MOSFET
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世
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Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現(xiàn)更好的性能
21ic訊，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiH
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實現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動控制器NCP4305
同步整流旨在通過用低導(dǎo)通電阻的MOSFET代替常規(guī)的肖特基二極管進行整流來減小損耗，提升能效。以5 V應(yīng)用為例，使用肖特基二極管整流將產(chǎn)生0.3 V的導(dǎo)通壓降，而同步MOSFET的
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不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件
用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件，由于對所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻巨大，其未來的技術(shù)發(fā)展動向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。ROHM針對這種節(jié)能化要求日益高漲的歷史潮流，致力將在使分立半
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
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實現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動控制器NCP4305
同步整流旨在通過用低導(dǎo)通電阻的MOSFET代替常規(guī)的肖特基二極管進行整流來減小損耗，提升能效。以5 V應(yīng)用為例，使用肖特基二極管整流將產(chǎn)生0.3 V的導(dǎo)通壓降，而同步MOSFET的
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卡車、汽車和重型設(shè)備必須具備堅固的電源轉(zhuǎn)換
卡車、汽車和重型設(shè)備環(huán)境對任何類型的電源轉(zhuǎn)換器件要求都是非?？量痰摹捁ぷ麟妷悍秶又艽蟮乃矐B(tài)和寬溫度變化范圍，所有這些因素使可靠的電子系統(tǒng)設(shè)計變得非常有挑戰(zhàn)性。使設(shè)計時須考慮的因素更加復(fù)雜的是，有些應(yīng)用要求將電源轉(zhuǎn)換器件安裝在引擎罩內(nèi)，因而要求很高的溫度額定值。同時，由于電子組件數(shù)量不斷增加，所以可用空間也在不斷縮小，從而由于空間限制而使高效率轉(zhuǎn)換變得至關(guān)重要了。
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對市場更新的設(shè)計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)
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Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET
Fairchild 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過在封裝上下表面同時流動的氣流提高了散熱性能。
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安森美推出14款車載半導(dǎo)體芯片 包括電源IC和MOSFET等
美國安森美半導(dǎo)體公司于2015年8月6日發(fā)布消息稱，推出了14款車載設(shè)備用半導(dǎo)體芯片，包括三款滿足M-LVDS(Multipoint- Low Voltage Differential Signaling)標準的線性驅(qū)動
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“2015 ROHM 科技展”青島站回顧
7 月 24 日，“2015 ROHM科技展”巡回展抵達青島站，本次科技展會由ROHM(羅姆)半導(dǎo)體集團主辦、21ic中國電子網(wǎng)承辦，以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，從應(yīng)用層面出發(fā)，以產(chǎn)品展示及專業(yè)講座的形式，向半導(dǎo)體業(yè)界人士展示功率電子、車載電子、傳感器網(wǎng)絡(luò)、通信技術(shù)等方面的羅姆最新產(chǎn)品和技術(shù)，并進行了眾多的高新技術(shù)主題演講。
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世界首家※！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家※開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。 另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為R
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Diodes優(yōu)化互補式MOSFET 提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計針對負載點轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機頂盒等設(shè)備的處理器。
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SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
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壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容 英飛凌推出OptiMOS 300 V
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容，樹立功率場效應(yīng)管市場新標準。300V OptiMOS 的發(fā)布有助于英飛凌進一步鞏固其在通信電源、不
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東芝推出用于USB Type-C負載開關(guān)的MOSFET
東芝已推出了SSM6J507NU，這是一個P溝道MOSFET產(chǎn)品，是適用于USB Type-C接口(符合USB PD*1規(guī)范)的負載開關(guān)。USB PD是指一項技術(shù)，它允許電源高達100W(20V/5A)，同時要求USB Type-C接口和電池充電器IC之間的負載開關(guān)
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Vishay超薄IGBT/MOSFET驅(qū)動器 在小尺寸逆變器中有效節(jié)省空間
21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的SMD封裝的超薄2.5A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOL3120。Vishay Semiconductors 這款器件占位小，高度為2.5mm
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英飛凌新一代CoolMOS 可減少50%的開關(guān)損耗
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開關(guān)損耗，在PFC、TTF和其他硬切換拓
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Vishay 發(fā)布3顆新的600V 快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件
