災(zāi)及歐洲主權(quán)債務(wù)危機(jī)，對(duì)中國(guó)電子行業(yè)帶來嚴(yán)重沖擊，供求關(guān)系惡化，導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格大幅降低，企業(yè)盈利水平下降，全球電子行業(yè)指數(shù)均出現(xiàn)
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HOMSEMI 中低壓Power MOSFET 全面升級(jí)8英寸 0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級(jí)已經(jīng)過一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG
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HOMSEMI MOSFET在全數(shù)字式汽車HID安定器中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)
HOMSEMI MOSFET在全數(shù)字式汽車HID安定器中的應(yīng)用和評(píng)測(cè) 本方案以高性能MCU為核心，配與成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)的MOSFET,單芯片實(shí)現(xiàn)燈的點(diǎn)燈控制，諧振控制，功率曲線控制和保護(hù)控制。基于數(shù)字化控制的精細(xì)過程管理，使
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HOMSEMI MOSFET基于逆變焊機(jī)的應(yīng)用與評(píng)測(cè)
逆變焊機(jī)的電路結(jié)構(gòu),一般是采用整流--逆變--再整流的過程,即交流--直流--交流.由于逆變過程中工作頻率高,因此控制過程的動(dòng)態(tài)特性統(tǒng)計(jì)局到提高,焊機(jī)的體積小,重量輕. 本逆變焊機(jī)由香港凱泰科電子有限公司（KEYTECH）
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智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能
所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時(shí)仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競(jìng)爭(zhēng)激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個(gè)可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源，并且
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Diodes推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器
21ic訊 Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計(jì)師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動(dòng)二極管。同時(shí)，ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100mW的待機(jī)功耗，以及逾87%的滿載效率。該控
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分享降低輕負(fù)載功耗的五個(gè)設(shè)計(jì)小竅門
就電源而言，要想滿足當(dāng)今苛刻的效率要求是頗具挑戰(zhàn)性的。光是理解終端設(shè)備、電源點(diǎn)評(píng)以及管理機(jī)構(gòu)間眾多不同的計(jì)劃和指令就已經(jīng)很困難了。這些指令包括能源指令、加利福尼亞能源委員會(huì)以及歐盟待機(jī)效率倡議等。然而
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MAX1870簡(jiǎn)介及應(yīng)用
MAX1870是Maxim公司推出的升／降壓型智能電池充電管理集成電路，可以在電池電壓高于或低于適配器電壓的情況下。用于對(duì)2～4節(jié)鋰離子電池的充電控制。該器件內(nèi)嵌有用戶可編程的8位RISC微控制器內(nèi)核和多通道數(shù)據(jù)獲取單元
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MAX1870簡(jiǎn)介及應(yīng)用
MAX1870是Maxim公司推出的升／降壓型智能電池充電管理集成電路，可以在電池電壓高于或低于適配器電壓的情況下。用于對(duì)2～4節(jié)鋰離子電池的充電控制。該器件內(nèi)嵌有用戶可編程的8位RISC微控制器內(nèi)核和多通道數(shù)據(jù)獲取單元
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MAX1870簡(jiǎn)介及應(yīng)用
MAX1870是Maxim公司推出的升／降壓型智能電池充電管理集成電路，可以在電池電壓高于或低于適配器電壓的情況下。用于對(duì)2～4節(jié)鋰離子電池的充電控制。該器件內(nèi)嵌有用戶可編程的8位RISC微控制器內(nèi)核和多通道數(shù)據(jù)獲取單元
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智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能
所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時(shí)仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競(jìng)爭(zhēng)激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個(gè)可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源，并且
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智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性同時(shí)提升性能
所有的醫(yī)療應(yīng)用在要求高可靠性的同時(shí)仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進(jìn)步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競(jìng)爭(zhēng)激烈，他們的最終應(yīng)用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個(gè)可能的失效點(diǎn)的影響。在所有這些點(diǎn)都需要電源，并且
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TI推出4A與5A雙通道輸出MOSFET驅(qū)動(dòng)器
21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)。首款 120 V 啟動(dòng)高側(cè)／低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 UCC27210 與 UCC2721
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瑞薩電子推出低功耗P通道MOSFET
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）日前宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子（Li-ion）二級(jí)電池的充電控制開關(guān)和與
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飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道PowerTrench® MOSFET FDMA905P和FDME905PT
21IC訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench® MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求。FDMA905P和FDME9
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(五)
摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說明。 關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
