MOSFET
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飛兆半導(dǎo)體的汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列 可提高效率、簡化設(shè)計
觸控筆記本今年市場滲透率估約15%，表現(xiàn)不如預(yù)期，第3季觸控筆記本OGS面板下跌了5~8%，希望刺激需求。DisplaySearch研究總監(jiān)謝忠利指出，近期低價版本問世，觸控面板價格已經(jīng)降到
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國產(chǎn)IGBT前景看好，但突破之路頗曲折
隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件；而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGB
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Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標準AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
增強人機接口 （HMI） 體驗，可充分滿足游戲、移動及計算機附件以及工業(yè)控制面板與消費類電子的需求 2013 年 12 月11 日，北京訊——德州儀器 （
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SiC將會是分立器件和模塊共存的市場
SiC應(yīng)用十幾年了，現(xiàn)在這個第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了？21ic中國電子網(wǎng)記者連線了安森美半導(dǎo)體電源方案部產(chǎn)品市場經(jīng)理王利民，講述安森美半導(dǎo)體在SiC上的故事。
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專家分享：高效高可靠LED驅(qū)動設(shè)計的心得
一、不要使用雙極型功率器件 DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設(shè)計師為了降低LED驅(qū)動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴
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Vishay新款20V MOSFET提高便攜式電子產(chǎn)品功率密度和可靠性
【新聞要點】 * 風(fēng)河被行業(yè)專家譽為NFV平臺軟件的領(lǐng)導(dǎo)者。 * 風(fēng)河的TItanium Cloud計劃快速擴大，最近增加Check Point、ConteXtrea
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Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案
賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 2 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為
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東芝推出了40V N溝道功率MOSFET
在面向直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）大容量電機驅(qū)動器和半導(dǎo)體繼電器等汽車應(yīng)用領(lǐng)域中，東芝推出了40V N溝道功率MOSFET。對于設(shè)計者來說，更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗
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精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案
歷經(jīng)2015年LED照明市場的沉浮發(fā)展，燈絲燈成為市場關(guān)注的焦點。今天，小編為大家?guī)淼氖牵壕жS明源高性價比燈絲燈可控硅調(diào)光解決方案。 BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決了哪些
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摒棄表象從技術(shù)上解決問題：LED驅(qū)動設(shè)計的五大心得
想要普及LED燈具，不僅需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegraTIons市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動設(shè)計的心
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門極驅(qū)動器為SiC-MOSFET模塊提供全面保護
1、SiC-MOSFET模塊 如今，對高效的功率能量轉(zhuǎn)換的需求催生了全SiC-MOSFET模塊，它由并聯(lián)的SiC-MOSFET和SiC二極管芯片組成。在參考文獻［1， 2， 3，
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平
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快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
加利福尼亞州米爾皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和馬薩諸塞州諾伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 6 日 – 亞德諾半導(dǎo)體 （Analog
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快速 60V 保護的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
加利福尼亞州米爾皮塔斯 （MILPITAS， CA） 和馬薩諸塞州諾伍德 （NORWOOD， MA） – 2017 年 7 月 13 日 – 亞德諾半導(dǎo)體 （Analog
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自我保護型 MOSFET 可在汽車應(yīng)用的嚴苛環(huán)境中提供更高的可靠性
Ian Moulding - Diodes 公司汽車營銷經(jīng)理 以前曾多次提及，汽車電子環(huán)境非常嚴苛！如圖 1 所示，由于負載瞬態(tài)和感應(yīng)場衰變，汽車的額定電池電壓可在 -12V DC （在
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Allegro MicroSystems, LLC推出全新汽車級半橋MOSFET驅(qū)動器IC
支持ASIL-B的新產(chǎn)品設(shè)計用于具有高功率電感性負載的汽車應(yīng)用 美國馬薩諸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems，LLC宣布推出兩款全新N溝道功率MOSF
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輸出電流提高11 %的30 V MOSFET半橋功率級模塊，你了解嗎？
什么是輸出電流提高11 %的30 V MOSFET半橋功率級模塊?它有什么特點?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊---SiZF300DT，將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時有助于減少元器件數(shù)量，簡化設(shè)計，適用于計算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。
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英飛凌、恩智浦2018重點續(xù)攻汽車電子，功率模擬IC、MOSFET需求大增
全球IDM(整合元件制造)業(yè)者持續(xù)搶攻車用電子新藍海，英飛凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重點業(yè)務(wù)皆聚焦汽車相關(guān)產(chǎn)品，對于功率半導(dǎo)體、功率模組、模擬IC、中高階MOSFET(金氧半場效
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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。
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解析功率場效應(yīng)管保護電路設(shè)計的方法，你了解嗎？
你知道解析功率場效應(yīng)管保護電路設(shè)計的方法嗎?它有什么作用?什么是保護電路
