反激開關MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉折點的分析。

很多工程師在電源開發(fā)調試過程中，測的的波形的一些關鍵點不是很清楚，下面針對反激電源實測波形來分析一下。

問題一，一反激電源實測Ids電流時前端有一個尖峰(如下圖紅色圓圈里的尖峰圖)，這個尖峰到底是什么原因引起的?怎么來消除或者改善?

大家都知道這個尖峰是開關MOS開通的時候出現(xiàn)的，根據反激回路，Ids電流環(huán)為Vbus經變壓器原邊、然后經過MOS再到Vbus形成回路。本來原邊線圈電感特性，其電流不能突變，本應呈線性上升，但由于原邊線圈匝間存在的分布電容(如下圖中的C)，在開啟瞬間，使Vbus經分存電容C到MOS有一高頻通路，所以形成一時間很短尖峰。

下面再上兩個英文資料，上面的C在下圖中等效于Cp或者是Ca

經分析，知道此尖峰電流是變壓器的原邊分布參數造成，所以要從原邊繞線層與層指尖間著手，可以加大間隙來減少耦合，也可以盡量設計成單層繞組。

例如變壓器盡量選用Ae值大的，使設計時繞組圈數變少減少了層數，從而使層間電容變小。也可減少線與線之間的接觸面，達到減少分布電容的目的。如三明治繞法把原邊分開對此尖峰有改善，還能減少漏感。當然，無論怎樣不能完全避免分布電容的存在，所以這個尖峰是不能完全消除的。并且這個尖峰高產生的振蕩，對EMI不利，實際工作影響倒不大。但如果太高可能會引起芯片過流檢測誤觸發(fā)。

所以電源IC內部都會加一個200nS-500nS的LEB Time，防止誤觸發(fā)，就是我們常說的消隱。

問題二，開關MOS關端時，IS電流波形上有個凹陷(如下圖紅色圈內的電流波形的凹陷)這是怎么回事?怎么改善?

說這個原因之前先對比下mos漏極電流Id與mos源極電流Is的波形。

實測Id波形如下

實測Is波形如下

從下面的這兩個圖中看出，ID比IS大一點是怎么回事?其實Is 是不等于Id的，Is = Id Igs(Igs在這里是負電流，Cgs的放電電流如下圖)，那A,B 兩點波形，就容易解釋了。

Id比Is大，是由于IS疊加了一個反向電流，所以出現(xiàn)Is下降拐點。顯然要改善這個電流凹陷可以換開關MOS管型號來調節(jié)。

看了上面Id的電流波形后問題又來了，mos關斷時ID的電流為何會出現(xiàn)負電流?如下圖

MOS關斷時，漏感能量流出給Coss充到高點，即Vds反射尖峰的頂點上。到最高點后Lk相位翻轉，Coss反向放電，這時電流流出，也就是Id負電流部份的產生。