MOSFET
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輸出電流提高11 %的30 V MOSFET半橋功率級(jí)模塊，你了解嗎？
什么是輸出電流提高11 %的30 V MOSFET半橋功率級(jí)模塊?它有什么特點(diǎn)?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊---SiZF300DT，將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時(shí)有助于減少元器件數(shù)量，簡化設(shè)計(jì)，適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。
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英飛凌、恩智浦2018重點(diǎn)續(xù)攻汽車電子，功率模擬IC、MOSFET需求大增
全球IDM(整合元件制造)業(yè)者持續(xù)搶攻車用電子新藍(lán)海，英飛凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重點(diǎn)業(yè)務(wù)皆聚焦汽車相關(guān)產(chǎn)品，對(duì)于功率半導(dǎo)體、功率模組、模擬IC、中高階MOSFET(金氧半場效
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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估SiC MOSFET的魯棒性。
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解析功率場效應(yīng)管保護(hù)電路設(shè)計(jì)的方法，你了解嗎？
你知道解析功率場效應(yīng)管保護(hù)電路設(shè)計(jì)的方法嗎?它有什么作用?什么是保護(hù)電路
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A6862主要特性和優(yōu)勢_汽車三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動(dòng)方案
Allegro MicroSystems公司的A6862是N溝功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有三個(gè)獨(dú)立的浮置柵極驅(qū)動(dòng)輸出,集成的電荷泵控制器穩(wěn)壓器在電源電壓降至4.5V時(shí)有足夠的柵極驅(qū)動(dòng)電壓大于7.
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用于下一代汽車無刷直流系統(tǒng)的汽車功率集成模塊
On Semi公司的STK984-190-E是用于下一代汽車無刷直流系統(tǒng)的汽車功率集成模塊(PIM),包含6個(gè)40 V/30 A MOSFET配置為一個(gè)三相橋,及一個(gè)額外的40 V/30 A高邊
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Power Supply WebDesigner設(shè)計(jì)工具能提供一整套節(jié)省時(shí)間的LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)工具
隨著政府強(qiáng)制禁用白熾燈的法令已經(jīng)開始嚴(yán)格執(zhí)行，LED 照明市場持續(xù)增長，然而在尋求有效設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)以實(shí)現(xiàn) LED 小型化方面仍然存在不少挑戰(zhàn)。諸如雙向可控硅調(diào)光控制、應(yīng)對(duì)全球良莠不齊的電源線路法
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英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
英飛凌科技股份公司為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。
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Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級(jí)模塊，輸出電流提高11 %
雙片器件結(jié)合集成式肖特基二極管提高功率密度和效率，所需PCB空間比6 mm x 5 mm封裝減少65 %
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電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能的ST 超結(jié)MOSFET，你了解嗎？
什么是電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能的ST 超結(jié)MOSFET?它有什么作用?2019年1月22日 - 意法半導(dǎo)體的MDmesh? DM6 600V MOSFET含有一個(gè)快速恢復(fù)體二極管，將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓?fù)洹⒘汶妷洪_關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個(gè)穩(wěn)定可靠的二極管來處理動(dòng)態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里。
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小型表面貼裝LDO穩(wěn)壓器系列，你知道嗎？
什么是小型表面貼裝LDO穩(wěn)壓器系列?它有什么特點(diǎn)?2019年3月20日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布，推出兩款全新系列的小型表面貼裝LDO穩(wěn)壓器---TCR5BM系列和TCR8BM系列，用于移動(dòng)設(shè)備、影像和音視頻產(chǎn)品的電源供電應(yīng)用。TCR5BM系列包含40個(gè)型號(hào)，支持低至100mV的壓差和最大500mA的輸出電流;TCR8BM系列同樣包含40個(gè)型號(hào)，支持低至170mV的壓差和最大800mA的輸出電流。TCR5BM系列和TCR8BM系列均可提供低至0.8V或高至3.6V的VOUT。
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半球形透鏡的藍(lán)色和純綠色超亮LED，你接觸過嗎？
什么是半球形透鏡的藍(lán)色和純綠色超亮LED?它有什么作用?2019年3月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新系列采用無色表面貼裝和半球形透鏡的藍(lán)色和純綠色超亮LED---VLD.1232..系列。
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集成了900V MOSFET的全系列開關(guān)電源IC，那你知道嗎？
什么是集成了900V MOSFET的全系列開關(guān)電源IC?它有什么作用?2019年5月7日訊– 深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)POWI)今日發(fā)布一系列集成了900 V初級(jí)MOSFET的離線式開關(guān)電源IC。
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SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，你了解嗎？
什么是SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)?它有什么作用?碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應(yīng)用的開關(guān)性能，能夠在增強(qiáng)熱性能的同時(shí)提供較高的擊穿場強(qiáng)及開關(guān)頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設(shè)計(jì)中能夠獲得更快速的短路保護(hù)，這對(duì)門極驅(qū)動(dòng)器提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。
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擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器，你知道嗎？
什么是意法半導(dǎo)體, 1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器?它有什么作用?意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
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業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件60V MOSFET，你了解嗎？
什么是業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件60V MOSFET?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 mW，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
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瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器
強(qiáng)健的HIP221x驅(qū)動(dòng)器具備高速和高壓特性，延續(xù)瑞薩MOSFET驅(qū)動(dòng)器在工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域的25年輝煌
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提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET，你知道嗎？
你知道提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET嗎?它有什么特點(diǎn)?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。
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采用PowerPAK? 1212?8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，你了解嗎？
你知道采用PowerPAK? 1212?8S封裝的-30 V P溝道MOSFET嗎?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)推出新型-30 V p溝道TrenchFET?第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的3.5 mW。
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新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，你知道嗎？
你知道新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET嗎?它有什么作用?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。
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