MOSFET
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厲害了！MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，可提供100%的占空比
亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices， Inc.，簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)，使其能夠保持無限期接通。LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
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安森美先進(jìn)的同步整流控制器FAN6248提高能效和可靠性并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
在電源設(shè)計(jì)中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導(dǎo)通損耗，提供更高的電流能力，實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而，傳統(tǒng)的同步整流在用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器時(shí)，會(huì)有不少的技術(shù)挑戰(zhàn)，如：1) 由于不同工作頻率造成最小導(dǎo)通時(shí)間設(shè)置的困難;2) 由于雜散電感造成過早的同步整流關(guān)斷，導(dǎo)通損耗增加;3) 輕載條件下由于電容電流尖峰導(dǎo)致同步整流電流反向，最終對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生不良影響。安森美半導(dǎo)體最新推出的同步整流控制器FAN6248，優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器，完美地解決上述挑戰(zhàn)，適用于
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美高森美攜手Analog Devices公司 以加快客戶設(shè)計(jì)和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬技術(shù)提供商Analog Devices公司宣布推出可擴(kuò)展碳化硅(SiC)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。這款雙碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)提供用戶友好的設(shè)計(jì)指南，并通過使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時(shí)間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過渡。
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Linear 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7000/-1
亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7000/-1，該器件采用高達(dá)
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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管
21IC訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管，包括無線充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽(yáng)能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。
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TI推出用于電機(jī)控制的業(yè)界最小柵極驅(qū)動(dòng)器和功率MOSFET解決方案
設(shè)計(jì)人員可以將空間有限的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率密度提高一倍近日，德州儀器 (TI) 推出兩款新型器件，有助于減小電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的尺寸和重量。當(dāng)兩者結(jié)合使用時(shí)，DRV832x無刷直流
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ST推出新款MDmesh MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管 提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
意法半導(dǎo)體推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，內(nèi)部增加一個(gè)快速恢復(fù)二極管的甚高壓(VHV)超結(jié)晶體管，這樣結(jié)構(gòu)有助于設(shè)計(jì)人員最大限度提升各種功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞哪苄?，包括?/p>
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Diodes 推出閘極驅(qū)動(dòng)器 簡(jiǎn)化馬達(dá)和電源供應(yīng)器中 MOSFET 與 IGBT 的切換
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 閘極驅(qū)動(dòng)器，皆為浮點(diǎn)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化了半橋組態(tài)下兩部 N 溝道 MOSFET 或兩部 IGBT 的切換。這些驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品適合工業(yè)自動(dòng)
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Diodes 推出 50V MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)ICs 可滿足電池供電 BLDC 馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)需求
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高頻閘極驅(qū)動(dòng) ICs，專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋組態(tài)下的兩部外接 N 溝道 MOSFET。50V 的額定值可滿足各種馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求，特別是無刷直流 (
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線)
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應(yīng)用
英飛凌科技股份公司壯大現(xiàn)有的CoolMOS 技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度。
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意法半導(dǎo)體(ST)同級(jí)領(lǐng)先的900V MOSFET管 提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh™ K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計(jì)人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級(jí)最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動(dòng)態(tài)特性。900V擊穿電壓確
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面向高功率密度應(yīng)用的集成化MOSFET調(diào)壓器可減少外圍器件數(shù)量
英飛凌科技股份公司)今日推出 IR3883，它是一種簡(jiǎn)單易用的全集成型高效直流-直流調(diào)壓器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散熱管理的高密度負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用。該器件非常適合用于網(wǎng)絡(luò)、電信、服務(wù)器和存儲(chǔ)解決方案。該調(diào)壓器搭載穩(wěn)定性增強(qiáng)引擎，在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí)，只需要純陶瓷電容就可以確保穩(wěn)定性。比較而言，其他解決方案需要額外配備用于保證穩(wěn)定性和紋波注入的外圍器件。因此，IR3883可減少多達(dá)5個(gè)外圍器件，可簡(jiǎn)化尺寸小于100平方毫米的電路板布局設(shè)計(jì)。
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功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略
本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
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Allegro發(fā)布第二代汽車級(jí)三相隔離器MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC
Allegro MicroSystems, LLC推出全新的N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，可以通過控制相內(nèi)(in-phase)隔離MOSFET器件來隔離三相負(fù)載。Allegro的A6862電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC適用于需要滿足
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Nexperia成為分立器件、邏輯器件與MOSFETs市場(chǎng)新勢(shì)力
前身為恩智浦 (NXP) 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)的Nexperia今天宣布，該公司已正式成為一家獨(dú)立公司。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，在北京建廣資產(chǎn)管理有限公司以及Wise Road Capital LTD(簡(jiǎn)稱：智路資本)聯(lián)合投資下，擁有前恩智浦部門所累積的專業(yè)知識(shí)、制造資源和主要員工，并致力于開拓產(chǎn)品新重點(diǎn)的承諾，成為獨(dú)立的世界級(jí)分立器件 (Discrete)、邏輯器件(Logic) 和MOSFETs 領(lǐng)導(dǎo)者。
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MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
引言即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中
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8中常見電源管理IC芯片介紹
在日常生活中，人們對(duì)電子設(shè)備的依賴越來越嚴(yán)重，電子技術(shù)的更新?lián)Q代，也同時(shí)意味著人們對(duì)電源的技術(shù)發(fā)展寄予厚望，下面就為大家介紹電源管理技術(shù)的主要分類。
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淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
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淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。
- 觀看華邦安全閃存技術(shù)研討會(huì)，分享你的設(shè)計(jì)安全小“芯”思
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第二期：傳感器賦予設(shè)備感知萬物之力
- 泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來襲，讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
- 學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計(jì)，完成測(cè)試
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，了解PI電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC超能力
- 分享設(shè)計(jì)槽點(diǎn)，尋找華邦電子為您帶來的小確幸
- 我與貿(mào)澤不得不說的秘密，如何讓選型和設(shè)計(jì)更輕松與愜意？
