MOSFET
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
引言即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中
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8中常見電源管理IC芯片介紹
在日常生活中，人們對電子設(shè)備的依賴越來越嚴(yán)重，電子技術(shù)的更新?lián)Q代，也同時意味著人們對電源的技術(shù)發(fā)展寄予厚望，下面就為大家介紹電源管理技術(shù)的主要分類。
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淺談MOSFET驅(qū)動電路
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。
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淺談MOSFET驅(qū)動電路
在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。
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堆疊PowerStack封裝電流獲得更高功率POL
電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調(diào)節(jié)器，發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應(yīng)地適應(yīng)
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意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。
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ROHM開發(fā)出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎ECU*1為首的電子化日益普及的各種車載應(yīng)用，開發(fā)出符合AEC-Q101*2標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET“AG009DGQ3”?！癆G009DGQ3”是實現(xiàn)高可靠性安裝、且安裝面積可比以往產(chǎn)品減少達(dá)64%的產(chǎn)品。
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師。“您碰巧在設(shè)計中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師?！澳銮稍谠O(shè)計中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1)
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TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積
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Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，
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步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計
H橋功率驅(qū)動電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動。永磁步進(jìn)電機(jī)或混合式步進(jìn)電機(jī)的勵磁繞組都必須用雙極性電源供電，也就是說繞組有時需正向電流，有時需反向
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東芝推出適用于LED驅(qū)動器應(yīng)用中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先小尺寸、低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET
東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出小封裝尺寸的N溝道MOSFET，該MOSFET適用于LED驅(qū)動器應(yīng)用中的負(fù)載開關(guān)，包括汽車儀表盤儀表和前照燈以及LED電視背光燈，它們是業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？
MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)
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Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關(guān)電壓余量
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴(kuò)大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴(kuò)大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。
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基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流組件，不過
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功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析
功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進(jìn)行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器
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MOSFET開關(guān)損耗分析
摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動電路設(shè)計優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門
由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路
