MOSFET
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第四代600V E系列MOSFET器件，你了解嗎？
什么是第四代600V E系列MOSFET器件?它有什么作用?2019年1月28日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。
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60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET，你知道嗎？
什么是60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。
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STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET，你聽說過嗎？
什么是STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日 – 專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設(shè)計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度。
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ROHM開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車載用超小型MOSFET
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q
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碳化硅MOSFET特性以及相關(guān)基礎(chǔ)知識
你知道碳化硅MOSFET特性嗎?隨著半導體工藝不斷精進，半導體的材料也隨之改朝換代，碳化硅在眾多半導體材料中脫穎而出。碳化硅憑借具有不可比擬的優(yōu)良性能，同時碳化硅更是寬禁帶半導體材料之一，其最大特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，
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安森美半導體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢
安森美半導體是領(lǐng)先的寬禁帶半導體制造商，是該技術(shù)的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù)，全面的高能效電源方案，包括先進的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動器及集成模塊。
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MOS管開關(guān)原理以及深入解析，值得你收藏
什么是MOS管?它有什么作用?MOS管可以說是工程師最熟悉的器件之一，不過MOS管我們天天見，但是不乏一些剛?cè)胄械墓こ處?、甚至是少?shù)行業(yè)老手對于MOS的基礎(chǔ)理論的掌握不是很牢固，所以專門寫一篇文章為大家總結(jié)一下MOS的開關(guān)原理和基礎(chǔ)知識。
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一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報名在線研討會）
一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報名在線研討會） ? 第一代半導體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化
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氮化鎵晶體管的應(yīng)用，你知道嗎？
什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化，在這個行業(yè)中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達到硅MOSFET的理論極限，現(xiàn)在需要轉(zhuǎn)移到新的元素。氮化鎵或氮化鎵是一種高流動性的半導體電子半導體(HEMT)，在滿足新的應(yīng)用方面被證明是一種真正的附加價值。
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【媒體訪談】車用級碳化硅應(yīng)用如何？
點擊上方藍字關(guān)注我們 安森美半導體： 不斷推進與車企的各種合作項目 安森美半導體提供大范圍的車用碳化硅 （SiC） MOSFET 和車用SiC二極管，包括：650V SiC二極管、1200V SiC二極管、1700V SiC二極管、650V SiC MOSFET （現(xiàn)提供樣品，今...
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊你會看了嗎？
MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。 極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。 VDS表示漏極與源極
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云計算制造商要面對哪一些困境
那么究竟什么是云計算呢？云計算是指負責在全球范圍內(nèi)存儲和移動數(shù)據(jù)的許多遠程服務(wù)器所構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)，我們可以通過 Wi-Fi？、LAN 或蜂窩網(wǎng)絡(luò)來進行訪問。這些遠程服務(wù)器的作用類似于大型存儲設(shè)備，包
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東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動器開關(guān)IPD
中國上海，2020年5月14日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。
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開關(guān)電源設(shè)計：玩轉(zhuǎn)SiC MOSFET我有特別的技巧（在線研討會）
【ROHM在線研討會】 將于5月28日重磅開啟！ ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體 具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能? ? 材料方面 高品質(zhì) 4 英寸襯底全面商業(yè)化 6 英寸襯底的商業(yè)化也在持續(xù)推進 ? 產(chǎn)業(yè)方面 國際企業(yè)紛紛加強
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東微推出超級硅MOSFET：效率媲美氮化鎵
半導體功率器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用，特別是近幾年來，隨著社會電子產(chǎn)業(yè)化及萬物互聯(lián)的應(yīng)用需求，更進一步加速了電子化水平的進程；也對電力電子系統(tǒng)提出了更高的要求和挑戰(zhàn)，如：高效率、高頻化、高密
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意法半導體推出高集成度通用型車門鎖控制器，可簡化設(shè)計，提高安全性
中國，2020年5月11日——意法半導體L99UDL01通用型車門鎖IC集成6個MOSFET半橋輸出和兩個半橋柵極驅(qū)動器，以及電路保護和診斷功能，可提升方案安全性，簡化設(shè)計，節(jié)省空間。
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Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的堅固LFPAK56封裝
符合AEC-Q101標準，適合汽車應(yīng)用
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基于單片機實現(xiàn)對單相無刷電機的控制系統(tǒng)設(shè)計
對于小功率電機應(yīng)用，成本比復(fù)雜性更為重要，并且對轉(zhuǎn)矩的平順性要求較低，因此單相無刷直流(BLDC)電機是三相電機或兩相電機不錯的替代方案。此類電機結(jié)構(gòu)簡單，易于制造，因此成本較低。此外，它只需要
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有獎活動進行時，這些“綠色”知識，你都知道嗎？
點擊上方藍字關(guān)注我們節(jié)能隨手關(guān)燈，使用高能效產(chǎn)品…幫助減少全球的能源使用點亮節(jié)能精神，踐行環(huán)保每一天關(guān)1#節(jié)能在行動#一直以來，安森美半導體致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。我們?yōu)榭蛻籼峁┓纤羞m用的電子產(chǎn)品相關(guān)全球環(huán)境指令及法規(guī)及業(yè)界最佳環(huán)境做法的產(chǎn)品...
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還沒參與有獎活動？趁五一，抓緊！（了解醫(yī)療呼吸機各應(yīng)用框圖）
點擊上方藍字關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！COVID-19住院人數(shù)的迅速增加給全球呼吸機庫存造成了前所未有的壓力。我司安森美半導體及業(yè)務(wù)被美國國土安全部視為必不可少的重要的基礎(chǔ)設(shè)施，因為我司是半導體器件供應(yīng)商之一，而半導體器件是醫(yī)療設(shè)備制造商供應(yīng)鏈中的...
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