MOSFET
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華虹NEC：深耕特色工藝平臺(tái)，輻射熱點(diǎn)應(yīng)用
作為特色工藝技術(shù)純代工企業(yè)，華虹NEC致力于打造特色工藝平臺(tái)，目前已形成嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、模擬/電源管理芯片、高壓CMOS/顯示驅(qū)動(dòng)、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺(tái)。在今年IIC-China展會(huì)上，華虹NEC集中展示
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如何控制驅(qū)動(dòng)VR
為減小導(dǎo)通損耗及反向恢復(fù)損耗，同步整流需要精確的時(shí)間控制電路，雖然已有幾種方法來產(chǎn)生控制信號(hào)，我們現(xiàn)在采用一種從反饋系統(tǒng)來有源控制的柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)的定時(shí)系統(tǒng)。其關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)在于該電路將根據(jù)元件狀態(tài)的變化來特別
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飛兆半導(dǎo)體推出P溝道PowerTrench® WL-CSP MOSFET
21ic訊 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對(duì)散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench®薄型
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET
隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高
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飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET
隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高
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飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET
21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET
21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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飛兆高功率逆變器設(shè)計(jì)方案
I 引言和摘要由于對(duì)可再生能源的需求，太陽能逆變器 (光電逆變器)的市場正在不斷增長。 而這些逆變器需要極高的效率和可靠性。 本文對(duì)這些逆變器中采用的功率電路進(jìn)行了考察， 并推薦了針對(duì)開關(guān)和整流器件的最佳選擇
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在4.5V下導(dǎo)通電阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在4.5V下導(dǎo)通電阻
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測量放大電路推動(dòng)的功放電路
放大器電路，特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器，A3組成第二級(jí)差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
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測量放大電路推動(dòng)的功放電路
放大器電路，特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器，A3組成第二級(jí)差分 放大電路 (減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓
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Diodes新型 MOSFET離板高度減半
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較同類器件
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Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝的MOSFET
21ic訊 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較
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車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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ZXSC310的典型應(yīng)用電路圖
如圖所示電路提供了一種驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的解決方案，即利用工作在“降壓”模式的標(biāo)準(zhǔn)升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED。這種解決方案的效率 高達(dá)96％，與效率只有85％的標(biāo)準(zhǔn)方案相比，它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)MOSFE
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IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品
國際整流器公司推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大
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車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
