隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會介

旺季來臨、新興市場爆發(fā)，8英寸晶圓產(chǎn)能滿載到年底

隨著個人電腦及智能手機市場進入旺季，加上先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及自駕車、物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)4.0等新藍海市場進入成長爆發(fā)期，帶動面板驅(qū)動IC、微控制器(MCU)、電源管理IC(PMIC)、金氧半場效電晶體(MOSFET)等強勁需求，也讓臺積電、聯(lián)電、世界先進的8英寸晶圓代工產(chǎn)能滿載到年底，且訂單能見度更已看到明年上半年。

電源設(shè)計小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計小貼士中，我們

用電流檢測和MOSFET提升輸出電流

以前有篇設(shè)計實例描述了一種可編程電流源，使用的是美國國家半導(dǎo)體公司的LM317可調(diào)三端穩(wěn)壓器（參考文獻1）。雖然該電路可以編程設(shè)定輸出電流，但負載電流要流經(jīng)BCD（二-十

電源設(shè)計小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件

在電源設(shè)計中，工程師通常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會采用外部驅(qū)動器。半導(dǎo)體

美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計致力于提供功率、安全、可靠

性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊

漲價缺貨的野火擴散至CMOS傳感器

據(jù)臺灣媒體報道，漲價缺貨的野火如今已擴散到CMOS圖像感測元件上，今年電子關(guān)鍵零組件及半導(dǎo)體材料接二連三調(diào)漲售價，有錢也拿不到貨，前車之鑒，讓代理商及客戶端一聽到缺貨就害怕，而這一波CMOS供貨吃緊，就是在這樣的氛圍下醞釀成形，且有跡可尋，早在今年第2季，中國大陸高端鏡頭馬達就已傳出供貨吃緊情況。

英飛凌積極布局SiC應(yīng)用市場

因應(yīng)節(jié)能減碳風(fēng)潮，碳化硅(SiC)因具備更高的開關(guān)速度、更低的切換損失等特性，可實現(xiàn)小體積、高功率目標，因而躍居電源設(shè)計新星;其應(yīng)用市場也跟著加速起飛，未來幾年將擴展進入更多應(yīng)用領(lǐng)域，而電源芯片商也加快布局腳步，像是英飛凌(Infineon)便持續(xù)擴增旗下CoolSiC MOSFET產(chǎn)品線，瞄準太陽能發(fā)電、電動車充電系統(tǒng)和電源供應(yīng)三大領(lǐng)域。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)處大中華區(qū)應(yīng)用與系統(tǒng)總監(jiān)馬國偉指出，相較于Si功率半導(dǎo)體，SiC裝置更為節(jié)能;且由于被動元件的體積縮小，因此提供更高的系統(tǒng)密度。除了電動車之外，

微星和華碩主板散熱性能大比拼，MOSFET溫度相差12度

使用同樣是95W處理器的情況下，微星B360M-MORTAR的MOSFET溫度為62.62度，ROG STRIX B360-G GAMING的MOSFET溫度為74.89度，相差整整12度——這個相差的溫度就有點夸張了。

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

功率MOSFET驅(qū)動器提供了車載照明保護與控制

基于電感升壓開關(guān)型變換器的LED驅(qū)動電路設(shè)計

一、基本電路拓撲與工作原理 基于電感升壓開關(guān)型變換器的LED驅(qū)動電路廣泛應(yīng)用于電池供電的消費類便攜電子設(shè)備的背光照明中。電感升壓變換器基本電路拓撲主要由升壓電感器

MOSFET產(chǎn)能大缺 正醞釀下一波漲價

由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場，包括：意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空，加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺，形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。

DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表--計算系統(tǒng)損耗

傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)集成上橋臂MOSFET打開后，負載電流就會從其中通過。漏-源通道電阻(RDS

安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領(lǐng)先市場的電流密度和全集成的MOSFET

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。

英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進行交流。

意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。

LED驅(qū)動設(shè)計的5大關(guān)鍵

要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動設(shè)計

基于單片機的脈沖快速充電系統(tǒng)設(shè)計

系統(tǒng)中的開關(guān)電源電路為蓄電池的充電提供穩(wěn)定的電壓采用的是反激式的開關(guān)電源電路。反激式開關(guān)電源的電路比較簡單，比正激式開關(guān)電源少用了一個大的儲能濾波電感，以及一個續(xù)流二極管