MOSFET
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Vishay Intertechnology推出兩款低導(dǎo)通電阻MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si54
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同步降壓MOSFET電阻比的選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
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恩智浦發(fā)布汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)
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USB充電解決方案：高效 AC 適配器
通用串行總線(USB)充電已經(jīng)成為小型電子產(chǎn)品的一種常見供電方法。許多新型消費(fèi)類電子設(shè)備(例如：智能手機(jī)、平板電腦、電子閱讀器等)的AC電源適配器/電池充電器的功率范圍均
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如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET
雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)易方法
本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通
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中電壓MOSFET可以減少優(yōu)異圖
功率密度和輕負(fù)載效率的提高是關(guān)鍵問題，服務(wù)器，電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)師。此外，在這些開關(guān)模式電源的同步整流（SMPS）設(shè)計(jì)要求符合成本效益的電源解決方案，最大限度地減少電路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。仙童
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無錫新潔能功率半導(dǎo)體有限公司
地 址：江蘇省無錫市濱湖區(qū)高浪東路999號(hào)啟航大廈8樓郵 編：214131電 話：0510-85629718傳 真：0510-85627839網(wǎng) 站：www.ncepower.com電子郵件：caik@ncepo
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北京落木源電子技術(shù)有限公司
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深圳市環(huán)球眾一科技有限公司
深圳冠順微電子有限公司(原深圳市伊順電子科技有限公司)地 址：廣東省深圳市南山區(qū)西麗鎮(zhèn)留仙洞工業(yè)區(qū)康達(dá)工業(yè)園6棟6樓郵 編：518034電 話：0755-82968940傳 真
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深圳冠順微電子有限公司（原深圳市伊順電子科技有限公司）
深圳冠順微電子有限公司（原深圳市伊順電子科技有限公司）地 址：廣東省深圳市南山區(qū)西麗鎮(zhèn)留仙洞工業(yè)區(qū)康達(dá)工業(yè)園6棟6樓郵 編：518034電 話：0755-82968940傳
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飛兆半擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列
提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問題。此外，這些開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性價(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小
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詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)
汽車上許多組建的多元應(yīng)用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá)，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計(jì)人員為了增加車上電子
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹
我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容
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瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET
21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這
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基于高壓背光逆變器的液晶電視性能改善方法
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
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MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡(jiǎn)介
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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智能功率模塊：走向小型化與高效能
使用BLDC馬達(dá)進(jìn)行節(jié)能處處可見，可以說是塵埃落定。其挑戰(zhàn)在于以合理的成本在馬達(dá)里集成一個(gè)復(fù)雜的電子控制電路，從而為用戶提供服務(wù)。優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路對(duì)馬達(dá)具有巨大的提升性能的潛力，功率驅(qū)動(dòng)電路就像微控制
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智能功率模塊：走向小型化與高效能
使用BLDC馬達(dá)進(jìn)行節(jié)能處處可見，可以說是塵埃落定。其挑戰(zhàn)在于以合理的成本在馬達(dá)里集成一個(gè)復(fù)雜的電子控制電路，從而為用戶提供服務(wù)。優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路對(duì)馬達(dá)具有巨大的提升性能的潛力，功率驅(qū)動(dòng)電路就像微控制
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飛兆半導(dǎo)體推出低功率LED驅(qū)動(dòng)器集成MOSFET
21ic訊 隨著LED照明市場(chǎng)持續(xù)增長，設(shè)計(jì)人員需要能夠適合有限的線路板占位面積、滿足電路保護(hù)和系統(tǒng)可靠性要求并簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈物流，同時(shí)符合全球能源法規(guī)要求的解決方案。為了幫助設(shè)計(jì)人員滿足這些要求，飛兆半導(dǎo)體公司
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