MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲！

到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。

擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

今天的手機(jī)不斷向小型化和薄型化發(fā)展。這點(diǎn)毫不奇怪，技術(shù)尺寸方面的多數(shù)進(jìn)展是一個(gè)關(guān)鍵問題，可以決定產(chǎn)品開發(fā)的命運(yùn)。由于移動(dòng)器件的尺寸不斷變小，元件尺寸和元件數(shù)量

如何計(jì)算高功率電源中MOSFET的功耗

功率MOSFET是用于便攜式設(shè)備的所有高功率開關(guān)電源中的重要部分。另外，在散熱功能最差的筆記本電腦中，功率MOSFET的選擇也不是一件容易的事情。本文就如何計(jì)算功率MOSFET的

高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計(jì)算

也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。它們的電源電流最近每?jī)赡昃头环?。事?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì)高達(dá)40A或更多

不單只是數(shù)據(jù)表 – 真實(shí)世界下的PC能效

計(jì)算機(jī)原設(shè)備制造商(OEM)正面對(duì)商業(yè)、環(huán)保和法規(guī)等多方面的壓力，需要體現(xiàn)他們產(chǎn)品的能效，提供更“綠色” 的臺(tái)式個(gè)人電腦(PC)和服務(wù)器。這使設(shè)計(jì)這些產(chǎn)品的工程

Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT

飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車應(yīng)用的燃油效率

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條

選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指

具有超快瞬態(tài)響應(yīng)和低功耗的有源整流控制器

ISO 16750 或 LV124 等汽車標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，汽車電子控制單元 (ECU) 可能面臨一個(gè)具有高達(dá) 6 V p-p(在高達(dá) 30 kHz 頻率下)AC 紋波之疊加的供電電源。用于控制外部MOSFET的諸如 LT8672 的門極驅(qū)動(dòng)等器件足夠強(qiáng)大，能處理高達(dá) 100 kHz 的紋波頻率，從而最大限度減小了反向電流。圖 1 所示為這種 AC 紋波整流的一個(gè)例子。

快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用

高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)備中以及很多其他應(yīng)用中。此外，由于采用了電子換向器代替機(jī)械換向裝

意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDm

LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個(gè)外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運(yùn)

AnalogicTech推出低阻抗半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器AAT4910

解決SMPS難題

電源能效對(duì)環(huán)境的影響問題越來越受到世界范圍的關(guān)注，致力于自然資源保護(hù)的全球各國(guó)政府和標(biāo)準(zhǔn)化制定機(jī)構(gòu)已相繼推出各項(xiàng)措施，積極推廣高能效電源。美國(guó)加州能源委員會(huì)(CEC

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池

Fairchild 新型有源橋解決方案為基于IoT的以太網(wǎng)供電 設(shè)備提供業(yè)界最佳的性能

GreenBridge 提供的熱性能、效率和尺寸優(yōu)勢(shì)都要優(yōu)于 POE PD 中使用的二極管高性能半導(dǎo)體解決方案全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天發(fā)布了FDMQ8205，這增強(qiáng)了其業(yè)

LTC4366高壓浪涌抑制器應(yīng)用深入講解（獨(dú)家收錄）

LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個(gè)外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運(yùn)

Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關(guān)電源IC

深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)POWI)近日發(fā)布集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列離線式開關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計(jì)8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)。

電池充電器 反向電壓保護(hù)

處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔，但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。