利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對(duì)更高功率密度的新挑戰(zhàn)

引言隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個(gè)人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)和政府體系等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。不過(guò)，與此同時(shí)，數(shù)據(jù)中

電源設(shè)計(jì)小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升

在本《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將最終對(duì)一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計(jì)小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱

MOSFET陷缺貨潮，大中或借漲價(jià)提升毛利率

法人預(yù)期，MOSFET市場(chǎng)在缺貨效應(yīng)加持下，大中可望借由產(chǎn)品漲價(jià)提升毛利率，第三季獲利相較上季有機(jī)會(huì)明顯提升。

電源設(shè)計(jì)小貼士28：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升——第1部分

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的

IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

導(dǎo)讀：全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司（International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR）日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.總所周知，IR不僅是全球功率

討論在PFC中應(yīng)用的新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的特點(diǎn)

超級(jí)結(jié)（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術(shù)，在減少導(dǎo)通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通常需要折中權(quán)衡。有了較小的寄生電容，超級(jí)結(jié)MOSFET具有極快

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會(huì)介

旺季來(lái)臨、新興市場(chǎng)爆發(fā)，8英寸晶圓產(chǎn)能滿載到年底

隨著個(gè)人電腦及智能手機(jī)市場(chǎng)進(jìn)入旺季，加上先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及自駕車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)4.0等新藍(lán)海市場(chǎng)進(jìn)入成長(zhǎng)爆發(fā)期，帶動(dòng)面板驅(qū)動(dòng)IC、微控制器(MCU)、電源管理IC(PMIC)、金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等強(qiáng)勁需求，也讓臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)的8英寸晶圓代工產(chǎn)能滿載到年底，且訂單能見(jiàn)度更已看到明年上半年。

電源設(shè)計(jì)小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案

在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動(dòng)電流。在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們

用電流檢測(cè)和MOSFET提升輸出電流

以前有篇設(shè)計(jì)實(shí)例描述了一種可編程電流源，使用的是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的LM317可調(diào)三端穩(wěn)壓器（參考文獻(xiàn)1）。雖然該電路可以編程設(shè)定輸出電流，但負(fù)載電流要流經(jīng)BCD（二-十

電源設(shè)計(jì)小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

在電源設(shè)計(jì)中，工程師通常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者面臨由于柵極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大的問(wèn)題。為緩解這一問(wèn)題，工程師通常會(huì)采用外部驅(qū)動(dòng)器。半導(dǎo)體

美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開(kāi)發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)致力于提供功率、安全、可靠

性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊

漲價(jià)缺貨的野火擴(kuò)散至CMOS傳感器

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，漲價(jià)缺貨的野火如今已擴(kuò)散到CMOS圖像感測(cè)元件上，今年電子關(guān)鍵零組件及半導(dǎo)體材料接二連三調(diào)漲售價(jià)，有錢(qián)也拿不到貨，前車(chē)之鑒，讓代理商及客戶端一聽(tīng)到缺貨就害怕，而這一波CMOS供貨吃緊，就是在這樣的氛圍下醞釀成形，且有跡可尋，早在今年第2季，中國(guó)大陸高端鏡頭馬達(dá)就已傳出供貨吃緊情況。

英飛凌積極布局SiC應(yīng)用市場(chǎng)

因應(yīng)節(jié)能減碳風(fēng)潮，碳化硅(SiC)因具備更高的開(kāi)關(guān)速度、更低的切換損失等特性，可實(shí)現(xiàn)小體積、高功率目標(biāo)，因而躍居電源設(shè)計(jì)新星;其應(yīng)用市場(chǎng)也跟著加速起飛，未來(lái)幾年將擴(kuò)展進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域，而電源芯片商也加快布局腳步，像是英飛凌(Infineon)便持續(xù)擴(kuò)增旗下CoolSiC MOSFET產(chǎn)品線，瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能發(fā)電、電動(dòng)車(chē)充電系統(tǒng)和電源供應(yīng)三大領(lǐng)域。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)處大中華區(qū)應(yīng)用與系統(tǒng)總監(jiān)馬國(guó)偉指出，相較于Si功率半導(dǎo)體，SiC裝置更為節(jié)能;且由于被動(dòng)元件的體積縮小，因此提供更高的系統(tǒng)密度。除了電動(dòng)車(chē)之外，

微星和華碩主板散熱性能大比拼，MOSFET溫度相差12度

使用同樣是95W處理器的情況下，微星B360M-MORTAR的MOSFET溫度為62.62度，ROG STRIX B360-G GAMING的MOSFET溫度為74.89度，相差整整12度——這個(gè)相差的溫度就有點(diǎn)夸張了。

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車(chē)載照明保護(hù)與控制

基于電感升壓開(kāi)關(guān)型變換器的LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

一、基本電路拓?fù)渑c工作原理 基于電感升壓開(kāi)關(guān)型變換器的LED驅(qū)動(dòng)電路廣泛應(yīng)用于電池供電的消費(fèi)類(lèi)便攜電子設(shè)備的背光照明中。電感升壓變換器基本電路拓?fù)渲饕缮龎弘姼衅?/p>

MOSFET產(chǎn)能大缺 正醞釀下一波漲價(jià)

由于MOSFET受工控及車(chē)用電子需求提升，國(guó)際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場(chǎng)，包括：意法、英飛凌等國(guó)際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空，加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺，形成MOSFET、指紋辨識(shí)、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。