MOSFET
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凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用
凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發(fā)表用于9V至72V系統(tǒng)的汽車(H等級)及高可靠性軍事(MP-grade)等級的理想二極體橋式控制器 LT4320 ，該元件可透過低損耗 N 通道 MOSFET 電橋取代全波橋式整流器，以降低10
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工程師該如何選擇電源？
[導(dǎo)讀] 在移動系統(tǒng)的另一端，大型高可用性服務(wù)器機(jī)架內(nèi)至少有兩個電源，以在任何一個電源出故障時，保持服務(wù)器正常運行。 關(guān)鍵詞：供電處理器LTC4417LTC4370LTC4352電源
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凌力爾特MOSFET驅(qū)動器不需訊號變壓器
凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表高效率二次側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)驅(qū)動器LT8311。新元件省去隔離式同步順向轉(zhuǎn)換器所須的一次側(cè)控制，透過感測二次側(cè)訊號來控制同步整流；Preactive模式不須訊號變壓器
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Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動器
凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動器 LT8309 ，可透過 MOSFET取代輸出二極體，以達(dá)到10A輸出電流并無需散熱片。當(dāng)不使用散熱片時，反馳電源的最大輸出電流是由功耗和輸出二極體產(chǎn)生的熱而限
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Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝
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Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎
采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第
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Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動器 LT8311
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動器 LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311 采用獨特的
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德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計
最新中壓功率 MOSFET 采用 TO-220 封裝包括最低導(dǎo)通電阻 80V 及 100V 器件德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 輸入電
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Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器
新器件的最短外爬電距離為10mm21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和
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士蘭微為什么要自己做芯片制造?
【導(dǎo)讀】多年來，集成電路行業(yè)一直呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢，集成電路的規(guī)模、速度不斷提高。然而隨著世界范圍內(nèi)集成電路生產(chǎn)線的大量建立，集成電路的發(fā)展也呈現(xiàn)周期性趨勢。一旦大量集成電路生產(chǎn)線建立起來以后，集成電路
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TRINAMIC推出適用于步進(jìn)電機(jī)的全新MOSFET產(chǎn)品線
TRINAMIC宣布，推出一系列分立MOSFET集成電路芯片，這個系列是特別為TRINAMIC的熱門電機(jī)驅(qū)動和預(yù)驅(qū)動芯片而設(shè)計的互補型產(chǎn)品。該全橋/半橋MOSFET封裝是驅(qū)動線圈電流峰值在2.5A至5.5A，電壓30V至60V之間的步進(jìn)電機(jī)的理
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Vishay：開發(fā)中國重點市場
??? 近日，Vishay中國高級銷售總監(jiān)盧志強在接受《中國電子報》記者采訪時表示，因為中國市場相較其他國家增長速度更快，所以競爭非常激烈，并將繼續(xù)帶來許多挑戰(zhàn)。由于4G的興起、電動車細(xì)分市場對新能源解決方案的需
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Linear 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320，該器件是一款理想二極管橋控制器，適用于 9V 至 72V 系統(tǒng)。
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Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET
采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q1
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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動 功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極
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用于車載USB供電的NCV8852
一 前言在目前的車載娛樂系統(tǒng)中，USB接口已經(jīng)成為系統(tǒng)的標(biāo)配。隨著大電池容量的便攜設(shè)備的流行，做為車載充電接口的USB電源，需要提高更大的電流以滿足設(shè)備的需要。目前主流
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飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用
2014年2月13日 –許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在
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Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對稱雙片TrenchFET® MOSFET
下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)
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Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)
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基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設(shè)計及仿真研究
絕緣體上硅（Silicon On Insulator,簡稱SOI）以其獨特的材料結(jié)構(gòu)有效克服了體硅材料的不足，使其在能夠成功應(yīng)用于輻照惡劣環(huán)境中。本文使用Sentaurus TCAD軟件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具設(shè)計一個0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件結(jié)構(gòu)，并且運用Sentaurus TCAD軟件中的Sentaurus Device工具進(jìn)行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真結(jié)果并得到設(shè)計的器件的閾值電壓（Vt
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