MOSFET
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堆疊PowerStack封裝電流獲得更高功率POL
電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調節(jié)器，發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應地適應
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意法半導體發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產品采用意法半導體最新的STripFET F7制造技術，開關性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關特性使其特別適用于電機驅動裝置，例如電動助力轉向系統(tǒng)(EPS)。
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ROHM開發(fā)出符合AEC-Q101標準的超小型MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM面向引擎ECU*1為首的電子化日益普及的各種車載應用，開發(fā)出符合AEC-Q101*2標準的超小型MOSFET“AG009DGQ3”。“AG009DGQ3”是實現(xiàn)高可靠性安裝、且安裝面積可比以往產品減少達64%的產品。
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1)
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TI推出業(yè)內電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內最低，比傳統(tǒng)60-V負載開關低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積
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Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，
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步進電機的MOSFET管驅動設計
H橋功率驅動電路可應用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅動。永磁步進電機或混合式步進電機的勵磁繞組都必須用雙極性電源供電，也就是說繞組有時需正向電流，有時需反向
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東芝推出適用于LED驅動器應用中負載開關的業(yè)界領先小尺寸、低導通電阻N溝道MOSFET
東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出小封裝尺寸的N溝道MOSFET，該MOSFET適用于LED驅動器應用中的負載開關，包括汽車儀表盤儀表和前照燈以及LED電視背光燈，它們是業(yè)界領先的[1]低導通
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題?？刂破?IC 驅動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后，MOSFET 開關緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)
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Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關電壓余量
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產品，為工業(yè)、通信和可再生能源應用提供了迫切需要的電壓余量。
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基于大功率開關電源中功率MOSFET的驅動技術
1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流組件，不過
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功率MOSFET在正激式驅動電路中的應用簡析
功率MOSFET在目前一些大功率電源的產品設計中得到了廣泛的應用，此前本文曾經就幾種常見的MOSFET電路設計類型進行了簡單總結和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器
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MOSFET開關損耗分析
摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優(yōu)化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據(jù)。
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅動入門
由于不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動進行輔助。當MOSFET作用在電路
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大功率電源MOSMOSFET問題的分析
在現(xiàn)代科技的環(huán)境下，傳統(tǒng)的電源設計方案已經無法再滿足人們的需要。因此功率更為強大的大功率電源開始成為設計者們的新寵。但是在應用過程中大功率電源也遇到了這樣或那樣
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些
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大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散
在電子電路設計中，散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤其明顯。為了盡量控制
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高效高可靠性LED驅動設計心得技巧分享
近日，LED驅動電路設計方面的資深達人DougBailey總結了設計工作中需要注意的問題和親身設計心得，為大家分享總結如下：一、不要使用雙極型功率器件DougBailey指出由于雙極
