MOSFET
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安森美推出14款車載半導(dǎo)體芯片 包括電源IC和MOSFET等
美國(guó)安森美半導(dǎo)體公司于2015年8月6日發(fā)布消息稱，推出了14款車載設(shè)備用半導(dǎo)體芯片，包括三款滿足M-LVDS(Multipoint- Low Voltage Differential Signaling)標(biāo)準(zhǔn)的線性驅(qū)動(dòng)
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“2015 ROHM 科技展”青島站回顧
7 月 24 日，“2015 ROHM科技展”巡回展抵達(dá)青島站，本次科技展會(huì)由ROHM(羅姆)半導(dǎo)體集團(tuán)主辦、21ic中國(guó)電子網(wǎng)承辦，以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題，從應(yīng)用層面出發(fā)，以產(chǎn)品展示及專業(yè)講座的形式，向半導(dǎo)體業(yè)界人士展示功率電子、車載電子、傳感器網(wǎng)絡(luò)、通信技術(shù)等方面的羅姆最新產(chǎn)品和技術(shù)，并進(jìn)行了眾多的高新技術(shù)主題演講。
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世界首家※！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家※開(kāi)發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。 另外，此次開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為R
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Diodes優(yōu)化互補(bǔ)式MOSFET 提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計(jì)針對(duì)負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。
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SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動(dòng)電源
本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開(kāi)關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
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壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容 英飛凌推出OptiMOS 300 V
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容，樹(shù)立功率場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)新標(biāo)準(zhǔn)。300V OptiMOS 的發(fā)布有助于英飛凌進(jìn)一步鞏固其在通信電源、不
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東芝推出用于USB Type-C負(fù)載開(kāi)關(guān)的MOSFET
東芝已推出了SSM6J507NU，這是一個(gè)P溝道MOSFET產(chǎn)品，是適用于USB Type-C接口(符合USB PD*1規(guī)范)的負(fù)載開(kāi)關(guān)。USB PD是指一項(xiàng)技術(shù)，它允許電源高達(dá)100W(20V/5A)，同時(shí)要求USB Type-C接口和電池充電器IC之間的負(fù)載開(kāi)關(guān)
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Vishay超薄IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器 在小尺寸逆變器中有效節(jié)省空間
21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的SMD封裝的超薄2.5A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOL3120。Vishay Semiconductors 這款器件占位小，高度為2.5mm
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英飛凌新一代CoolMOS 可減少50%的開(kāi)關(guān)損耗
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開(kāi)關(guān)損耗，在PFC、TTF和其他硬切換拓
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Vishay 發(fā)布3顆新的600V 快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件
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安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
經(jīng)優(yōu)化用于減少開(kāi)關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動(dòng)器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對(duì)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)大其寬廣
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安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
經(jīng)優(yōu)化用于減少開(kāi)關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動(dòng)器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對(duì)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)大其寬廣
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IR推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品
北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品
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基于MOSFET的焦耳小偷電路可提升電壓設(shè)計(jì)
簡(jiǎn)單的間歇振蕩器電路可以用來(lái)借助線圈電感的屬性提升電壓(V=L di/dt)。這種電路如圖1所示，它更常見(jiàn)的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)電路。上述電路的輸出是電壓脈沖，可以
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大功率電源中MOSFET功率計(jì)算
也許，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每?jī)赡昃头环?。事?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì)高達(dá)60A或更多，
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8種噪聲測(cè)試技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等
噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無(wú)規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此
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Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案
器件是業(yè)內(nèi)首顆通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的完全無(wú)鉛的MOSFET，占位面積8mm x 8mm日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封裝40V
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Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用
30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達(dá)85%可靠性比額定結(jié)溫為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍21ic電源網(wǎng)訊 Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOS
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Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列
全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結(jié)合，為設(shè)計(jì)師提高靈活性Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II M
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e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS™與OptiMOS™系列功率MOSFET， 支持亞太區(qū)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)
英飛凌功率MOSFET是電信、太陽(yáng)能、照明及汽車電子等工業(yè)應(yīng)用的理想選擇e絡(luò)盟日前宣布新增來(lái)自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS™與OptiMOS™系
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