MOSFET
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安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領先市場的電流密度和全集成的MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。
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英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應鏈的前沿技術和解決方案
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應鏈的領先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應用解決方案。此外，英飛凌的技術專家還將就產(chǎn)品和應用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進行交流。
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意法半導體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
意法半導體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。
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LED驅(qū)動設計的5大關鍵
要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動設計
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基于單片機的脈沖快速充電系統(tǒng)設計
系統(tǒng)中的開關電源電路為蓄電池的充電提供穩(wěn)定的電壓采用的是反激式的開關電源電路。反激式開關電源的電路比較簡單，比正激式開關電源少用了一個大的儲能濾波電感，以及一個續(xù)流二極管
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MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮 漲價不可避免！
茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價，預計7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價格15～20%，高單價客戶及高售價產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價格。
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關于MOSFET用于開關電源的驅(qū)動電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅(qū)動電路。在使
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輸出電流的控制和感測基礎
對大部分負載管理電路來說，MOSFET正在迅速取代繼電器成為首選的開關技術，電力電子系統(tǒng)的維護成本也隨之降低。本文講述了輸出電流的控制和感測基礎，并分析了一種智能負載管理產(chǎn)品。
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MOSFET報價調(diào)漲，供需緊俏或致8英寸晶圓漲價？
近期MOSFET報價調(diào)漲，由于中國大陸家電產(chǎn)品對變頻化趨勢持續(xù)推進，對MOSFET等需求持續(xù)上升，另外，無線充電、物聯(lián)網(wǎng)、車用等新應用，帶動相關元件需求增加，導致全球8英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率維持在100%左右的水準。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極
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在ON狀態(tài)下 Mosfet與三極管有何不同之處？
MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應用的非常廣泛的一種場效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動，將較小的信號放大成為幅值較高的電信號。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時，這兩者有什么區(qū)別呢?
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關于MOSFET用于開關電源的驅(qū)動電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅(qū)動電路。
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關于反激式LED驅(qū)動器的工作原理
作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級管(LED)具備使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點亮LED，需要用恒定電流進行操作，而且必須具有高功率因數(shù)。除了適用于固態(tài)照明的最新EnergyStar®指令要求功率超過3 W的照明光源具有大于0.9的功率因數(shù)，鎮(zhèn)流器輸入線路電流諧波還需要滿足IEC61000-3-2 C類規(guī)范的要求。
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開關MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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開關MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
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10步法則：實用的MOSFET選型方法
功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動、變壓器驅(qū)動或自舉驅(qū)動，驅(qū)動電路復雜;P溝道可以直接驅(qū)動，驅(qū)動簡單。
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功率MOSFET線性區(qū)、完全導通區(qū)的電場和電流分布
MOSFET的漏極導通特性如圖1所示，其工作特性有三個工作區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和完全導通區(qū)。其中，線性區(qū)也稱恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)；完全導通區(qū)也稱可變電阻區(qū)。
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不同輸入電壓，功率MOSFET關斷dV/dT為什么不同？
中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開通和關斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關的一個最重要的參數(shù)就是MOSFET開通和關斷dV/dt。
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典型開關mos電流波形的精細分析
反激開關MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉(zhuǎn)折點的分析。
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大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
