MOSFET
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沖電氣（OKI）向安森美半導體歐洲工廠提供排氣處理設備
東京, 2013年3月12日 - (亞太商訊) - 沖電氣（OKI）報導，沖電氣集團（OKI）旗下的提供可靠性評估和環(huán)保技術服務的沖工程技術株式會社（社長：淺井裕，總公司：日本東京都練馬區(qū)，以下簡稱“OEG”）向半導體生產廠商
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東芝將為移動設備的直流-直流轉換器推出高速雙N溝道MOSFET
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)宣布，該公司為智能手機和平板電腦等移動設備的大電流充電電路高速開關推出一款低電容雙N溝道MOSFET。隨著智能手機、蜂窩手機、平板電腦和筆記本電腦等移動設備不斷增添新功能
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TL5001做的10V轉5V電路，大電流
TL5001另外一個降壓電路，10V降壓至5V，電流3A，功率不小，使用貼片的N溝道MOSFET.體積很小。驅動具有自舉哦。要不能只能使用P溝道的MOSFET了，其實P溝道的MOSFET不常用，如
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Yole ：SJ MOSFET優(yōu)勢明顯 市場前景大好
市場研究機構 Yole Developpement 推出超接面金氧半場效電晶體(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市場更新報告，深度剖析高壓(400伏特以上) SJ MOSFET 市場指標與預測
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MOSFET結構及工作原理
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
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IR推出AUIR3200S MOSFET驅動IC為汽車繼電器更換和電池開關提供更佳保護和診斷功能
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅動IC。新產品具有全面保護和診斷功能，為繼電器更換和電池開關應用提供更高的可靠性
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數(shù)字和模擬電源分合有道
只要是電子設備，就離不開電源。相對于高速發(fā)展的MCU和射頻等技術，電源IC盡管發(fā)展很慢，但也從早期的線性電源占主導地位，發(fā)展到模擬開關電源占統(tǒng)治地位，再到數(shù)字電源的出現(xiàn)改寫了電源市場的格局。 數(shù)字和模
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MOSFET在單通道降壓轉換器驅動投影儀RGB LED的應用
本應用筆記提供了一個低功耗投影儀RGB LED驅動器的參考設計?；趩涡酒琈AX16821構建大電流LED驅動器，能夠為一組降壓驅動的RGB LED提供高達10A的電流，通/斷時間小于1us。
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飛兆半導體公布2012年度報告 總收入14億美元
飛兆半導體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財報。財報顯示，飛兆半導體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬美元，經過調整后的凈利潤為1230萬美元，毛利率為29.8%。2012年
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羅姆半導體正式量產碳化硅MOSFET模組
日本半導體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調節(jié)器（Power conditioner）等變流器/轉換器（inverter/converter）的碳化硅（SiC） MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產。該模組采用了將功
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飛兆半導體公布2012年度財報 總收入14億美元
飛兆半導體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財報。財報顯示，飛兆半導體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬美元，經過調整后的凈利潤為1230萬美元，毛利率為29.8%。2012年
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飛兆半導體2012年總收入14億美元
飛兆半導體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財報。 財報顯示，飛兆半導體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬美元，經過調整后的凈利潤為1230萬美元，毛利率為29.8%。2012年
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常用功率器件MOSFET基礎介紹
我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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東芝推出新款IGBT/MOSFET門驅動光電耦合器
工作溫度范圍為-40°C至125°C，有助于減少逆變電路的死區(qū)時間，提高效率東芝公司(Toshiba Corporation今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的
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選擇最佳MOSFET的方法
MOS管現(xiàn)在在很多注重電源性能的便攜產品中越來越多用來替代二極管用于同步整流，但是如何選型非常講究，相信大部分童鞋都不太有底，特別是面對眾多供應商、各種產品型號、多種參數(shù)，等等。以英飛凌的低壓MOS管為例，
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中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET
中國科學院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國本土設計與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導工藝研發(fā)？？
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數(shù)字電源控制技術新保障 不依賴數(shù)字控制信號的MOSFET驅動器
UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅動器的支持。電源設計人員仍然對數(shù)字電源控制技術心存疑慮。他們經常將PC的藍屏現(xiàn)象歸咎于軟件
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第三代半導體材料雙雄并立，難分高下
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導體材料的雙雄。Si
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飛兆半導體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產品
21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產品，幫助設計人員解決這些挑戰(zhàn)。SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產品系列推出，這些MOSFET的輸出電容具有
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如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法
如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法
