MOSFET
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LED照明普及所需解決的問題
眾所周知，LED以其無與倫比的節(jié)能、環(huán)保、長壽命、可控性高等技術(shù)優(yōu)勢，成為近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)之一，正式拉開全面替代傳統(tǒng)照明的序幕，半導體照明技術(shù)革新正在改變百年傳統(tǒng)照明歷史。隨著LED技術(shù)在照
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飛兆半導體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET
21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)。FDB9403利用飛兆半導體的屏蔽柵極技術(shù)，改進了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售
“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重
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晶片商搶推高整合LED驅(qū)動器
半導體業(yè)者競相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動IC方案。在高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動IC方案，
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Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vi
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羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索
前言在功率元器件的發(fā)展中，主要半導體材料當然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功耗”的指導原理下，隨著微細加工技術(shù)的發(fā)展，實現(xiàn)了開
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第14屆高交會：成啟，把握產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展契機
縱觀功率半導體行業(yè)，與功率集成電路產(chǎn)業(yè)主要被國外廠商把持的情況不同，國內(nèi)功率器件行業(yè)受技術(shù)、資金、產(chǎn)品認可度等因素的制約相對有限，因此能夠保持高速增長的態(tài)勢。作為一家新興企業(yè)，廣州成啟半導體有限公司是
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汽車電源過壓保護電路
典型的汽車電源架構(gòu)圖1給出了一個典型的汽車電源簡化框圖，主要包括以下幾個單元：源保護電路：限制+12V電源總線的正向電壓，并阻止產(chǎn)生負壓。有源保護電路：該限壓器功能與
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Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路，因此不需要外部的關(guān)斷元
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Linear雙組Hot Swap控制器LTC4226 實現(xiàn)彈性限流
凌力爾特(Linear Technology )發(fā)表雙組 Hot Swap控制器LTC4226，可安全地使電路板插入操作中的4.5V至44V背板。LTC4226可控制外部N通道MOSFET以和緩地啟動電路板、避免導致火花、連接器損壞和系統(tǒng)故障，每個電源配備斷
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新穎的均流IC 可輕松平衡兩個電源
“只許成功，不許失敗”—— 對于當今那些始終保持正常運轉(zhuǎn)的電氣基礎設施 (電信網(wǎng)絡、互聯(lián)網(wǎng)和電網(wǎng)等) 的設計師而言，這很可能是他們的座右銘。問題是
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普及LED燈具應該必備的設計方法
一種全新概念的固態(tài)光源，LED以其無與倫比的節(jié)能、環(huán)保、長壽命、可控性高等技術(shù)優(yōu)勢，成為近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)之一，正式拉開全面替代傳統(tǒng)照明的序幕，半導體照明技術(shù)革新正在改變百年傳統(tǒng)照明歷史。隨
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鋰電池保護電路工作原理
電路具有過充電保護、過放電保護、過電流保護與短路保護功能，其工作原理分析如下：1 正常狀態(tài)在正常狀態(tài)下電路中N1的“CO“與“DO”腳都輸出高電壓，
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飛兆半導體連續(xù)兩年獲頒伊頓最佳供應商獎
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動解決方案供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 連續(xù)兩年獲頒伊頓亞太區(qū)的 2012 年亞太區(qū)最佳供應商獎。 伊頓 (Eaton) 公司總部位于美國，并在上海設有亞太區(qū)總部，該公司是為單
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飛兆半導體榮獲中國Top-10電源產(chǎn)品獎
21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布，該公司在全國領(lǐng)先電子行業(yè)媒體《今日電子》與21ic舉辦的Top-10電源產(chǎn)品獎中，榮獲“最佳開發(fā)獎”。飛兆半導體憑著FDPC8011S 25V雙功率芯片非對稱N
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Vishay Intertechnology推出兩款低導通電阻MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si54
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同步降壓MOSFET電阻比的選擇
在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
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恩智浦發(fā)布汽車認證雙通道Power-SO8 MOSFET
21ic訊 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標
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USB充電解決方案：高效 AC 適配器
通用串行總線(USB)充電已經(jīng)成為小型電子產(chǎn)品的一種常見供電方法。許多新型消費類電子設備(例如：智能手機、平板電腦、電子閱讀器等)的AC電源適配器/電池充電器的功率范圍均
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如何為具體應用選擇恰當?shù)腗OSFET
雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關(guān)這類應用，由于MOSFET基本上
