MOSFET
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利用智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能
UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件
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用IGBT代替MOSFET的可行性分析
一、 引言 電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、高可靠、低損耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG
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單芯片大電流同步降壓方案助力簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)
與傳統(tǒng)的降壓同步方案不一樣，目前已經(jīng)有越來(lái)越多的功率半導(dǎo)體廠商推出了單芯片的同步降壓解決方案，集成了上邊和下邊MOSFET，外部只需要一個(gè)電感及相應(yīng)的控制線路，極大的
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大中：MOSFET缺貨會(huì)持續(xù)到明年
薛添福表示，產(chǎn)能滿足度與市場(chǎng)供給缺口達(dá)3成，且新投資產(chǎn)能還是很有限，新應(yīng)用占去的產(chǎn)能，對(duì)于其他產(chǎn)品產(chǎn)生排擠效應(yīng);另外，工業(yè)機(jī)器人、人工智能和數(shù)據(jù)中心也占掉一些產(chǎn)能，至少到明年都呈現(xiàn)不足。不過(guò)，薛添福也看好自家未來(lái)產(chǎn)能會(huì)比今年多。
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臺(tái)積電將新增1座8英寸新廠，對(duì)世界先進(jìn)影響不大！
由于臺(tái)積電目前將一些8英寸的產(chǎn)能外包給世界先進(jìn)，此次臺(tái)積電8英寸新廠的消息一出，外界對(duì)世界先進(jìn)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展產(chǎn)生了疑慮。但美系外資從三個(gè)方面指出了仍然看好世界先進(jìn)的原因。
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功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
什么是功率MOSFET？ 我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其
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功率MOSFET及其發(fā)展淺說(shuō)
近年來(lái)作了多次關(guān)于功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢(shì)的報(bào)告，許多朋友都希望我講得更詳細(xì)些，或更能符合應(yīng)用工作者的口味，因而撰寫(xiě)一篇現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說(shuō)的想法由來(lái)已久。只是
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功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹
當(dāng)前的高壓功率MOSFET都屬于N通道增強(qiáng)型雙擴(kuò)散金屬-氧化物-硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的功能和NPN雙極結(jié)型晶體管是一樣的，只不過(guò)它是由電壓控制，而后者是由電流控制。由于它的高
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常用MOSFET技術(shù)參數(shù)
PART NO.VDS(V)ID250C(A)1000CRDS(ON)(ohms)CISS(PF)IDM(A)PD(W)PACKAGEIRF120100850.36003240TO-3IRF12160850.36003240TO-3IRF122100740.46002840TO-3IRF12360740.4600284
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MOSFET醞釀下一波漲價(jià) DRAM跌幅卻持續(xù)加大
MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開(kāi)始，一直持續(xù)到現(xiàn)在，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。與此形成鮮明對(duì)比的是，前一段時(shí)間不斷漲價(jià)的DRAM開(kāi)始走下坡路了!據(jù)集邦咨詢的最新報(bào)告，第四季DRAM合約價(jià)二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。
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MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲！
到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見(jiàn)度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。
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擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器
今天的手機(jī)不斷向小型化和薄型化發(fā)展。這點(diǎn)毫不奇怪，技術(shù)尺寸方面的多數(shù)進(jìn)展是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，可以決定產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的命運(yùn)。由于移動(dòng)器件的尺寸不斷變小，元件尺寸和元件數(shù)量
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如何計(jì)算高功率電源中MOSFET的功耗
功率MOSFET是用于便攜式設(shè)備的所有高功率開(kāi)關(guān)電源中的重要部分。另外，在散熱功能最差的筆記本電腦中，功率MOSFET的選擇也不是一件容易的事情。本文就如何計(jì)算功率MOSFET的
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高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計(jì)算
也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。它們的電源電流最近每?jī)赡昃头环Ｊ聦?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì)高達(dá)40A或更多
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不單只是數(shù)據(jù)表 – 真實(shí)世界下的PC能效
計(jì)算機(jī)原設(shè)備制造商(OEM)正面對(duì)商業(yè)、環(huán)保和法規(guī)等多方面的壓力，需要體現(xiàn)他們產(chǎn)品的能效，提供更“綠色” 的臺(tái)式個(gè)人電腦(PC)和服務(wù)器。這使設(shè)計(jì)這些產(chǎn)品的工程
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Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車(chē)應(yīng)用的燃油效率
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車(chē)應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條
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選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指
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具有超快瞬態(tài)響應(yīng)和低功耗的有源整流控制器
ISO 16750 或 LV124 等汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，汽車(chē)電子控制單元 (ECU) 可能面臨一個(gè)具有高達(dá) 6 V p-p(在高達(dá) 30 kHz 頻率下)AC 紋波之疊加的供電電源。用于控制外部MOSFET的諸如 LT8672 的門(mén)極驅(qū)動(dòng)等器件足夠強(qiáng)大，能處理高達(dá) 100 kHz 的紋波頻率，從而最大限度減小了反向電流。圖 1 所示為這種 AC 紋波整流的一個(gè)例子。
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快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用
高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問(wèn)題。三相無(wú)刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)備中以及很多其他應(yīng)用中。此外，由于采用了電子換向器代替機(jī)械換向裝
