MOSFET
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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯總
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng) 功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極
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用于車載USB供電的NCV8852
一 前言在目前的車載娛樂系統(tǒng)中，USB接口已經(jīng)成為系統(tǒng)的標(biāo)配。隨著大電池容量的便攜設(shè)備的流行，做為車載充電接口的USB電源，需要提高更大的電流以滿足設(shè)備的需要。目前主流
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飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用
2014年2月13日 –許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在
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Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET® MOSFET
下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)
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Vishay發(fā)布高性能非對(duì)稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)
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基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設(shè)計(jì)及仿真研究
絕緣體上硅（Silicon On Insulator,簡稱SOI）以其獨(dú)特的材料結(jié)構(gòu)有效克服了體硅材料的不足，使其在能夠成功應(yīng)用于輻照惡劣環(huán)境中。本文使用Sentaurus TCAD軟件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具設(shè)計(jì)一個(gè)0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件結(jié)構(gòu)，并且運(yùn)用Sentaurus TCAD軟件中的Sentaurus Device工具進(jìn)行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真結(jié)果并得到設(shè)計(jì)的器件的閾值電壓（Vt
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熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
設(shè)計(jì)了一種利用熱插拔保護(hù)控制芯片，實(shí)現(xiàn)直流升壓電路的輸出過流、短路保護(hù)。本文分析了直流升壓電路以及熱插拔保護(hù)電路的工作原理及實(shí)現(xiàn)方式，詳細(xì)介紹了電路及參數(shù)設(shè)計(jì)、選擇過程，以及實(shí)際工作開關(guān)波形，并給出了設(shè)計(jì)實(shí)例。實(shí)驗(yàn)證明，利用熱插拔保護(hù)控制芯片，有效地避免了常規(guī)直流升壓電路在輸出過流短路時(shí)的固有缺陷，提高了電源使用的可靠性。
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動(dòng)計(jì)算21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低
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政策扶持重點(diǎn) 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金發(fā)展期
據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)
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答疑解惑 盤點(diǎn)在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的經(jīng)典問答題
如何為開關(guān)電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)?很多未使用過開關(guān)電源設(shè)計(jì)的工程師會(huì)對(duì)它產(chǎn)生一定的畏懼心理，比如擔(dān)心開關(guān)電源的干擾問題，PCB layout問題，元器件的參數(shù)和類型
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。EDN China創(chuàng)新獎(jiǎng)于2005年引入國內(nèi)，以表彰在中國市場上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒有那么強(qiáng)烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒有那么強(qiáng)烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒有那么強(qiáng)烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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Vishay推出通過AEC-Q101認(rèn)證的非對(duì)稱封裝雙芯片MOSFET
非對(duì)稱封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中可節(jié)省空間21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱PowerPAK® SO
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Vishay推出通過AEC-Q101認(rèn)證的非對(duì)稱封裝雙芯片MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對(duì)稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Si
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MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能
面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。簡介：移動(dòng)功能市場需求移動(dòng)電話滲透率在已開發(fā)市場達(dá)到了
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MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能
面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。簡介：移動(dòng)功能市
