MOSFET
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SiC半導(dǎo)體元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實用化
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖
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德州儀器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻
小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。
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數(shù)字供電和模擬供電
數(shù)字供電和常見的模擬供電不同，前者采用了數(shù)字PWM，體積更小的整合了數(shù)字MOSFET和DRIVER的芯片，以及體積更小的數(shù)字排感，搭配多個MLCC;而模擬供電不同，采用傳統(tǒng)的PWM芯片
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三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問題設(shè)計方案
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問題，因為瞬態(tài)過程很難捕捉。以半橋變換器為例，其典型驅(qū)動電路如下圖a)所示，理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。 但是
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恩智浦推出首款采用1.1-mm2無鉛塑料封裝的3 A晶體管
高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負載開關(guān)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分
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ST PNP電晶體兼具MOSFET能效與板空間使用效率
意法半導(dǎo)體(ST)最新的雙載子功率電晶體 3STL2540 ， 提供雙載子電晶體的成本優(yōu)勢與矽晶面積使用效率，同時兼具同等級 MOSFET 的能效，為設(shè)計人員提供一個節(jié)省空間的低成本電源管理和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器(DC-DC convert
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SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實用化
“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。 在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚
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怎樣做好LED照明設(shè)計
LED光源具有節(jié)能、環(huán)保、發(fā)光均勻、使用壽命長、光色RGB的發(fā)光強度能連續(xù)變化，并可按照環(huán)境整體要求進行編程控制等傳統(tǒng)光源無法比擬的優(yōu)勢，在照明設(shè)計產(chǎn)品應(yīng)用過程中，越來越成為燈光設(shè)計師們的首選光源。而在LED照明設(shè)計中我們要先了解LED照明的設(shè)計理念。
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淺析影響DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的主要因素
效率是任何開關(guān)電源（SMPS）的重要指標，特別是便攜式產(chǎn)品，延長電池使用壽命是一項關(guān)鍵的設(shè)計目標。對于空間受限的設(shè)計或者是無法投入成本解決功率耗散問題的產(chǎn)品，高效率也是改善系統(tǒng)熱管理的必要因素。
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IR推出AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET 提供更高功率密度及更小的系統(tǒng)尺寸和成本
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用，包括
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ST推出雙極功率晶體管 媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝
21ic訊 意法半導(dǎo)體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢和硅面積使用效率，同時兼具同級MOSFET的能效，為設(shè)計人員提供一個節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器(DC-
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎
【導(dǎo)讀】日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎
20V P溝道器件具有低導(dǎo)通電阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封裝日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲Top-10電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)
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Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻只
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Linear 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V 的輸入電壓工作，在高達 100V 瞬態(tài)時
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麥瑞半導(dǎo)體推出85V半橋MOSFET驅(qū)動器 集成陰極負載二極管且有最寬可編程柵極驅(qū)動電壓范圍
和用于電池供電應(yīng)用的現(xiàn)有器件相比，該解決方案可把工作時間延長40%21ic訊 麥瑞半導(dǎo)體公司今天推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)
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解析LED驅(qū)動市場的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及其未來趨勢
在LED照明市場的強勁驅(qū)動下，也帶動LED驅(qū)動市場成長，LED驅(qū)動規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，LED驅(qū)動IC市場營收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達到近35億美元，期間平均復(fù)合年成長率為12%。該機構(gòu)并指出，
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LED驅(qū)動市場現(xiàn)狀及趨勢
在LED照明市場的強勁驅(qū)動下，也帶動LED驅(qū)動市場成長，LED驅(qū)動規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，LED驅(qū)動IC市場營收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達到近35億美元，
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PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器
PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器：“PhotoMOS”是松下電器的一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面世二十年間，在全世界的銷量達到八億個，
