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ST推出雙極功率晶體管 媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝
21ic訊 意法半導(dǎo)體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢和硅面積使用效率，同時兼具同級MOSFET的能效，為設(shè)計人員提供一個節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器(DC-
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎
【導(dǎo)讀】日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎
20V P溝道器件具有低導(dǎo)通電阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封裝日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲Top-10電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻只
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Linear 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V 的輸入電壓工作，在高達 100V 瞬態(tài)時
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麥瑞半導(dǎo)體推出85V半橋MOSFET驅(qū)動器 集成陰極負載二極管且有最寬可編程柵極驅(qū)動電壓范圍
和用于電池供電應(yīng)用的現(xiàn)有器件相比，該解決方案可把工作時間延長40%21ic訊 麥瑞半導(dǎo)體公司今天推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)
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解析LED驅(qū)動市場的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及其未來趨勢
在LED照明市場的強勁驅(qū)動下，也帶動LED驅(qū)動市場成長，LED驅(qū)動規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，LED驅(qū)動IC市場營收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達到近35億美元，期間平均復(fù)合年成長率為12%。該機構(gòu)并指出，
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LED驅(qū)動市場現(xiàn)狀及趨勢
在LED照明市場的強勁驅(qū)動下，也帶動LED驅(qū)動市場成長，LED驅(qū)動規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，LED驅(qū)動IC市場營收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達到近35億美元，
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PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器
PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器：“PhotoMOS”是松下電器的一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面世二十年間，在全世界的銷量達到八億個，
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恩智浦推出NextPowerS3——可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能的MOSFET
業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特
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美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準RF和寬帶通信應(yīng)用
VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率
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新能源開發(fā)為功率器件市場帶來新機遇
【導(dǎo)讀】從目前國內(nèi)新能源市場的開發(fā)進展來看，主要熱點集中在可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域。 可再生能源又可分為風(fēng)力發(fā)電和太陽能光伏發(fā)電兩種，對于這兩大市場，三菱電機機電(上海)有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場營
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新能源為功率器件市場帶來新商機
功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍日益廣泛，不同的應(yīng)用對于器件的要求也不盡相同，這使得廠商開始走向行業(yè)化解決方案的道路。國際整流器公司(IR)亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉指出，功率器件
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東芝為移動設(shè)備的高電流充電電路推超緊湊型MOSFET
東芝公司(Toshiba Corporation)已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。隨著更多功能添加至智能手機和手機、平板電腦和筆記本電腦等移動設(shè)備以及對它們的電
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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容
21ic訊 低導(dǎo)通電阻可減少移動設(shè)備的傳導(dǎo)損失東芝公司宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導(dǎo)
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如何設(shè)計一個合適的系統(tǒng)電源（上）
對于現(xiàn)在一個電子系統(tǒng)來說，電源部分的設(shè)計也越來越重要，我想通過和大家探討一些自己關(guān)于電源設(shè)計的心得，來個拋磚引玉，讓我們在電源設(shè)計方面能夠都有所深入和長進。Q1：
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中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權(quán)
根據(jù)新華社華盛頓8月8號消息，在美國《科學(xué)》雜志刊登一個報告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項
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中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權(quán)
根據(jù)新華社華盛頓8月8號消息，在美國《科學(xué)》雜志刊登一個報告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項
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東芝高壓MOSFET “πMOS VIII”系列已量產(chǎn)
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產(chǎn)。通過優(yōu)化芯片設(shè)計，可將其每單
