MOSFET
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熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
設(shè)計(jì)了一種利用熱插拔保護(hù)控制芯片，實(shí)現(xiàn)直流升壓電路的輸出過(guò)流、短路保護(hù)。本文分析了直流升壓電路以及熱插拔保護(hù)電路的工作原理及實(shí)現(xiàn)方式，詳細(xì)介紹了電路及參數(shù)設(shè)計(jì)、選擇過(guò)程，以及實(shí)際工作開(kāi)關(guān)波形，并給出了設(shè)計(jì)實(shí)例。實(shí)驗(yàn)證明，利用熱插拔保護(hù)控制芯片，有效地避免了常規(guī)直流升壓電路在輸出過(guò)流短路時(shí)的固有缺陷，提高了電源使用的可靠性。
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動(dòng)計(jì)算21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低
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政策扶持重點(diǎn) 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金發(fā)展期
據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)
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答疑解惑 盤(pán)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中的經(jīng)典問(wèn)答題
如何為開(kāi)關(guān)電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)?很多未使用過(guò)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的工程師會(huì)對(duì)它產(chǎn)生一定的畏懼心理，比如擔(dān)心開(kāi)關(guān)電源的干擾問(wèn)題，PCB layout問(wèn)題，元器件的參數(shù)和類型
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。EDN China創(chuàng)新獎(jiǎng)于2005年引入國(guó)內(nèi)，以表彰在中國(guó)市場(chǎng)上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場(chǎng)看好來(lái)自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長(zhǎng)，不過(guò)尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒(méi)有那么強(qiáng)烈，而公司除了力守PC市場(chǎng)MOSFET市占外，長(zhǎng)期規(guī)劃也將著眼于非PC市場(chǎng)
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場(chǎng)看好來(lái)自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長(zhǎng)，不過(guò)尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒(méi)有那么強(qiáng)烈，而公司除了力守PC市場(chǎng)MOSFET市占外，長(zhǎng)期規(guī)劃也將著眼于非PC市場(chǎng)
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場(chǎng)看好來(lái)自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長(zhǎng)，不過(guò)尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒(méi)有那么強(qiáng)烈，而公司除了力守PC市場(chǎng)MOSFET市占外，長(zhǎng)期規(guī)劃也將著眼于非PC市場(chǎng)
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Vishay推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的非對(duì)稱封裝雙芯片MOSFET
非對(duì)稱封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中可節(jié)省空間21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱PowerPAK® SO
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Vishay推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的非對(duì)稱封裝雙芯片MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Si
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MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能
面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來(lái)構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介：移動(dòng)功能市場(chǎng)需求移動(dòng)電話滲透率在已開(kāi)發(fā)市場(chǎng)達(dá)到了
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MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能
面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來(lái)構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介：移動(dòng)功能市
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸，可用于移動(dòng)計(jì)算，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至8.0mΩ21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款
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淺析影響DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的主要因素
本文詳細(xì)介紹了開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中各個(gè)元器件損耗的計(jì)算和預(yù)測(cè)技術(shù)，并討論了提高開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點(diǎn)，以選擇最合適的芯片來(lái)達(dá)到高效指標(biāo)。本文介紹了影響開(kāi)關(guān)電
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Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動(dòng)力車/電動(dòng)車功率變換器
科銳公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣銳特科技有限公司宣布：欣銳特最新推出的高效混合動(dòng)力車/電動(dòng)車（HEV/EV）功率變換器中采用科銳1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高達(dá)96%，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先。欣銳特是一
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動(dòng)力車/電動(dòng)車功率變換器，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的96%效率|| 欣銳特與科銳密切合作，設(shè)立一流電動(dòng)汽車功率變換器的新標(biāo)桿
2013 年 11月 18日，中國(guó)上海訊 — 科銳公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣銳特科技有限公司宣布：欣銳特最新推出的高效混合動(dòng)力車/電動(dòng)車（HEV/EV）功率變換器中采用科銳1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高達(dá)96
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動(dòng)力車
科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動(dòng)力車/電動(dòng)車功率變換器，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的96%效率 欣銳特與科銳密切合作，設(shè)立一流電動(dòng)汽車功率變換器的新標(biāo)桿 2013 年 11月 18日，科銳公司(Nasdaq: CREE)和深圳欣銳特科技有限公
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