MOSFET
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東芝推出用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的新型MOSFET \"SSM3K337R\"
有源箝位結(jié)構(gòu)可以預(yù)防電感負(fù)載關(guān)閉時(shí)的過電壓東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，該公司已經(jīng)推出了用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)"SSM3K33
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東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列
可將導(dǎo)通電阻降低約24%東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并
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東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計(jì)劃于2013年8月投入量產(chǎn)。通過優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)，可將其每單
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東芝推出650V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設(shè)備。作為該系列的首款產(chǎn)品，“TK14A65W”已經(jīng)推出，并計(jì)劃于2013年8月全面投入量產(chǎn)。該系列采用最
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東芝推出650V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列
實(shí)現(xiàn)頂級(jí)1低導(dǎo)通電阻性能東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設(shè)備。作為該系列的首款產(chǎn)品，“TK14A65W&rdq
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UC3625無刷直流電動(dòng)機(jī)開環(huán)速度控制
UC3625無刷直流電動(dòng)機(jī)開環(huán)速度控制
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凌力爾特LT4320不再為散熱題而憂 LT3081寬SOA讓工業(yè)應(yīng)用有更多選擇
6月下旬，凌力爾特向業(yè)界推出LT4320 、LT3081兩款新品。為此，凌力爾特召開了新品發(fā)布會(huì)，21ic記者也受邀參加。如今，幾乎所有產(chǎn)生的電能都是 AC型的，而電子系統(tǒng)所需要的則為DC型。即使是傳統(tǒng)上只接受交流電的設(shè)備也
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12V電源電路
系統(tǒng)5V或3.5V時(shí)，MOSFET驅(qū)動(dòng)，同時(shí)需要相當(dāng)數(shù)量的元件，產(chǎn)生額外的+12V電壓，但典型的雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器不可能采用第二個(gè)通道驅(qū)動(dòng)12V電源，通過在獨(dú)立引腳上使用漏極驅(qū)動(dòng)器，可
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Vishay利用PowerPAK封裝的新款-40V和-30V MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay
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東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容
低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過“TPN2R203NC”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和功率管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用
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飛兆半導(dǎo)體推出新型 MOTION SPM 5系列產(chǎn)品
為小型家用電器提供熱感應(yīng)和穩(wěn)定的電磁干擾性能，模塊經(jīng)過優(yōu)化，能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下確保效率及最高可靠性21ic訊 電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下，提
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一款汽車燈調(diào)光電路
一款汽車燈調(diào)光電路
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介紹在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較
隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開可靠的電源，進(jìn)入80年代計(jì)算機(jī)電源全面實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源化，率先完成計(jì)算機(jī)
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一種低電壓大電流的線性的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)
隨著電源技術(shù)的發(fā)展，低電壓，大電流的開關(guān)電源因其技術(shù)含量高，應(yīng)用廣，越來越受到人們重視。在開關(guān)電源中，正激和反激式有著電路拓?fù)浜?jiǎn)單，輸入輸出電氣隔離等優(yōu)點(diǎn)，廣泛
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用多相DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高性能ASIC和微處理器
多相DC-DC轉(zhuǎn)換器引出當(dāng)今的高性能ASIC和微處理器己廣泛應(yīng)用工控、通信航天等各個(gè)領(lǐng)域。但由于它的功率消耗較高，有時(shí)高達(dá)150W甚至超過，對(duì)于1V至1.5V的電源電壓，這些器件所
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新LGA封裝MOSFET提升智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用的能效
安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用
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東芝推出用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的新型MOSFET \"SSM3K337R\"
有源箝位結(jié)構(gòu)可以預(yù)防電感負(fù)載關(guān)閉時(shí)的過電壓東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，該公司已經(jīng)推出了用于繼電器驅(qū)動(dòng)器的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)"SSM3K33
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東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)(Symposia o
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東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出新的低功耗MOSFET設(shè)備結(jié)構(gòu)
21ic訊 東芝公司今天宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路
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模擬技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)四十四條
1.集成運(yùn)算放大器是一種高增益直接耦合放大器，他作為基本的電子器件，可以實(shí)現(xiàn)多種功能電路，如電子電路中的比例，積分，微分，求和，求差等模擬運(yùn)算電路。2.運(yùn)算放大器工作在兩個(gè)區(qū)域：在線性區(qū)，他放大小信號(hào);輸入
