MOSFET
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度
奈梅亨，2021年5月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。
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工程師必讀開關(guān)電源MOS的8大損耗
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。
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Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度
器件采用歐翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L小型封裝具有業(yè)界出色FOM并獲得AEC-Q101認(rèn)證
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對(duì)于電源管理來(lái)說(shuō)，碳化硅到底比硅強(qiáng)了多少？
諸如太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電之類的創(chuàng)新技術(shù)正在加速取代傳統(tǒng)燃料為基礎(chǔ)的電廠，并且由于儲(chǔ)能和收集方法的改善，從而節(jié)省了大量成本，已經(jīng)超過(guò)了昂貴的“發(fā)電廠”。
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最全的MOSFET技術(shù)疑難盤點(diǎn)
導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。
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如何優(yōu)化48V輕混電動(dòng)車(MHEV)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
制造商制造輕混電動(dòng)車(MHEV)的最終目標(biāo)是減少溫室氣體(GHG)排放。輕混電動(dòng)車包含一個(gè)連接到車輛變速器系統(tǒng)的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。
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賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
2021年3月18日，美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour 博士發(fā)表了以《賦能未來(lái)，勇往直前：SiC MOSFET問(wèn)世10周年的思索》為題的文章。
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東芝推出采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備的效率
東芝今日宣布，在其TOLL(TO-無(wú)引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日開始批量出貨。
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Silicon Labs、瑞薩、羅姆等將匯聚世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)，發(fā)布功率器件全品類最新產(chǎn)品和技術(shù)
去年年底，受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響，國(guó)內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價(jià)通知，產(chǎn)品供不應(yīng)求，無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)迅速爆發(fā)的市場(chǎng)需求。
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)，發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù)，將在電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽(yáng)能逆變...
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Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品
節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
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MPQ5069保護(hù)開關(guān)：具備受損 MOSFET 檢測(cè)、輸出電量測(cè)量功能
在這篇文章中，小編將對(duì)MPS MPQ5069保護(hù)開關(guān)的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度。
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
優(yōu)異的開關(guān)和更高的可靠性在各種挑戰(zhàn)性應(yīng)用中提高功率密度
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MPM6010同步降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器，高效同步工作模式、汽車級(jí)
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)MPS MPM6010同步降壓 LED 驅(qū)動(dòng)器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述。
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真的是不能再詳細(xì)了，這款降壓開關(guān)變換器推薦給你
本文中，小編將對(duì)MPS MPQ2172單片降壓開關(guān)變換器予以介紹。
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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認(rèn)為，SiC MOSFET可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)...
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Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車級(jí)P溝道MOSFET
業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ
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森與海巷
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明天你好8
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