MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮 漲價(jià)不可避免！

茂矽近期已發(fā)函通知客戶(hù)漲價(jià)，預(yù)計(jì)7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價(jià)格15～20%，高單價(jià)客戶(hù)及高售價(jià)產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請(qǐng)客戶(hù)重新評(píng)估需求，重新來(lái)單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價(jià)格。

關(guān)于MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。在使

輸出電流的控制和感測(cè)基礎(chǔ)

對(duì)大部分負(fù)載管理電路來(lái)說(shuō)，MOSFET正在迅速取代繼電器成為首選的開(kāi)關(guān)技術(shù)，電力電子系統(tǒng)的維護(hù)成本也隨之降低。本文講述了輸出電流的控制和感測(cè)基礎(chǔ)，并分析了一種智能負(fù)載管理產(chǎn)品。

MOSFET報(bào)價(jià)調(diào)漲，供需緊俏或致8英寸晶圓漲價(jià)？

近期MOSFET報(bào)價(jià)調(diào)漲，由于中國(guó)大陸家電產(chǎn)品對(duì)變頻化趨勢(shì)持續(xù)推進(jìn)，對(duì)MOSFET等需求持續(xù)上升，另外，無(wú)線(xiàn)充電、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用等新應(yīng)用，帶動(dòng)相關(guān)元件需求增加，導(dǎo)致全球8英寸晶圓代工廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率維持在100%左右的水準(zhǔn)。

美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極

在ON狀態(tài)下 Mosfet與三極管有何不同之處？

MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動(dòng)，將較小的信號(hào)放大成為幅值較高的電信號(hào)。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時(shí)，這兩者有什么區(qū)別呢?

關(guān)于MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。

關(guān)于反激式LED驅(qū)動(dòng)器的工作原理

作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級(jí)管(LED)具備使用壽命長(zhǎng)、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應(yīng)用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點(diǎn)亮LED，需要用恒定電流進(jìn)行操作，而且必須具有高功率因數(shù)。除了適用于固態(tài)照明的最新EnergyStar®指令要求功率超過(guò)3 W的照明光源具有大于0.9的功率因數(shù)，鎮(zhèn)流器輸入線(xiàn)路電流諧波還需要滿(mǎn)足IEC61000-3-2 C類(lèi)規(guī)范的要求。

開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用

是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書(shū)里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用

是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書(shū)里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

10步法則：實(shí)用的MOSFET選型方法

功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低;P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。

功率MOSFET線(xiàn)性區(qū)、完全導(dǎo)通區(qū)的電場(chǎng)和電流分布

MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖1所示，其工作特性有三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)、線(xiàn)性區(qū)和‍完全導(dǎo)通區(qū)。其中，線(xiàn)性區(qū)也稱(chēng)恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)；完全導(dǎo)通區(qū)也稱(chēng)可變電阻區(qū)。

不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT為什么不同？

中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關(guān)的一個(gè)最重要的參數(shù)就是MOSFET開(kāi)通和關(guān)斷dV/dt。

典型開(kāi)關(guān)mos電流波形的精細(xì)分析

反激開(kāi)關(guān)MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。

大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開(kāi)發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

如何正確測(cè)量MOSFET尖峰電壓：探頭及帶寬設(shè)置

測(cè)量開(kāi)關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時(shí)候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線(xiàn)接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線(xiàn)的環(huán)路，從而減小空間耦合的干擾信號(hào)。

隔離式電源設(shè)計(jì)需要開(kāi)發(fā)最好的拓?fù)?/a>

電子元器件持續(xù)缺貨漲價(jià)，MOSFET驅(qū)動(dòng)IC首季漲價(jià)

去年引爆的電子零組件缺貨、漲價(jià)風(fēng)潮至今不停歇， MOSFET因國(guó)際大廠(chǎng)退出，自去年下半年起供給漸趨吃緊，加上受到晶圓代工及EPI硅晶圓產(chǎn)能不足限制，市場(chǎng)供不應(yīng)求壓力持續(xù)上揚(yáng)，報(bào)價(jià)也自今年首季起真正開(kāi)始起漲。進(jìn)入第二季后，在超威、英特爾與NVIDIA推出新平臺(tái)的推波助瀾下，MOSFET供應(yīng)缺口將更趨嚴(yán)重，MOSFET業(yè)者訂單可見(jiàn)度達(dá)到今年第三季，產(chǎn)品報(bào)價(jià)也將順利在第二季調(diào)漲，漲幅約在5～10%。

Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

東芝推出新一代600V平面MOSFET系列

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社近日宣布推出一個(gè)新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生產(chǎn)即日啟動(dòng)。