MOSFET
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MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計與應(yīng)用
摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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五種降低離線反向電源功耗的方法
就電源而言，要想滿足當(dāng)今苛刻的效率要求是頗具挑戰(zhàn)性的。光是理解終端設(shè)備、電源點評以及管理機(jī)構(gòu)間眾多不同的計劃和指令就已經(jīng)很困難了。這些指令包括能源指令、加利福尼亞能源委員會以及歐盟待機(jī)效率倡議等。然而
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五種降低離線反向電源功耗的方法
就電源而言，要想滿足當(dāng)今苛刻的效率要求是頗具挑戰(zhàn)性的。光是理解終端設(shè)備、電源點評以及管理機(jī)構(gòu)間眾多不同的計劃和指令就已經(jīng)很困難了。這些指令包括能源指令、加利福尼亞能源委員會以及歐盟待機(jī)效率倡議等。然而
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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IGBT系統(tǒng)的介紹
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功
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華虹NEC：深耕特色工藝平臺，輻射熱點應(yīng)用
作為特色工藝技術(shù)純代工企業(yè)，華虹NEC致力于打造特色工藝平臺，目前已形成嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、高壓CMOS/顯示驅(qū)動、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺。在今年IIC-China展會上，華虹NEC集中展示
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如何控制驅(qū)動VR
為減小導(dǎo)通損耗及反向恢復(fù)損耗，同步整流需要精確的時間控制電路，雖然已有幾種方法來產(chǎn)生控制信號，我們現(xiàn)在采用一種從反饋系統(tǒng)來有源控制的柵驅(qū)動信號的定時系統(tǒng)。其關(guān)鍵優(yōu)點在于該電路將根據(jù)元件狀態(tài)的變化來特別
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飛兆半導(dǎo)體推出P溝道PowerTrench® WL-CSP MOSFET
21ic訊 便攜設(shè)備的設(shè)計人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench®薄型
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科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET
隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高
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飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET
隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高
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飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET
21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET
21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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飛兆高功率逆變器設(shè)計方案
I 引言和摘要由于對可再生能源的需求，太陽能逆變器 (光電逆變器)的市場正在不斷增長。 而這些逆變器需要極高的效率和可靠性。 本文對這些逆變器中采用的功率電路進(jìn)行了考察， 并推薦了針對開關(guān)和整流器件的最佳選擇
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計，在4.5V下導(dǎo)通電阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計，在4.5V下導(dǎo)通電阻
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測量放大電路推動的功放電路
放大器電路，特點是運算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級差分放大器，A3組成第二級差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
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測量放大電路推動的功放電路
放大器電路，特點是運算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級差分放大器，A3組成第二級差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
