MOSFET
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用多相DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高性能ASIC和微處理器
多相DC-DC轉(zhuǎn)換器引出當(dāng)今的高性能ASIC和微處理器己廣泛應(yīng)用工控、通信航天等各個(gè)領(lǐng)域。但由于它的功率消耗較高，有時(shí)高達(dá)150W甚至超過，對(duì)于1V至1.5V的電源電壓，這些器件所
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新LGA封裝MOSFET提升智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用的能效
安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用
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東芝推出用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的新型MOSFET \"SSM3K337R\"
有源箝位結(jié)構(gòu)可以預(yù)防電感負(fù)載關(guān)閉時(shí)的過電壓東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，該公司已經(jīng)推出了用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)"SSM3K33
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東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)(Symposia o
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東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)
21ic訊 東芝公司今天宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路
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模擬技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)四十四條
1.集成運(yùn)算放大器是一種高增益直接耦合放大器，他作為基本的電子器件，可以實(shí)現(xiàn)多種功能電路，如電子電路中的比例，積分，微分，求和，求差等模擬運(yùn)算電路。2.運(yùn)算放大器工作在兩個(gè)區(qū)域：在線性區(qū)，他放大小信號(hào);輸入
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閉環(huán)速度控制
閉環(huán)速度控制
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數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率
隨著能源價(jià)格的上漲和各項(xiàng)“環(huán)保”計(jì)劃的成功開展，私營公司和政府監(jiān)管部門對(duì)電源制造商的要求逐漸提高。歐盟委員會(huì)(歐盟(EU)的執(zhí)行機(jī)構(gòu))和美國環(huán)境保護(hù)署(EPA)對(duì)服務(wù)器電源的要求進(jìn)一步升級(jí)，現(xiàn)已涵蓋各種
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安森美推出兩款新的LGA封裝MOSFET 助力提高移動(dòng)設(shè)備能效及電池使用時(shí)間
單節(jié)及雙節(jié)鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路因高性能倒裝芯片MOSFET而受益21ic訊 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為
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增強(qiáng)型N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)的電池反接保護(hù)電路
功率場效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路1.電池反接保護(hù)電路電池反接保護(hù)電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時(shí)，PN結(jié)反接無電壓降，但在正常工 作時(shí)有0.6～0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電
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場效應(yīng)管常見問題與解答
1 場效應(yīng)管的性能與雙極型三極管比較具有哪些特點(diǎn)?答：場效應(yīng)管是另一種半導(dǎo)體放大器件。在場效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故稱為單極型三極管;而普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱為雙極型
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基于MC33262的高功率因數(shù)AC/DC變換器研制
以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設(shè)計(jì)了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變 換器. 對(duì)該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95～250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達(dá)到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.
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數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率
隨著能源價(jià)格的上漲和各項(xiàng)“環(huán)保”計(jì)劃的成功開展，私營公司和政府監(jiān)管部門對(duì)電源制造商的要求逐漸提高。歐盟委員會(huì)(歐盟(EU)的執(zhí)行機(jī)構(gòu))和美國環(huán)境保護(hù)署(EPA)對(duì)
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英飛凌推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7
英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外，得
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飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問題
單個(gè)封裝中的四個(gè)60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間21ic訊 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)
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搭配電感拓?fù)?，利用小訊?hào)MOSFET降低電源轉(zhuǎn)換功耗
現(xiàn)代的電子裝置設(shè)計(jì)須提供多個(gè)不同的直流(DC)電壓，導(dǎo)致內(nèi)部電路須透過升壓與降壓方式轉(zhuǎn)換電壓，為裝置中負(fù)責(zé)不同功能單元供電;其中，在高效率DC-DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)方面，以電
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針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W)，并且常常會(huì)把電
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常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)
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新日本無線推出一款內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933
新日本無線株式會(huì)社開發(fā)出了一款600mA, 500kHz的小型封裝降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933，該穩(wěn)壓器最適于逆變器、程控器等產(chǎn)業(yè)設(shè)備電源及汽車電子配件。此產(chǎn)品已經(jīng)開始進(jìn)入生產(chǎn)階
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東芝：恪守電源設(shè)備承諾
東芝公司(Toshiba)(TOKYO:6502)：電源設(shè)備為戰(zhàn)略性產(chǎn)品，是分立器件部門的主推業(yè)務(wù)。在電源電子領(lǐng)域，東芝的重點(diǎn)放在MOSFET和IGBT的開發(fā)上，它們是保證高效穩(wěn)定供電所不可或缺的設(shè)備，也是促進(jìn)智能社區(qū)繁榮的先決條件
