MOSFET
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IR推出100V集成MOSFET方案
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFETMOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱(chēng)PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針
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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器揭秘
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1] )。使用專(zhuān)門(mén)驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流[QC2] 。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
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憑借對(duì)SiC MOSFET的大力推廣 世強(qiáng)獲Littelfuse最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商
近日，全球排名第一的電路保護(hù)品牌Littelfuse向世強(qiáng)頒發(fā)了“最佳市場(chǎng)開(kāi)發(fā)代理商獎(jiǎng)”，以表彰其2018年在產(chǎn)品推廣與市場(chǎng)開(kāi)發(fā)方面所作出的杰出貢獻(xiàn)。
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ADI宣布推出 Power by Linear LTC7840，可驅(qū)動(dòng)兩級(jí)外部 N 溝道功率 MOSFET
LTC7840 的一種典型應(yīng)用是利用第一個(gè)通道將 12V 輸入電壓提升到 48V，第二個(gè)通道將 48V 升壓至240V 并提供高達(dá) 700mA 的輸出電流，因而使其非常適合汽車(chē)、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。
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IR推出新型DirectFET MOSFET
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導(dǎo)電損耗可比同類(lèi)解決方案減少30%。 單個(gè)采用SO-8封裝的IRF6648
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一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)稱(chēng)功率300W的逆變電源，用于家庭電風(fēng)扇、電視機(jī)，以及日常照明等是不成問(wèn)題的。300W逆變器，利用12V/60AH蓄電池向上述家用電器供電，一次充滿電后，可使用近5小時(shí)。不過(guò)，
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ROHM株式會(huì)社小型大功率封裝MOSFET MPT6
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社（總社設(shè)在京都市）最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率
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從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用
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功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
目前國(guó)內(nèi)大多數(shù)采用的長(zhǎng)延時(shí)熱脫扣試驗(yàn)方案是通過(guò)變壓器直接對(duì)斷路器施加一個(gè)電壓以獲得測(cè)試電流。在測(cè)試過(guò)程中，由于電網(wǎng)電壓的波動(dòng)、載流電路中引線電阻變化、負(fù)載本身電
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利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“
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MOSFET安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或
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安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車(chē)自動(dòng)空調(diào)的電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及分立元件等方案
在當(dāng)今的汽車(chē)設(shè)計(jì)中，空調(diào)已是標(biāo)準(zhǔn)的舒適性配置。從功能上講，當(dāng)今的汽車(chē)空調(diào)實(shí)際上是將加熱、制冷及通風(fēng)等功能一體化，成為汽車(chē)加熱、通風(fēng)空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)(本文將簡(jiǎn)稱(chēng)為&ld
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NexFETTM：新一代功率MOSFET
對(duì)于理想開(kāi)關(guān)的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開(kāi)關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開(kāi)關(guān)。作為負(fù)載開(kāi)關(guān)使用時(shí)，由于切換時(shí)
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電源設(shè)計(jì)小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常
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利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對(duì)更高功率密度的新挑戰(zhàn)
引言隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個(gè)人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)和政府體系等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。不過(guò)，與此同時(shí)，數(shù)據(jù)中
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電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱
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MOSFET陷缺貨潮，大中或借漲價(jià)提升毛利率
法人預(yù)期，MOSFET市場(chǎng)在缺貨效應(yīng)加持下，大中可望借由產(chǎn)品漲價(jià)提升毛利率，第三季獲利相較上季有機(jī)會(huì)明顯提升。
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電源設(shè)計(jì)小貼士28：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升——第1部分
在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的
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IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
導(dǎo)讀：全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司（International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR）日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.總所周知，IR不僅是全球功率
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討論在PFC中應(yīng)用的新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的特點(diǎn)
超級(jí)結(jié)（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術(shù)，在減少導(dǎo)通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通常需要折中權(quán)衡。有了較小的寄生電容，超級(jí)結(jié)MOSFET具有極快
