MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能

所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競(jìng)爭(zhēng)愈來愈激烈，功能急劇增加，但是并未考慮到另外一個(gè)可能帶來產(chǎn)品失敗的因素。所有這

醫(yī)療電子
2014-04-28

MOSFET 負(fù)載開關(guān) Intel 隔離
基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

[導(dǎo)讀] 介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。該電路設(shè)計(jì)方案具有抗干擾能力強(qiáng)、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點(diǎn)。通過試驗(yàn)驗(yàn)證了該方案的正確性和可行性。關(guān)鍵詞：保護(hù)電路CPL

半導(dǎo)體
2014-04-25

器件保護(hù)電路 CPLD MOSFET
推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離

半導(dǎo)體
2014-04-24

器件工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 MOSFET
IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、

功率器件
2014-04-24

工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 STRONG MOSFET
工程師該如何選擇電源？

由于電子產(chǎn)品的風(fēng)靡，能夠用多種電源供電的設(shè)備已經(jīng)屢見不鮮了。例如，工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備大部分時(shí)間用電池供電，但一旦插入交流適配器或USB端口，就從交流

功率器件
2014-04-18

工程師電源 BSP MOSFET
如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

[導(dǎo)讀] 基于最近的趨勢(shì)，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄

半導(dǎo)體
2014-04-17

電感 EMI PCB設(shè)計(jì) MOSFET
凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用

凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發(fā)表用于9V至72V系統(tǒng)的汽車(H等級(jí))及高可靠性軍事(MP-grade)等級(jí)的理想二極體橋式控制器 LT4320 ，該元件可透過低損耗 N 通道 MOSFET 電橋取代全波橋式整流器，以降低10

半導(dǎo)體
2014-04-15

控制器凌力爾特汽車應(yīng)用 MOSFET
工程師該如何選擇電源？

[導(dǎo)讀] 在移動(dòng)系統(tǒng)的另一端，大型高可用性服務(wù)器機(jī)架內(nèi)至少有兩個(gè)電源，以在任何一個(gè)電源出故障時(shí)，保持服務(wù)器正常運(yùn)行。關(guān)鍵詞：供電處理器LTC4417LTC4370LTC4352電源

半導(dǎo)體
2014-04-11

工程師電源 LTC MOSFET
凌力爾特MOSFET驅(qū)動(dòng)器不需訊號(hào)變壓器

凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表高效率二次側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器LT8311。新元件省去隔離式同步順向轉(zhuǎn)換器所須的一次側(cè)控制，透過感測(cè)二次側(cè)訊號(hào)來控制同步整流；Preactive模式不須訊號(hào)變壓器

半導(dǎo)體
2014-04-10

驅(qū)動(dòng)器凌力爾特變壓器 MOSFET
Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器

凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器 LT8309 ，可透過 MOSFET取代輸出二極體，以達(dá)到10A輸出電流并無需散熱片。當(dāng)不使用散熱片時(shí)，反馳電源的最大輸出電流是由功耗和輸出二極體產(chǎn)生的熱而限

半導(dǎo)體
2014-04-09

驅(qū)動(dòng)器 Linear 同步整流器 MOSFET
Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝

半導(dǎo)體
2014-04-08

電子封裝 Vishay MOSFET
Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第

功率器件
2014-04-08

電子封裝 Vishay MOSFET
Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311 采用獨(dú)特的

功率器件
2014-04-03

驅(qū)動(dòng)器 Linear MIDDOT MOSFET
德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)

最新中壓功率 MOSFET 采用 TO-220 封裝包括最低導(dǎo)通電阻 80V 及 100V 器件德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 輸入電

功率器件
2014-03-26

電流電源設(shè)計(jì) MOSFET
Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

新器件的最短外爬電距離為10mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和

功率器件
2014-03-25

驅(qū)動(dòng)器 Vishay IGBT MOSFET
士蘭微為什么要自己做芯片制造?

【導(dǎo)讀】多年來，集成電路行業(yè)一直呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，集成電路的規(guī)模、速度不斷提高。然而隨著世界范圍內(nèi)集成電路生產(chǎn)線的大量建立，集成電路的發(fā)展也呈現(xiàn)周期性趨勢(shì)。一旦大量集成電路生產(chǎn)線建立起來以后，集成電路

半導(dǎo)體
2014-03-24

芯片制造微電子 SD MOSFET
TRINAMIC推出適用于步進(jìn)電機(jī)的全新MOSFET產(chǎn)品線

TRINAMIC宣布，推出一系列分立MOSFET集成電路芯片，這個(gè)系列是特別為TRINAMIC的熱門電機(jī)驅(qū)動(dòng)和預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片而設(shè)計(jì)的互補(bǔ)型產(chǎn)品。該全橋/半橋MOSFET封裝是驅(qū)動(dòng)線圈電流峰值在2.5A至5.5A，電壓30V至60V之間的步進(jìn)電機(jī)的理

模擬
2014-03-17

步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)芯片 TRINAMIC MOSFET
Vishay：開發(fā)中國(guó)重點(diǎn)市場(chǎng)

??? 近日，Vishay中國(guó)高級(jí)銷售總監(jiān)盧志強(qiáng)在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，因?yàn)橹袊?guó)市場(chǎng)相較其他國(guó)家增長(zhǎng)速度更快，所以競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，并將繼續(xù)帶來許多挑戰(zhàn)。由于4G的興起、電動(dòng)車細(xì)分市場(chǎng)對(duì)新能源解決方案的需

模擬
2014-03-10

通信汽車 Vishay MOSFET
Linear 推出汽車 (H 級(jí)) 和高可靠性軍用 (MP 級(jí)) 版本 LT4320

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽車 (H 級(jí)) 和高可靠性軍用 (MP 級(jí)) 版本 LT4320，該器件是一款理想二極管橋控制器，適用于 9V 至 72V 系統(tǒng)。

功率器件
2014-03-06

汽車 Linear MIDDOT MOSFET
Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q1

功率器件
2014-03-04

Vishay 導(dǎo)通電阻 RF MOSFET

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MOSFET

用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能

基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

工程師該如何選擇電源？

如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用

工程師該如何選擇電源？

凌力爾特MOSFET驅(qū)動(dòng)器不需訊號(hào)變壓器

Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器

Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311

德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)

Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器

士蘭微為什么要自己做芯片制造?

TRINAMIC推出適用于步進(jìn)電機(jī)的全新MOSFET產(chǎn)品線

Vishay：開發(fā)中國(guó)重點(diǎn)市場(chǎng)

Linear 推出汽車 (H 級(jí)) 和高可靠性軍用 (MP 級(jí)) 版本 LT4320

Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

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