MOSFET
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Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結(jié)技術的新款500V高壓MOSFET
其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適
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德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻
采用5 mm x 6 mm QFN封裝并集成超低導通電阻的25 V和30 V器件21ic電源網(wǎng)訊 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低
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讓愛車如虎添翼：被動無鑰門禁系統(tǒng)
被動無鑰門禁概述：被動無鑰門禁，可能好多業(yè)界的朋友多對此相對陌生，它的出現(xiàn)讓車輛最大限度降低功耗，實現(xiàn)最高安全性，同時賦予高LF靈敏度和最大讀取距離。最小化的鑰匙FOB設計可通過高集成度實現(xiàn)，包括3D主動LF
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封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？
I.引言 高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)
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高壓電機控制系統(tǒng)的主要設計考慮因素
在現(xiàn)代機器人設計中，頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機、步進電機、直線電機和其它特殊電機，但這些電機的驅(qū)動和控制要求各有不同，如何實現(xiàn)各種電機的精確控制解決方案?如何以
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Vishay發(fā)布首顆用于軟開關拓撲的雙片600V快速體二極管N溝道MOSFET
21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布600V EF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N
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IR的電池保護MOSFET系列 為移動應用提供具有成本效益的靈活解決方案
21ic電源網(wǎng)訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectF
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意法半導體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)
21ic電源網(wǎng)訊 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提
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MOSFET(MOS場效應管)工作原理
場效應管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS場效應管的工作原理。MOS場效應管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導體場效應管)的縮寫。
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增強型N溝道場效應管(MOSFET）的電池反接保護電路
功率場效應管(MOSFET)典型應用電路1.電池反接保護電路電池反接保護電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時，PN結(jié)反接無電壓降，但在正常工 作時有0.6～0.7V的管壓降。采用導通電
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IR針對工業(yè)應用新推出具有超低導通電阻的表面貼裝75V MOSFET
21ic訊 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 近日推出75V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機
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IR針對工業(yè)應用推出具有超低導通電阻的75V MOSFET
21ic訊 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 近日推出75V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器 (LEV) 、直
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高效高可靠性LED驅(qū)動設計心得技巧分享
近日，小編采訪了LED驅(qū)動電路設計方面的資深達人DougBailey，他總結(jié)了設計工作中需要注意的問題和親身設計心得，為大家分享總結(jié)如下： 一、不要使用雙極型功率器件
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Vishay的SiZ340DT再度獲獎
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其3mm x 3mm封裝的SiZ340DT雙片MOSFET在《今日電子》雜志的第十二屆年度Top-10電源產(chǎn)品評獎中一舉獲得十佳電源產(chǎn)品獎和最佳應用獎等兩項獎項。
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Vishay發(fā)布新款12V芯片級MOSFET 可有效降低超便攜產(chǎn)品的功耗
新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V電壓和±8V VGS下實現(xiàn)35mΩ導通電阻日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布有助于在智能手機、平板電腦、可穿戴設備和
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汽車車窗控制電路
汽車車窗控制電路
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MOSFET選擇策略詳解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是僅有的功率開關。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制
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Vishay發(fā)布其E系列器件的首顆500V高壓MOSFET
新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同優(yōu)點，具有高效率和高功率密度21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該
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麥瑞半導體推出一款85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動器 MIC4606
為何需要MOSFET驅(qū)動器呢？因為要驅(qū)動大容量MOSFET需要提供短時瞬間大電流，并在溝道開通后維持合適的柵源電壓(10～15V)，如果用普通控制芯片或單片機直接驅(qū)動，輸出電流不夠
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光伏組件戶外性能測試平臺設計
在傳統(tǒng)工作模式電子負載的基礎上提出的一種戶外光伏組件測試平臺，以自動切換工作模式的可編程電子負載為核心，實現(xiàn)了對光伏組件IV特性曲線更加精確而完整地測量。它可
