MOSFET
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閉環(huán)速度控制
閉環(huán)速度控制
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數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率
隨著能源價(jià)格的上漲和各項(xiàng)“環(huán)保”計(jì)劃的成功開(kāi)展，私營(yíng)公司和政府監(jiān)管部門(mén)對(duì)電源制造商的要求逐漸提高。歐盟委員會(huì)(歐盟(EU)的執(zhí)行機(jī)構(gòu))和美國(guó)環(huán)境保護(hù)署(EPA)對(duì)服務(wù)器電源的要求進(jìn)一步升級(jí)，現(xiàn)已涵蓋各種
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安森美推出兩款新的LGA封裝MOSFET 助力提高移動(dòng)設(shè)備能效及電池使用時(shí)間
單節(jié)及雙節(jié)鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路因高性能倒裝芯片MOSFET而受益21ic訊 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為
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增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的電池反接保護(hù)電路
功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路1.電池反接保護(hù)電路電池反接保護(hù)電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時(shí)，PN結(jié)反接無(wú)電壓降，但在正常工 作時(shí)有0.6～0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電
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場(chǎng)效應(yīng)管常見(jiàn)問(wèn)題與解答
1 場(chǎng)效應(yīng)管的性能與雙極型三極管比較具有哪些特點(diǎn)?答：場(chǎng)效應(yīng)管是另一種半導(dǎo)體放大器件。在場(chǎng)效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故稱(chēng)為單極型三極管;而普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱(chēng)為雙極型
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基于MC33262的高功率因數(shù)AC/DC變換器研制
以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設(shè)計(jì)了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變 換器. 對(duì)該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95～250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達(dá)到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.
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數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率
隨著能源價(jià)格的上漲和各項(xiàng)“環(huán)保”計(jì)劃的成功開(kāi)展，私營(yíng)公司和政府監(jiān)管部門(mén)對(duì)電源制造商的要求逐漸提高。歐盟委員會(huì)(歐盟(EU)的執(zhí)行機(jī)構(gòu))和美國(guó)環(huán)境保護(hù)署(EPA)對(duì)
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英飛凌推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7
英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS(on)。另外，得
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飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問(wèn)題
單個(gè)封裝中的四個(gè)60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間21ic訊 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過(guò)熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)
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搭配電感拓?fù)?，利用小訊?hào)MOSFET降低電源轉(zhuǎn)換功耗
現(xiàn)代的電子裝置設(shè)計(jì)須提供多個(gè)不同的直流(DC)電壓，導(dǎo)致內(nèi)部電路須透過(guò)升壓與降壓方式轉(zhuǎn)換電壓，為裝置中負(fù)責(zé)不同功能單元供電;其中，在高效率DC-DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)方面，以電
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針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W)，并且常常會(huì)把電
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常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
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新日本無(wú)線(xiàn)推出一款內(nèi)置MOSFET降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933
新日本無(wú)線(xiàn)株式會(huì)社開(kāi)發(fā)出了一款600mA, 500kHz的小型封裝降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933，該穩(wěn)壓器最適于逆變器、程控器等產(chǎn)業(yè)設(shè)備電源及汽車(chē)電子配件。此產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入生產(chǎn)階
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東芝：恪守電源設(shè)備承諾
東芝公司(Toshiba)(TOKYO:6502)：電源設(shè)備為戰(zhàn)略性產(chǎn)品，是分立器件部門(mén)的主推業(yè)務(wù)。在電源電子領(lǐng)域，東芝的重點(diǎn)放在MOSFET和IGBT的開(kāi)發(fā)上，它們是保證高效穩(wěn)定供電所不可或缺的設(shè)備，也是促進(jìn)智能社區(qū)繁榮的先決條件
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東芝推出600V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)MOSFET DTMOSIV高速二極管系列
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)推出了基于第四代600V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二極管。新系列采用最新的單外延工藝打造，其每單位面積導(dǎo)通電阻(RON•A)較現(xiàn)有產(chǎn)
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在半橋諧振轉(zhuǎn)換器中提升次級(jí)端同步整流器功率效率的控制方法分析
溫室效應(yīng)和日漸枯竭的地球資源使得功率電路設(shè)計(jì)中的節(jié)能要求變得越來(lái)越重要。設(shè)計(jì)人員正在尋求效率更高、功耗更低的解決方案，以期減少不必要的能量損失。利用諧振電感和諧
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估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升（2部分）
本文中，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖 3 所示公開(kāi)刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線(xiàn))部分進(jìn)行了對(duì)比。 圖 1 將散熱容加到 DC 電氣模擬電路上根據(jù) CSD17312Q5 MOSFET、引線(xiàn)
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MOSFET功率整流橋電路
本電路一定要使用的分隔，或1%的電阻，甚至0.1%的電阻。周?chē)腡L084控制電路是由整流電壓供電，所以一個(gè)輔助電源是不必要的。
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簡(jiǎn)易V-MOSFET調(diào)光燈電路
簡(jiǎn)易V-MOSFET調(diào)光燈電路
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科銳宣布量產(chǎn)第二代碳化硅 MOSFET器件
顯著降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本 新型器件可提供雙倍A/$ 碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相對(duì)于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器
