半導(dǎo)體成就電動汽車“芯”

上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司于2018年度中美貿(mào)易關(guān)系混亂的市場環(huán)境中仍獲取了優(yōu)異成績，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)能利用率更是高達(dá)99.2%。

Diodes 公司的單級高功率因子 LED 驅(qū)動控制器配備混合模式調(diào)光

【2019年5月29日美國德州普拉諾訊】Diodes公司(Nasdaq：DIOD)今日宣布推出AL1665單級返馳式及降壓升壓控制器，可用于商業(yè)、聯(lián)機(jī)、可調(diào)光的LED照明安裝，最高可以100W運(yùn)作。

對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案

德州儀器（英語：Texas Instruments，簡稱：TI），是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體跨國公司，以開發(fā)、制造、銷售半導(dǎo)體和計(jì)算機(jī)技術(shù)聞名于世，主要從事創(chuàng)新型數(shù)字信號處理與模擬電路方面的研究、制造和銷售。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外，還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。

提高功效，快速選擇最佳的開關(guān)式DC-DC轉(zhuǎn)換器

在電路中，通過可控開關(guān)(MOSFET)等進(jìn)行快速高頻的開關(guān)動作，利用電感與電容自身帶的儲能特性，能夠?qū)⑤斎氲碾娔軆Υ娴诫娙堇铮?dāng)把開關(guān)斷開時，儲存的電能能夠再次釋放給負(fù)載，此時，提供能量就是開關(guān)電源，整個的輸出功率和電路的電壓能力是與開關(guān)電路的導(dǎo)通時間和整個周期的開關(guān)是有關(guān)系的，因此，我們可以得到以下結(jié)論，開關(guān)電源能夠用于生涯和降壓，DC/DC轉(zhuǎn)換器是利用MOSFET開關(guān)閉合電路導(dǎo)通時在電感器中儲存能量，當(dāng)電路斷開時，電感器中存儲的能量又會通過二極管傳輸給負(fù)載。

新產(chǎn)能開出 昇陽半3月營收創(chuàng)高

全球最大半導(dǎo)體薄化代工廠昇陽半 3 月營收創(chuàng)高，達(dá) 2.16 億元，月成長 20.95% ，年成長 39.09% ，累計(jì)第一季營收年成長為 28.57% ;昇陽半自去年下半年以來，隨著產(chǎn)能開出，營收持續(xù)墊高，而在新項(xiàng)目陸續(xù)加入后，第二季營收可望再向上。

安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機(jī)、太陽能、不間斷電源及服務(wù)器電源。

讓變頻空調(diào)更節(jié)能，ROHM推出600V 超級結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間(trr※1))的同時，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。

安森美推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨(dú)特的優(yōu)勢是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計(jì)用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。

顯著節(jié)約能耗，德州儀器推出首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動器

新型TI柵極驅(qū)動器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率德州儀器(TI) (納斯達(dá)克代碼: TXN)近日推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動器。它們不僅能夠提供出色的監(jiān)控能力，還可為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑

TI首款適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅(qū)動器，可顯著節(jié)約能耗，并為高壓系統(tǒng)構(gòu)筑堅(jiān)強(qiáng)屏障

新型TI柵極驅(qū)動器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率

IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET

AOS推出適用于便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟?！惫?/p>

繼續(xù)快速成長，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾人民幣2,900億元

TrendForce預(yù)估，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣，較2018年成長12.17%，維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

　　1.概述　　功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的，它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓，從而實(shí)現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動。功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力電子，消費(fèi)電子、

適用于小功率電機(jī)驅(qū)動的MOSFET逆變模塊設(shè)計(jì)

　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計(jì)的MOSFET和

如何選擇最佳的開關(guān)式DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　利用電容、電感的儲能的特性，通過可控開關(guān)（MOSFET等）進(jìn)行高頻開關(guān)的動作，將輸入的電能儲存在電容（感）里，當(dāng)開關(guān)斷開時，電能再釋放給負(fù)載，提供能量就是開關(guān)電源

采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的電路

如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級結(jié)MOSFET的性能

　　基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比

如何為電源系統(tǒng)開關(guān)控制器選擇合適的MOSFET？

　　DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)