MOSFET
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ST推出新款MDmesh MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管 提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
意法半導(dǎo)體推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，內(nèi)部增加一個(gè)快速恢復(fù)二極管的甚高壓(VHV)超結(jié)晶體管，這樣結(jié)構(gòu)有助于設(shè)計(jì)人員最大限度提升各種功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞哪苄?，包括?/p>
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Diodes 推出閘極驅(qū)動(dòng)器 簡化馬達(dá)和電源供應(yīng)器中 MOSFET 與 IGBT 的切換
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 閘極驅(qū)動(dòng)器，皆為浮點(diǎn)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，簡化了半橋組態(tài)下兩部 N 溝道 MOSFET 或兩部 IGBT 的切換。這些驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品適合工業(yè)自動(dòng)
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Diodes 推出 50V MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)ICs 可滿足電池供電 BLDC 馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)需求
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高頻閘極驅(qū)動(dòng) ICs，專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋組態(tài)下的兩部外接 N 溝道 MOSFET。50V 的額定值可滿足各種馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求，特別是無刷直流 (
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線)
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應(yīng)用
英飛凌科技股份公司壯大現(xiàn)有的CoolMOS 技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度。
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意法半導(dǎo)體(ST)同級(jí)領(lǐng)先的900V MOSFET管 提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh™ K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計(jì)人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級(jí)最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動(dòng)態(tài)特性。900V擊穿電壓確
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面向高功率密度應(yīng)用的集成化MOSFET調(diào)壓器可減少外圍器件數(shù)量
英飛凌科技股份公司)今日推出 IR3883，它是一種簡單易用的全集成型高效直流-直流調(diào)壓器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散熱管理的高密度負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用。該器件非常適合用于網(wǎng)絡(luò)、電信、服務(wù)器和存儲(chǔ)解決方案。該調(diào)壓器搭載穩(wěn)定性增強(qiáng)引擎，在簡化設(shè)計(jì)的同時(shí)，只需要純陶瓷電容就可以確保穩(wěn)定性。比較而言，其他解決方案需要額外配備用于保證穩(wěn)定性和紋波注入的外圍器件。因此，IR3883可減少多達(dá)5個(gè)外圍器件，可簡化尺寸小于100平方毫米的電路板布局設(shè)計(jì)。
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功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略
本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
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Allegro發(fā)布第二代汽車級(jí)三相隔離器MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC
Allegro MicroSystems, LLC推出全新的N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，可以通過控制相內(nèi)(in-phase)隔離MOSFET器件來隔離三相負(fù)載。Allegro的A6862電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC適用于需要滿足
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Nexperia成為分立器件、邏輯器件與MOSFETs市場(chǎng)新勢(shì)力
前身為恩智浦 (NXP) 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)的Nexperia今天宣布，該公司已正式成為一家獨(dú)立公司。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，在北京建廣資產(chǎn)管理有限公司以及Wise Road Capital LTD(簡稱：智路資本)聯(lián)合投資下，擁有前恩智浦部門所累積的專業(yè)知識(shí)、制造資源和主要員工，并致力于開拓產(chǎn)品新重點(diǎn)的承諾，成為獨(dú)立的世界級(jí)分立器件 (Discrete)、邏輯器件(Logic) 和MOSFETs 領(lǐng)導(dǎo)者。
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MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
引言即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中
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8中常見電源管理IC芯片介紹
在日常生活中，人們對(duì)電子設(shè)備的依賴越來越嚴(yán)重，電子技術(shù)的更新?lián)Q代，也同時(shí)意味著人們對(duì)電源的技術(shù)發(fā)展寄予厚望，下面就為大家介紹電源管理技術(shù)的主要分類。
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淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。
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淺談MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。
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堆疊PowerStack封裝電流獲得更高功率POL
電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調(diào)節(jié)器，發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應(yīng)地適應(yīng)
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意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。
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ROHM開發(fā)出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎ECU*1為首的電子化日益普及的各種車載應(yīng)用，開發(fā)出符合AEC-Q101*2標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET“AG009DGQ3”?！癆G009DGQ3”是實(shí)現(xiàn)高可靠性安裝、且安裝面積可比以往產(chǎn)品減少達(dá)64%的產(chǎn)品。
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“您碰巧在設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師?！澳銮稍谠O(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實(shí)碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1)
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TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積
