電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

關(guān)于智能負(fù)載切換有助于實(shí)現(xiàn)可靠的熱插拔系統(tǒng)

服務(wù)器、磁盤陣列和其他高可用性系統(tǒng)幾乎無一例外被要求在無需關(guān)閉供電系統(tǒng)的情況下更換功能模塊。系統(tǒng)工作時更換模塊通常被稱為熱插拔。能夠提供熱插拔功能的一個關(guān)鍵因素

LTC4366高壓浪涌抑制器實(shí)例應(yīng)用講解（獨(dú)家）

LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在 MOSFET兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持

Keithley技術(shù)文獻(xiàn)：半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)

通用測試 電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型

LTC4366浪涌抑制器入門簡介

概述：LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以

飛兆半導(dǎo)體的80 V MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級同步整流開關(guān)電源設(shè)計提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7

電源設(shè)計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟。低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要，

隔離式3.3V轉(zhuǎn)5V轉(zhuǎn)換器的分立設(shè)計

隔離式3.3V到5V轉(zhuǎn)換器通常用于遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)，這種網(wǎng)絡(luò)中總線節(jié)點(diǎn)控制器由一個3.3V電源工作以節(jié)省電量，而總線電壓為5V,以保證在遠(yuǎn)距離傳輸過程中的信號完整性并提供

具高級輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

引言 總線電壓浪涌不僅對DC/DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成危險，也對負(fù)載帶來威脅。傳統(tǒng)的過壓保護(hù)方案采用熔絲，其動作速度和可靠性均未必足以保護(hù)諸如FPGA、ASIC和微處理器等負(fù)載。一種

為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計小貼士

歡迎來到電源設(shè)計小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。該專欄面向各級設(shè)計工程

IR推出100V集成MOSFET方案

國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFETMOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針

隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極(相對于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1] )。使用專門驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流[QC2] 。本文討論柵極驅(qū)動器是什么，為何需要柵極驅(qū)動器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時序、驅(qū)動強(qiáng)度和隔離度。

憑借對SiC MOSFET的大力推廣 世強(qiáng)獲Littelfuse最佳市場開發(fā)代理商

近日，全球排名第一的電路保護(hù)品牌Littelfuse向世強(qiáng)頒發(fā)了“最佳市場開發(fā)代理商獎”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場開發(fā)方面所作出的杰出貢獻(xiàn)。

ADI宣布推出 Power by Linear LTC7840，可驅(qū)動兩級外部 N 溝道功率 MOSFET

LTC7840 的一種典型應(yīng)用是利用第一個通道將 12V 輸入電壓提升到 48V，第二個通道將 48V 升壓至240V 并提供高達(dá) 700mA 的輸出電流，因而使其非常適合汽車、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。

IR推出新型DirectFET MOSFET

國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導(dǎo)電損耗可比同類解決方案減少30%。 單個采用SO-8封裝的IRF6648

一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與制作

標(biāo)稱功率300W的逆變電源，用于家庭電風(fēng)扇、電視機(jī)，以及日常照明等是不成問題的。300W逆變器，利用12V/60AH蓄電池向上述家用電器供電，一次充滿電后，可使用近5小時。不過，

ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6

半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率

從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用

功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與應(yīng)用

目前國內(nèi)大多數(shù)采用的長延時熱脫扣試驗(yàn)方案是通過變壓器直接對斷路器施加一個電壓以獲得測試電流。在測試過程中，由于電網(wǎng)電壓的波動、載流電路中引線電阻變化、負(fù)載本身電

利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“