儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS?功率MOSFET

英飛凌OptiMOS?3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號(hào)相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺(tái)www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。

ROHM開發(fā)出節(jié)能優(yōu)勢顯著的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD83070GWL”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)，面向移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備，開發(fā)出一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器*1)“BD83070GWL”，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了超高效率和超低消耗電流。

耗盡型模擬開關(guān)：無電源也能高性能連接

耗盡型MOSFET開關(guān)，一度不那么受歡迎，且常被視為典型的增強(qiáng)型FET的同屬，卻在最近幾年中越來越受歡迎。安森美半導(dǎo)體投入該技術(shù)，開發(fā)出越來越多的耗盡型模擬開關(guān)系列。這些開關(guān)越來越多地用于很好地解決工程問題。此博客將使讀者更好地了解這些實(shí)用的器件的能力，并介紹方案示例。

安森美半導(dǎo)體和格芯合作轉(zhuǎn)讓紐約東菲什基爾300mm晶圓廠的所有權(quán)

安森美半導(dǎo)體公司(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半導(dǎo)體收購GLOBALFOUNDRIES位于紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的300 mm晶圓廠達(dá)成最終協(xié)議。此次收購總代價(jià)為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時(shí)支付，其余3.3億美元將在2022年年底支付，之后，安森美半導(dǎo)體將獲得該晶圓廠的全面運(yùn)營控制權(quán)，該廠的員工將轉(zhuǎn)為安森美半導(dǎo)體的員工。此交易的完成取決于監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)及其它慣例成交

在LLC拓?fù)渲校瑸槭裁催x用體二極管恢復(fù)快的MOSFET

在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下，提高電子設(shè)備的能效，取得高性能同時(shí)降低能耗，成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢，世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)準(zhǔn)。在電源管理方面，用傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器是很難達(dá)到新能效標(biāo)準(zhǔn)。因此，電源設(shè)計(jì)者已將開發(fā)方向轉(zhuǎn)向軟開關(guān)拓?fù)?，以提高電源的能效，?shí)現(xiàn)更高的工作頻率。 LLC諧振轉(zhuǎn)換

半導(dǎo)體成就電動(dòng)汽車“芯”

上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司于2018年度中美貿(mào)易關(guān)系混亂的市場環(huán)境中仍獲取了優(yōu)異成績，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)能利用率更是高達(dá)99.2%。

Diodes 公司的單級(jí)高功率因子 LED 驅(qū)動(dòng)控制器配備混合模式調(diào)光

【2019年5月29日美國德州普拉諾訊】Diodes公司(Nasdaq：DIOD)今日宣布推出AL1665單級(jí)返馳式及降壓升壓控制器，可用于商業(yè)、聯(lián)機(jī)、可調(diào)光的LED照明安裝，最高可以100W運(yùn)作。

對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

德州儀器（英語：Texas Instruments，簡稱：TI），是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體跨國公司，以開發(fā)、制造、銷售半導(dǎo)體和計(jì)算機(jī)技術(shù)聞名于世，主要從事創(chuàng)新型數(shù)字信號(hào)處理與模擬電路方面的研究、制造和銷售。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外，還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。

提高功效，快速選擇最佳的開關(guān)式DC-DC轉(zhuǎn)換器

在電路中，通過可控開關(guān)(MOSFET)等進(jìn)行快速高頻的開關(guān)動(dòng)作，利用電感與電容自身帶的儲(chǔ)能特性，能夠?qū)⑤斎氲碾娔軆?chǔ)存到電容里，當(dāng)把開關(guān)斷開時(shí)，儲(chǔ)存的電能能夠再次釋放給負(fù)載，此時(shí)，提供能量就是開關(guān)電源，整個(gè)的輸出功率和電路的電壓能力是與開關(guān)電路的導(dǎo)通時(shí)間和整個(gè)周期的開關(guān)是有關(guān)系的，因此，我們可以得到以下結(jié)論，開關(guān)電源能夠用于生涯和降壓，DC/DC轉(zhuǎn)換器是利用MOSFET開關(guān)閉合電路導(dǎo)通時(shí)在電感器中儲(chǔ)存能量，當(dāng)電路斷開時(shí)，電感器中存儲(chǔ)的能量又會(huì)通過二極管傳輸給負(fù)載。

新產(chǎn)能開出 昇陽半3月營收創(chuàng)高

全球最大半導(dǎo)體薄化代工廠昇陽半 3 月營收創(chuàng)高，達(dá) 2.16 億元，月成長 20.95% ，年成長 39.09% ，累計(jì)第一季營收年成長為 28.57% ;昇陽半自去年下半年以來，隨著產(chǎn)能開出，營收持續(xù)墊高，而在新項(xiàng)目陸續(xù)加入后，第二季營收可望再向上。

安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級(jí)NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級(jí)NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)、太陽能、不間斷電源及服務(wù)器電源。

讓變頻空調(diào)更節(jié)能，ROHM推出600V 超級(jí)結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。

安森美推出新的工業(yè)級(jí)和符合車規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨(dú)特的優(yōu)勢是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計(jì)用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。

顯著節(jié)約能耗，德州儀器推出首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率德州儀器(TI) (納斯達(dá)克代碼: TXN)近日推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。它們不僅能夠提供出色的監(jiān)控能力，還可為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅(jiān)強(qiáng)屏障

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET

AOS推出適用于便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源，不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟?！惫?/p>

繼續(xù)快速成長，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce預(yù)估，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣，較2018年成長12.17%，維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

　　1.概述　　功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的，它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓，從而實(shí)現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動(dòng)。功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力電子，消費(fèi)電子、