MOSFET
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華微電子一季報營業(yè)收入增長9.07%
中國證券網(wǎng)訊（記者 王偉麗） 華微電子29日晚間公布的一季報顯示，營業(yè)收入279,117,406.06 元，同比增長9.07%，凈利潤12,491,472.78元，同比增長2.52%。每股收益0.02元，與上年同期持平。2013年度國內(nèi)新型LED 光源、
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Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET
采用PowerPAK® SC-70封裝，2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、1
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東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器
根據(jù)美國商業(yè)資訊報導(dǎo)，東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)半導(dǎo)體和儲存產(chǎn)品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電藕合器。新產(chǎn)品TLP3905和TLP3906即日起投入量產(chǎn)。光電藕合器采用不含MOSFET晶片的光控
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用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計可靠性及性能
所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競爭愈來愈激烈，功能急劇增加，但是并未考慮到另外一個可能帶來產(chǎn)品失敗的因素。所有這
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基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計方案
[導(dǎo)讀] 介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計與實現(xiàn)。該電路設(shè)計方案具有抗干擾能力強、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點。通過試驗驗證了該方案的正確性和可行性。 關(guān)鍵詞：保護電路CPL
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推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出60V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離
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IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出60V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、
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工程師該如何選擇電源？
由于電子產(chǎn)品的風靡，能夠用多種電源供電的設(shè)備已經(jīng)屢見不鮮了。例如，工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備大部分時間用電池供電，但一旦插入交流適配器或USB端口，就從交流
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如何優(yōu)化PCB設(shè)計以最大限度提高超級結(jié)MOSFET的性能
[導(dǎo)讀] 基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄
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凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用
凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發(fā)表用于9V至72V系統(tǒng)的汽車(H等級)及高可靠性軍事(MP-grade)等級的理想二極體橋式控制器 LT4320 ，該元件可透過低損耗 N 通道 MOSFET 電橋取代全波橋式整流器，以降低10
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工程師該如何選擇電源？
[導(dǎo)讀] 在移動系統(tǒng)的另一端，大型高可用性服務(wù)器機架內(nèi)至少有兩個電源，以在任何一個電源出故障時，保持服務(wù)器正常運行。 關(guān)鍵詞：供電處理器LTC4417LTC4370LTC4352電源
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凌力爾特MOSFET驅(qū)動器不需訊號變壓器
凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表高效率二次側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)驅(qū)動器LT8311。新元件省去隔離式同步順向轉(zhuǎn)換器所須的一次側(cè)控制，透過感測二次側(cè)訊號來控制同步整流；Preactive模式不須訊號變壓器
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Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動器
凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動器 LT8309 ，可透過 MOSFET取代輸出二極體，以達到10A輸出電流并無需散熱片。當不使用散熱片時，反馳電源的最大輸出電流是由功耗和輸出二極體產(chǎn)生的熱而限
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Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝
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Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎
采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第
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Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動器 LT8311
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動器 LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311 采用獨特的
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德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機控制及電源設(shè)計
最新中壓功率 MOSFET 采用 TO-220 封裝包括最低導(dǎo)通電阻 80V 及 100V 器件德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 輸入電
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Vishay發(fā)布用于電機控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器
新器件的最短外爬電距離為10mm21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和
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士蘭微為什么要自己做芯片制造?
【導(dǎo)讀】多年來，集成電路行業(yè)一直呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢，集成電路的規(guī)模、速度不斷提高。然而隨著世界范圍內(nèi)集成電路生產(chǎn)線的大量建立，集成電路的發(fā)展也呈現(xiàn)周期性趨勢。一旦大量集成電路生產(chǎn)線建立起來以后，集成電路
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TRINAMIC推出適用于步進電機的全新MOSFET產(chǎn)品線
TRINAMIC宣布，推出一系列分立MOSFET集成電路芯片，這個系列是特別為TRINAMIC的熱門電機驅(qū)動和預(yù)驅(qū)動芯片而設(shè)計的互補型產(chǎn)品。該全橋/半橋MOSFET封裝是驅(qū)動線圈電流峰值在2.5A至5.5A，電壓30V至60V之間的步進電機的理
