MOSFET
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Vishay推出通過AEC-Q101認(rèn)證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
非對稱封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中可節(jié)省空間21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對稱PowerPAK® SO
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Vishay推出通過AEC-Q101認(rèn)證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Si
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MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動功能
面臨為需求若渴的移動設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。簡介：移動功能市場需求移動電話滲透率在已開發(fā)市場達(dá)到了
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MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動功能
面臨為需求若渴的移動設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。簡介：移動功能市
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸，可用于移動計(jì)算，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至8.0mΩ21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款
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淺析影響DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的主要因素
本文詳細(xì)介紹了開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計(jì)算和預(yù)測技術(shù)，并討論了提高開關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點(diǎn)，以選擇最合適的芯片來達(dá)到高效指標(biāo)。本文介紹了影響開關(guān)電
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Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器
科銳公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣銳特科技有限公司宣布：欣銳特最新推出的高效混合動力車/電動車（HEV/EV）功率變換器中采用科銳1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高達(dá)96%，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先。欣銳特是一
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的96%效率|| 欣銳特與科銳密切合作，設(shè)立一流電動汽車功率變換器的新標(biāo)桿
2013 年 11月 18日，中國上海訊 — 科銳公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣銳特科技有限公司宣布：欣銳特最新推出的高效混合動力車/電動車（HEV/EV）功率變換器中采用科銳1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高達(dá)96
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車
科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的96%效率 欣銳特與科銳密切合作，設(shè)立一流電動汽車功率變換器的新標(biāo)桿 2013 年 11月 18日，科銳公司(Nasdaq: CREE)和深圳欣銳特科技有限公
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SiC半導(dǎo)體元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實(shí)用化
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖
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德州儀器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻
小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。
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數(shù)字供電和模擬供電
數(shù)字供電和常見的模擬供電不同，前者采用了數(shù)字PWM，體積更小的整合了數(shù)字MOSFET和DRIVER的芯片，以及體積更小的數(shù)字排感，搭配多個MLCC;而模擬供電不同，采用傳統(tǒng)的PWM芯片
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三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問題設(shè)計(jì)方案
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問題，因?yàn)樗矐B(tài)過程很難捕捉。以半橋變換器為例，其典型驅(qū)動電路如下圖a)所示，理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。 但是
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恩智浦推出首款采用1.1-mm2無鉛塑料封裝的3 A晶體管
高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開關(guān)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分
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ST PNP電晶體兼具M(jìn)OSFET能效與板空間使用效率
意法半導(dǎo)體(ST)最新的雙載子功率電晶體 3STL2540 ， 提供雙載子電晶體的成本優(yōu)勢與矽晶面積使用效率，同時兼具同等級 MOSFET 的能效，為設(shè)計(jì)人員提供一個節(jié)省空間的低成本電源管理和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器(DC-DC convert
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SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實(shí)用化
“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。 在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚
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怎樣做好LED照明設(shè)計(jì)
LED光源具有節(jié)能、環(huán)保、發(fā)光均勻、使用壽命長、光色RGB的發(fā)光強(qiáng)度能連續(xù)變化，并可按照環(huán)境整體要求進(jìn)行編程控制等傳統(tǒng)光源無法比擬的優(yōu)勢，在照明設(shè)計(jì)產(chǎn)品應(yīng)用過程中，越來越成為燈光設(shè)計(jì)師們的首選光源。而在LED照明設(shè)計(jì)中我們要先了解LED照明的設(shè)計(jì)理念。
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淺析影響DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的主要因素
效率是任何開關(guān)電源（SMPS）的重要指標(biāo)，特別是便攜式產(chǎn)品，延長電池使用壽命是一項(xiàng)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)目標(biāo)。對于空間受限的設(shè)計(jì)或者是無法投入成本解決功率耗散問題的產(chǎn)品，高效率也是改善系統(tǒng)熱管理的必要因素。
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IR推出AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET 提供更高功率密度及更小的系統(tǒng)尺寸和成本
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用，包括
