MOSFET
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安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)大其寬廣
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安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)大其寬廣
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IR推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品
北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品
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基于MOSFET的焦耳小偷電路可提升電壓設(shè)計(jì)
簡單的間歇振蕩器電路可以用來借助線圈電感的屬性提升電壓(V=L di/dt)。這種電路如圖1所示，它更常見的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)電路。上述電路的輸出是電壓脈沖，可以
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大功率電源中MOSFET功率計(jì)算
也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實(shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會高達(dá)60A或更多，
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8種噪聲測試技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等
噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此
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Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案
器件是業(yè)內(nèi)首顆通過AEC-Q101認(rèn)證的完全無鉛的MOSFET，占位面積8mm x 8mm日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封裝40V
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Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用
30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達(dá)85%可靠性比額定結(jié)溫為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍21ic電源網(wǎng)訊 Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOS
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Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列
全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結(jié)合，為設(shè)計(jì)師提高靈活性Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II M
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e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS™與OptiMOS™系列功率MOSFET， 支持亞太區(qū)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)
英飛凌功率MOSFET是電信、太陽能、照明及汽車電子等工業(yè)應(yīng)用的理想選擇e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS™與OptiMOS™系
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Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機(jī)驅(qū)動和電感無線充電電路
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意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列
意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢
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Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量
21ic電源網(wǎng) Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級
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哪一個(gè)更簡單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？
我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識到“跑”這個(gè)單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個(gè)意
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Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET
其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點(diǎn)：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適
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德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻
采用5 mm x 6 mm QFN封裝并集成超低導(dǎo)通電阻的25 V和30 V器件21ic電源網(wǎng)訊 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低
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讓愛車如虎添翼：被動無鑰門禁系統(tǒng)
被動無鑰門禁概述：被動無鑰門禁，可能好多業(yè)界的朋友多對此相對陌生，它的出現(xiàn)讓車輛最大限度降低功耗，實(shí)現(xiàn)最高安全性，同時(shí)賦予高LF靈敏度和最大讀取距離。最小化的鑰匙FOB設(shè)計(jì)可通過高集成度實(shí)現(xiàn)，包括3D主動LF
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封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？
I.引言 高效率已成為開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)
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高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的主要設(shè)計(jì)考慮因素
在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計(jì)中，頭部、頸部、四肢的任何活動都需要各種各樣電機(jī)的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī)，但這些電機(jī)的驅(qū)動和控制要求各有不同，如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案?如何以
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Vishay發(fā)布首顆用于軟開關(guān)拓?fù)涞碾p片600V快速體二極管N溝道MOSFET
21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布600V EF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N
