包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

功率MOSFET驅動器提供了車載照明保護與控制

基于電感升壓開關型變換器的LED驅動電路設計

一、基本電路拓撲與工作原理 基于電感升壓開關型變換器的LED驅動電路廣泛應用于電池供電的消費類便攜電子設備的背光照明中。電感升壓變換器基本電路拓撲主要由升壓電感器

MOSFET產能大缺 正醞釀下一波漲價

由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國際大廠紛紛轉向高階MOSFET及IGBT相關應用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場，包括：意法、英飛凌等國際IDM大廠下半年MOSFET產能早已被預訂一空，加上目前8吋晶圓代工產能極缺，形成MOSFET、指紋辨識、電源管理芯片等搶占產能情況。

DC/DC轉換器數(shù)據表--計算系統(tǒng)損耗

傳導損耗是由設備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC轉換器中的傳導產生的。傳導損耗與占空比有直接關系。當集成上橋臂MOSFET打開后，負載電流就會從其中通過。漏-源通道電阻(RDS

安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領先市場的電流密度和全集成的MOSFET

安森美半導體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調制(PWM)降壓轉換器。

英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應鏈的前沿技術和解決方案

英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應鏈的領先產品和全套系統(tǒng)及應用解決方案。此外，英飛凌的技術專家還將就產品和應用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進行交流。

意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。

LED驅動設計的5大關鍵

要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅動設計

基于單片機的脈沖快速充電系統(tǒng)設計

系統(tǒng)中的開關電源電路為蓄電池的充電提供穩(wěn)定的電壓采用的是反激式的開關電源電路。反激式開關電源的電路比較簡單，比正激式開關電源少用了一個大的儲能濾波電感，以及一個續(xù)流二極管

MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮 漲價不可避免！

茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價，預計7月起依產品別調漲晶圓代工價格15～20%，高單價客戶及高售價產品優(yōu)先投片，6月底未投產完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求，重新來單則適用7月起已調漲后的晶圓代工價格。

關于MOSFET用于開關電源的驅動電路

MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。在使

輸出電流的控制和感測基礎

對大部分負載管理電路來說，MOSFET正在迅速取代繼電器成為首選的開關技術，電力電子系統(tǒng)的維護成本也隨之降低。本文講述了輸出電流的控制和感測基礎，并分析了一種智能負載管理產品。

MOSFET報價調漲，供需緊俏或致8英寸晶圓漲價？

近期MOSFET報價調漲，由于中國大陸家電產品對變頻化趨勢持續(xù)推進，對MOSFET等需求持續(xù)上升，另外，無線充電、物聯(lián)網、車用等新應用，帶動相關元件需求增加，導致全球8英寸晶圓代工廠的產能利用率維持在100%左右的水準。

美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極

在ON狀態(tài)下 Mosfet與三極管有何不同之處？

MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應用的非常廣泛的一種場效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動，將較小的信號放大成為幅值較高的電信號。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時，這兩者有什么區(qū)別呢?

關于MOSFET用于開關電源的驅動電路

MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。

關于反激式LED驅動器的工作原理

作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級管(LED)具備使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點亮LED，需要用恒定電流進行操作，而且必須具有高功率因數(shù)。除了適用于固態(tài)照明的最新EnergyStar®指令要求功率超過3 W的照明光源具有大于0.9的功率因數(shù)，鎮(zhèn)流器輸入線路電流諧波還需要滿足IEC61000-3-2 C類規(guī)范的要求。

開關MOS寄生二極管的多種妙用

是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

開關MOS寄生二極管的多種妙用

是由生產工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。