MOSFET
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Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，
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步進電機的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計
H橋功率驅(qū)動電路可應(yīng)用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅(qū)動。永磁步進電機或混合式步進電機的勵磁繞組都必須用雙極性電源供電，也就是說繞組有時需正向電流，有時需反向
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東芝推出適用于LED驅(qū)動器應(yīng)用中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先小尺寸、低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET
東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出小封裝尺寸的N溝道MOSFET，該MOSFET適用于LED驅(qū)動器應(yīng)用中的負(fù)載開關(guān)，包括汽車儀表盤儀表和前照燈以及LED電視背光燈，它們是業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)
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Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關(guān)電壓余量
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。
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基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流組件，不過
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功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析
功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器
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MOSFET開關(guān)損耗分析
摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源，進而為緩啟動電路設(shè)計優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門
由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動進行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路
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大功率電源MOSMOSFET問題的分析
在現(xiàn)代科技的環(huán)境下，傳統(tǒng)的電源設(shè)計方案已經(jīng)無法再滿足人們的需要。因此功率更為強大的大功率電源開始成為設(shè)計者們的新寵。但是在應(yīng)用過程中大功率電源也遇到了這樣或那樣
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些
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大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散
在電子電路設(shè)計中，散熱設(shè)計是非常重要的一項指標(biāo)。但在很多設(shè)計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤其明顯。為了盡量控制
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高效高可靠性LED驅(qū)動設(shè)計心得技巧分享
近日，LED驅(qū)動電路設(shè)計方面的資深達(dá)人DougBailey總結(jié)了設(shè)計工作中需要注意的問題和親身設(shè)計心得，為大家分享總結(jié)如下：一、不要使用雙極型功率器件DougBailey指出由于雙極
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入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動電路知識分享
功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時的重點方向。如果設(shè)計得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系
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功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設(shè)計應(yīng)用簡析
功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中，我們將會就功率MOS管
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Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包
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功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析
功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器
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干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設(shè)計分享
功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設(shè)計不僅省時省力，還具有良好的功率轉(zhuǎn)換效果。
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同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?
功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研發(fā)人員認(rèn)真對待。本文
