MOSFET
-
Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產品獎。Si7655DN是業(yè)內首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻只
-
Linear 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V 的輸入電壓工作，在高達 100V 瞬態(tài)時
-
麥瑞半導體推出85V半橋MOSFET驅動器 集成陰極負載二極管且有最寬可編程柵極驅動電壓范圍
和用于電池供電應用的現(xiàn)有器件相比，該解決方案可把工作時間延長40%21ic訊 麥瑞半導體公司今天推出了85V半橋MOSFET驅動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)
-
解析LED驅動市場的產業(yè)現(xiàn)狀及其未來趨勢
在LED照明市場的強勁驅動下，也帶動LED驅動市場成長，LED驅動規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場研究機構預測，LED驅動IC市場營收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達到近35億美元，期間平均復合年成長率為12%。該機構并指出，
-
LED驅動市場現(xiàn)狀及趨勢
在LED照明市場的強勁驅動下，也帶動LED驅動市場成長，LED驅動規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場研究機構預測，LED驅動IC市場營收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達到近35億美元，
-
PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器
PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器：“PhotoMOS”是松下電器的一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面世二十年間，在全世界的銷量達到八億個，
-
恩智浦推出NextPowerS3——可提供帶軟恢復功能的超快速開關性能的MOSFET
業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特
-
美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準RF和寬帶通信應用
VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列，兩款更大功率
-
新能源開發(fā)為功率器件市場帶來新機遇
【導讀】從目前國內新能源市場的開發(fā)進展來看，主要熱點集中在可再生能源、新能源汽車等領域。 可再生能源又可分為風力發(fā)電和太陽能光伏發(fā)電兩種，對于這兩大市場，三菱電機機電(上海)有限公司半導體事業(yè)部市場營
-
新能源為功率器件市場帶來新商機
功率半導體的應用范圍日益廣泛，不同的應用對于器件的要求也不盡相同，這使得廠商開始走向行業(yè)化解決方案的道路。國際整流器公司(IR)亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉指出，功率器件
-
東芝為移動設備的高電流充電電路推超緊湊型MOSFET
東芝公司(Toshiba Corporation)已經為智能手機和平板電腦等移動設備的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。隨著更多功能添加至智能手機和手機、平板電腦和筆記本電腦等移動設備以及對它們的電
-
東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容
21ic訊 低導通電阻可減少移動設備的傳導損失東芝公司宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設備鋰離子電池和電源管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導
-
如何設計一個合適的系統(tǒng)電源（上）
對于現(xiàn)在一個電子系統(tǒng)來說，電源部分的設計也越來越重要，我想通過和大家探討一些自己關于電源設計的心得，來個拋磚引玉，讓我們在電源設計方面能夠都有所深入和長進。Q1：
-
中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權
根據(jù)新華社華盛頓8月8號消息，在美國《科學》雜志刊登一個報告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項
-
中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權
根據(jù)新華社華盛頓8月8號消息，在美國《科學》雜志刊登一個報告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項
-
東芝高壓MOSFET “πMOS VIII”系列已量產
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產。通過優(yōu)化芯片設計，可將其每單
-
東芝650V系統(tǒng)超級結MOSFET“DTMOS IV”系列8月量產
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近宣布推出第四代超級結MOSFET“DTMOS IV”系列650V設備。作為該系列的首款產品，“TK14A65W”已經推出，并計劃于2013年8月全面投入量產。該系列采用最
-
中國發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權
根據(jù)新華社華盛頓8月8號消息，在美國《科學》雜志刊登一個報告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解，這項
-
MOSFET柵陷測試振蕩器電路圖
接地的外流科爾皮茲振蕩器的輸出使用美國無線電公司的N通道雙柵場效應管，Q1是由CR1檢測的，被Q2放大，可用來驅動振蕩器。振蕩頻率是由C1，C2，C3和L1決定的，當L1減小時，頻率可達到250MHz。表格給出了9個頻率范圍內
-
中國發(fā)明半浮柵晶體管 有助獲得芯片制造話語權
近日消息，中國研究人員在美國《科學》雜志上報告說，在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。 據(jù)介紹，它的成功研制將有助我國掌握
