MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

選擇最佳MOSFET的方法

MOS管現(xiàn)在在很多注重電源性能的便攜產(chǎn)品中越來(lái)越多用來(lái)替代二極管用于同步整流，但是如何選型非常講究，相信大部分童鞋都不太有底，特別是面對(duì)眾多供應(yīng)商、各種產(chǎn)品型號(hào)、多種參數(shù)，等等。以英飛凌的低壓MOS管為例，

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2013-01-09

MOSFET 同步整流器件 IP
中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)？？

消費(fèi)電子
2012-12-30

元件中科院 CMOS MOSFET
數(shù)字電源控制技術(shù)新保障不依賴數(shù)字控制信號(hào)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件

數(shù)字電源
2012-12-17

驅(qū)動(dòng)器信號(hào) 數(shù)字控制 MOSFET
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si

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2012-12-13

功率器件半導(dǎo)體材料 GAN MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品

21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產(chǎn)品系列推出，這些MOSFET的輸出電容具有

汽車電子
2012-12-13

飛兆半導(dǎo)體 RF SUPER MOSFET
如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

嵌入式教程
2012-12-08

驅(qū)動(dòng)器電源數(shù)字控制 MOSFET
LED照明普及所需解決的問(wèn)題

眾所周知，LED以其無(wú)與倫比的節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命、可控性高等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為近年來(lái)全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)之一，正式拉開全面替代傳統(tǒng)照明的序幕，半導(dǎo)體照明技術(shù)革新正在改變百年傳統(tǒng)照明歷史。隨著LED技術(shù)在照

顯示光電
2012-12-07

電解電容 LED照明 LED燈具 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET

21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。FDB9403利用飛兆半導(dǎo)體的屏蔽柵極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。該器件的RDS(ON) 比其最直接競(jìng)爭(zhēng)

汽車電子
2012-12-04

飛兆半導(dǎo)體 POWER TRENCH MOSFET
國(guó)產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國(guó)家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國(guó)開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國(guó)家的重

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2012-12-04

晶體管 UPS IGBT MOSFET
晶片商搶推高整合LED驅(qū)動(dòng)器

半導(dǎo)體業(yè)者競(jìng)相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動(dòng)IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動(dòng)IC方案，

顯示光電
2012-12-03

晶片高壓 LED驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個(gè)采用新版本Vi

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2012-11-29

封裝 Vishay 導(dǎo)通電阻 MOSFET
羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索

前言在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力爭(zhēng)更低功耗”的指導(dǎo)原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了開

消費(fèi)電子
2012-11-22

元器件羅姆電壓 MOSFET
第14屆高交會(huì)：成啟，把握產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展契機(jī)

縱觀功率半導(dǎo)體行業(yè)，與功率集成電路產(chǎn)業(yè)主要被國(guó)外廠商把持的情況不同，國(guó)內(nèi)功率器件行業(yè)受技術(shù)、資金、產(chǎn)品認(rèn)可度等因素的制約相對(duì)有限，因此能夠保持高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。作為一家新興企業(yè)，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司是

21ic專訪
2012-11-20

BSP 半導(dǎo)體分立器件 MOSFET
汽車電源過(guò)壓保護(hù)電路

典型的汽車電源架構(gòu)圖1給出了一個(gè)典型的汽車電源簡(jiǎn)化框圖，主要包括以下幾個(gè)單元：源保護(hù)電路：限制+12V電源總線的正向電壓，并阻止產(chǎn)生負(fù)壓。有源保護(hù)電路：該限壓器功能與

電源電路
2012-11-14

過(guò)壓保護(hù)電路汽車電源 BSP MOSFET
Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路，因此不需要外部的關(guān)斷元

功率器件
2012-11-13

驅(qū)動(dòng)器 Vishay 光隔離 MOSFET
Linear雙組Hot Swap控制器LTC4226 實(shí)現(xiàn)彈性限流

凌力爾特(Linear Technology )發(fā)表雙組 Hot Swap控制器LTC4226，可安全地使電路板插入操作中的4.5V至44V背板。LTC4226可控制外部N通道MOSFET以和緩地啟動(dòng)電路板、避免導(dǎo)致火花、連接器損壞和系統(tǒng)故障，每個(gè)電源配備斷

工業(yè)控制
2012-11-09

控制器 Linear LTC MOSFET
新穎的均流IC 可輕松平衡兩個(gè)電源

“只許成功，不許失敗”—— 對(duì)于當(dāng)今那些始終保持正常運(yùn)轉(zhuǎn)的電氣基礎(chǔ)設(shè)施 (電信網(wǎng)絡(luò)、互聯(lián)網(wǎng)和電網(wǎng)等) 的設(shè)計(jì)師而言，這很可能是他們的座右銘。問(wèn)題是

功率器件
2012-11-06

二極管電源 IC MOSFET
普及LED燈具應(yīng)該必備的設(shè)計(jì)方法

一種全新概念的固態(tài)光源，LED以其無(wú)與倫比的節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命、可控性高等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為近年來(lái)全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)之一，正式拉開全面替代傳統(tǒng)照明的序幕，半導(dǎo)體照明技術(shù)革新正在改變百年傳統(tǒng)照明歷史。隨

顯示光電
2012-10-29

電解電容 PFC LED燈具 MOSFET
鋰電池保護(hù)電路工作原理

電路具有過(guò)充電保護(hù)、過(guò)放電保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)與短路保護(hù)功能，其工作原理分析如下：1 正常狀態(tài)在正常狀態(tài)下電路中N1的“CO“與“DO”腳都輸出高電壓，

電源-能源動(dòng)力
2012-10-17

鋰電池保護(hù)電路控制IC 電路工作原理 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體連續(xù)兩年獲頒伊頓最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 連續(xù)兩年獲頒伊頓亞太區(qū)的 2012 年亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)。伊頓 (Eaton) 公司總部位于美國(guó)，并在上海設(shè)有亞太區(qū)總部，該公司是為單

消費(fèi)電子
2012-10-10

飛兆半導(dǎo)體 UPS BSP MOSFET

首頁(yè) 上一頁(yè) 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 下一頁(yè) 尾頁(yè)

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MOSFET

選擇最佳MOSFET的方法

中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET

數(shù)字電源控制技術(shù)新保障不依賴數(shù)字控制信號(hào)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

飛兆半導(dǎo)體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

LED照明普及所需解決的問(wèn)題

飛兆半導(dǎo)體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET

國(guó)產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

晶片商搶推高整合LED驅(qū)動(dòng)器

Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET

羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索

第14屆高交會(huì)：成啟，把握產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移發(fā)展契機(jī)

汽車電源過(guò)壓保護(hù)電路

Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

Linear雙組Hot Swap控制器LTC4226 實(shí)現(xiàn)彈性限流

新穎的均流IC 可輕松平衡兩個(gè)電源

普及LED燈具應(yīng)該必備的設(shè)計(jì)方法

鋰電池保護(hù)電路工作原理

飛兆半導(dǎo)體連續(xù)兩年獲頒伊頓最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)

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