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MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • EPC推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率晶體管

    宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導(dǎo)通電阻為5 mΩ及脈沖輸出電流為175 A。

  • Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。V

  • ST完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)

    意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個(gè)13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個(gè)完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠?yàn)楣I(yè)電機(jī)驅(qū)控制器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間。

  • Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達(dá)到最低，可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度。

  • 缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類市場(chǎng)

    MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了?！懊髂晡覀冏约旱姆庋b廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說(shuō)。

  • Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中超高速切換

    Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。 該裝置針對(duì)

  • 在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

    本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。

  • 高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器用650V碳化硅MOSFET的好處

    本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。

  • Vishay SQJQ480E汽車級(jí)功率MOSFET榮獲“Top-10電源產(chǎn)品”獎(jiǎng)

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其Vishay Siliconix SQJQ480E 80 V汽車級(jí)TrenchFET®N溝道功率MOSFET被《今日電子》雜志和21IC評(píng)為第15屆年度“Top-10電源產(chǎn)品”。這款A(yù)EC-Q101認(rèn)證器件以高效汽車應(yīng)用榮獲“綠色節(jié)能獎(jiǎng)”。這是威世產(chǎn)品連續(xù)第八年獲此殊榮。

  • 快速 60V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

    亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004，該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)，從而使該器件能夠保持接通時(shí)間無(wú)限長(zhǎng)。LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用

  • 高介電質(zhì)材料帶給芯片新體驗(yàn)

    在芯片的大部分歷史中，硅一直是其主要組成部分。這在很大程度上是因?yàn)楣钃碛?.1電子伏特(eV)的“Goldilocks”帶隙，這使得硅可以在低電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)集成電路，減少電流泄漏。

  • 功率半導(dǎo)體封測(cè)廠主攻MOSFET，有望新突破

    時(shí)序進(jìn)入智能手機(jī)傳統(tǒng)旺季，快充話題持續(xù)發(fā)酵，大陸四大天王Oppo、Vivo、華為、小米將陸續(xù)導(dǎo)入更多快充功能，另一方面，超微(AMD)、英特爾(Intel)、NVIDIA新款服務(wù)器平臺(tái)、顯示卡等產(chǎn)品陸續(xù)進(jìn)入市場(chǎng)，金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)使用顆數(shù)大增，但國(guó)際龍頭業(yè)者功率分離式元件部分因轉(zhuǎn)攻車用、工業(yè)用之超接面(Super JuncTIon)、絕緣閘雙載子功率場(chǎng)效電晶體(IGBT)等高階領(lǐng)域，傳統(tǒng)PC用MOSFET供需持續(xù)緊張，IDM廠外包比例增加，后段封裝廠商看好MOSFET供需趨緊將持續(xù)到年底沒(méi)問(wèn)題，如捷敏、菱生等業(yè)者訂單能見(jiàn)度基本上看至第3季底無(wú)虞，其中，捷敏8月?tīng)I(yíng)收可望再挑戰(zhàn)單月新高水準(zhǔn)。

  • 汽車級(jí)N溝道MOSFET SQJQ480E

    功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處理與更大功率的MOSFET相同的功能。實(shí)際上，其 PowerPAK 8x8L 封裝比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而，SQJQ480E 可以同樣高效地處理相同的功率轉(zhuǎn)換、開(kāi)關(guān)和電機(jī)控制任務(wù)，實(shí)測(cè)器件導(dǎo)通電阻(3毫歐): 也就是在 AEC-Q101車用 MOSFET 中取得迄今為止最低的導(dǎo)通損耗。

  • 第八代Core處理器,英特爾“養(yǎng)活了”這些廠商

    英特爾正式推出第八代Core處理器Coffee Lake，預(yù)計(jì)全球有逾145款計(jì)算機(jī)裝置將自9月起上架銷售。 超威入門款處理器Ryzen 3及商用Ryzen Pro平臺(tái)也將在下半年陸續(xù)上市。 此外，虛擬貨幣挖礦、電競(jìng)及人工智能運(yùn)算等需求強(qiáng)勁，超威及輝達(dá)(NVIDIA)下半年將推出新一代繪圖芯片搶攻市場(chǎng)商機(jī)。

  • 厲害了！MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，可提供100%的占空比

    亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices， Inc.，簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)，使其能夠保持無(wú)限期接通。LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

  • 安森美先進(jìn)的同步整流控制器FAN6248提高能效和可靠性并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

    在電源設(shè)計(jì)中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導(dǎo)通損耗，提供更高的電流能力，實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而，傳統(tǒng)的同步整流在用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器時(shí)，會(huì)有不少的技術(shù)挑戰(zhàn)，如：1) 由于不同工作頻率造成最小導(dǎo)通時(shí)間設(shè)置的困難;2) 由于雜散電感造成過(guò)早的同步整流關(guān)斷，導(dǎo)通損耗增加;3) 輕載條件下由于電容電流尖峰導(dǎo)致同步整流電流反向，最終對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生不良影響。安森美半導(dǎo)體最新推出的同步整流控制器FAN6248，優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器，完美地解決上述挑戰(zhàn)，適用于

  • 美高森美攜手Analog Devices公司 以加快客戶設(shè)計(jì)和上市速度

    致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬技術(shù)提供商Analog Devices公司宣布推出可擴(kuò)展碳化硅(SiC)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。這款雙碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)提供用戶友好的設(shè)計(jì)指南，并通過(guò)使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶上市時(shí)間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過(guò)渡。

  • Linear 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7000/-1

    亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7000/-1，該器件采用高達(dá)

  • EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管

    21IC訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管，包括無(wú)線充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽(yáng)能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。

  • TI推出用于電機(jī)控制的業(yè)界最小柵極驅(qū)動(dòng)器和功率MOSFET解決方案

    設(shè)計(jì)人員可以將空間有限的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率密度提高一倍近日，德州儀器 (TI) 推出兩款新型器件，有助于減小電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的尺寸和重量。當(dāng)兩者結(jié)合使用時(shí)，DRV832x無(wú)刷直流