MOSFET缺貨漲價(jià)泡湯？晶圓代工廠(chǎng)透露：12月接單有壓力

據(jù)報(bào)道，金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)市場(chǎng)出現(xiàn)雜音，有晶圓代工廠(chǎng)透露，客戶(hù)需求轉(zhuǎn)趨觀(guān)望，12月訂單調(diào)整幅度比往年大，接單感受到壓力。

意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言 散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不齊，并不是一樣的，而且在芯片上各處的溫度也是不同的。結(jié)果是

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車(chē)更加舒適環(huán)保

汽油機(jī)缸內(nèi)直噴是當(dāng)前轎車(chē)汽油噴射中的前沿技術(shù)，多點(diǎn)順序汽油噴射將各個(gè)點(diǎn)火線(xiàn)圈分別安裝在各缸的進(jìn)氣歧管中，使各缸混合氣分配較均勻，因此能很好地適應(yīng)減少排放、降低油

MOSFET的諧極驅(qū)動(dòng)

1.引言 在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)其他領(lǐng)域的發(fā)展。由于MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度，電源開(kāi)關(guān)頻率可以做

利用智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能

UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

一、 引言 電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、高可靠、低損耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG

單芯片大電流同步降壓方案助力簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

與傳統(tǒng)的降壓同步方案不一樣，目前已經(jīng)有越來(lái)越多的功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商推出了單芯片的同步降壓解決方案，集成了上邊和下邊MOSFET，外部只需要一個(gè)電感及相應(yīng)的控制線(xiàn)路，極大的

大中：MOSFET缺貨會(huì)持續(xù)到明年

薛添福表示，產(chǎn)能滿(mǎn)足度與市場(chǎng)供給缺口達(dá)3成，且新投資產(chǎn)能還是很有限，新應(yīng)用占去的產(chǎn)能，對(duì)于其他產(chǎn)品產(chǎn)生排擠效應(yīng);另外，工業(yè)機(jī)器人、人工智能和數(shù)據(jù)中心也占掉一些產(chǎn)能，至少到明年都呈現(xiàn)不足。不過(guò)，薛添福也看好自家未來(lái)產(chǎn)能會(huì)比今年多。

臺(tái)積電將新增1座8英寸新廠(chǎng)，對(duì)世界先進(jìn)影響不大！

由于臺(tái)積電目前將一些8英寸的產(chǎn)能外包給世界先進(jìn)，此次臺(tái)積電8英寸新廠(chǎng)的消息一出，外界對(duì)世界先進(jìn)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展產(chǎn)生了疑慮。但美系外資從三個(gè)方面指出了仍然看好世界先進(jìn)的原因。

功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)

什么是功率MOSFET？ 我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其

功率MOSFET及其發(fā)展淺說(shuō)

近年來(lái)作了多次關(guān)于功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢(shì)的報(bào)告，許多朋友都希望我講得更詳細(xì)些，或更能符合應(yīng)用工作者的口味，因而撰寫(xiě)一篇現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說(shuō)的想法由來(lái)已久。只是

功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

當(dāng)前的高壓功率MOSFET都屬于N通道增強(qiáng)型雙擴(kuò)散金屬-氧化物-硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的功能和NPN雙極結(jié)型晶體管是一樣的，只不過(guò)它是由電壓控制，而后者是由電流控制。由于它的高

常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

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MOSFET醞釀下一波漲價(jià) DRAM跌幅卻持續(xù)加大

MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開(kāi)始，一直持續(xù)到現(xiàn)在，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。與此形成鮮明對(duì)比的是，前一段時(shí)間不斷漲價(jià)的DRAM開(kāi)始走下坡路了!據(jù)集邦咨詢(xún)的最新報(bào)告，第四季DRAM合約價(jià)二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。

MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲！

到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠(chǎng)及系統(tǒng)廠(chǎng)客戶(hù)搶產(chǎn)能，臺(tái)廠(chǎng)大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿(mǎn)，接單能見(jiàn)度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。

擁有線(xiàn)性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

今天的手機(jī)不斷向小型化和薄型化發(fā)展。這點(diǎn)毫不奇怪，技術(shù)尺寸方面的多數(shù)進(jìn)展是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，可以決定產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的命運(yùn)。由于移動(dòng)器件的尺寸不斷變小，元件尺寸和元件數(shù)量

如何計(jì)算高功率電源中MOSFET的功耗

功率MOSFET是用于便攜式設(shè)備的所有高功率開(kāi)關(guān)電源中的重要部分。另外，在散熱功能最差的筆記本電腦中，功率MOSFET的選擇也不是一件容易的事情。本文就如何計(jì)算功率MOSFET的

高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計(jì)算

也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。它們的電源電流最近每?jī)赡昃头环Ｊ聦?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì)高達(dá)40A或更多

不單只是數(shù)據(jù)表 – 真實(shí)世界下的PC能效

計(jì)算機(jī)原設(shè)備制造商(OEM)正面對(duì)商業(yè)、環(huán)保和法規(guī)等多方面的壓力，需要體現(xiàn)他們產(chǎn)品的能效，提供更“綠色” 的臺(tái)式個(gè)人電腦(PC)和服務(wù)器。這使設(shè)計(jì)這些產(chǎn)品的工程