MOSFET
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如何使用TI提供的選擇工具選擇合適的 MOSFET器件
如何為開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用選擇最合適的場效應(yīng)晶體管 (FET) ，是非常困難的。根據(jù)數(shù)據(jù)表規(guī)格預(yù)測電路性能是一個(gè)乏味的過程?，F(xiàn)在，借助在線設(shè)計(jì)工具團(tuán)隊(duì)，TI 提供了一個(gè)基于網(wǎng)絡(luò)的選擇工具，可幫助我們權(quán)衡各種 MOSFET 的成本和性能權(quán)衡。該工具使用上述應(yīng)用筆記中的公式，因此僅專門涵蓋同步降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。然而，由于這種拓?fù)浣^對是用于實(shí)現(xiàn)分立 FET 的最流行的非隔離 DC/DC 拓?fù)?，因此它仍然支持大量的電源終端應(yīng)用。
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Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)提供 碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動器
電動汽車、商業(yè)運(yùn)輸、可再生能源和存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可從碳化硅協(xié)議棧解決方案中獲益，提高性能和成本效率，可使產(chǎn)品最多提前6個(gè)月上市
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安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信
新器件提供卓越的開關(guān)特性，使電源能符合80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)
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新品發(fā)布?|?高性能、低損耗的SUPERFET?V?MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，發(fā)布新的600VSUPERFET??VMOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80PLUSTitanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600VSU...
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。
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7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！
概述：MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域（SOA）寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、電動工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器...
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意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！2021年10月26日,中國——STPOWERMDmeshK6新系列超級結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如，LED驅(qū)動器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導(dǎo)體80...
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SiC?MOSFET結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過時(shí)，將產(chǎn)生JF...
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全球MOSFET制造商名錄
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件?；旧希β拾雽?dǎo)體大致可分為功率離散元件(PowerDiscrete)與功率積體電路(PowerIC)二大類，其中，功率...
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如何選擇 MOSFET去對鋰電池進(jìn)行保護(hù)？
每年，越來越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。. 高功率密度、低自放電率和易于充電使它們成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類型——如今，從口袋里的手機(jī)到電動汽車，每天都有數(shù)百萬人開車上班由鋰離子電池供電。
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如何選擇合適的MOSFET作為電子開關(guān)
MOSFET 被用作負(fù)載開關(guān)的次數(shù)比它們在任何其他應(yīng)用中的使用量都要多，其數(shù)量一次達(dá)到數(shù)億。我可能應(yīng)該從我在這里如何定義“負(fù)載開關(guān)”開始。為了這篇文章，考慮負(fù)載開關(guān)任何小信號 FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (
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如何為用于設(shè)備熱插拔選擇合適的 MOSFET器件
當(dāng)電源突然與其負(fù)載斷開時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生劇烈的電壓尖峰，這可能對電路上的電子元件有害。與電池保護(hù)應(yīng)用類似，這里的 MOSFET 用于將輸入電源與電路的其余部分隔離。
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如何正確的為電機(jī)控制選擇合適的MOSFET
這篇文章我們將開始研究特定終端應(yīng)用需要考慮哪些具體注意事項(xiàng)，首先從終端應(yīng)用中用于驅(qū)動電機(jī)的 FET 開始。電機(jī)控制是 30V-100V 分立式 MOSFET 的一個(gè)巨大（且快速增長）市場，特別是對于驅(qū)動直流電機(jī)的許多拓?fù)?。在這里，我將重點(diǎn)介紹如何選擇正確的 FET 來驅(qū)動有刷、無刷和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)則很少，而且可能有無數(shù)種不同的方法，但我希望這篇文章能夠讓我們根據(jù)我們的最終應(yīng)用程序從哪里開始。
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如何為開關(guān)模式電源選擇合適的MOSFET
也許當(dāng)前市場上高性能功率 MOSFET 最常見的用途也是選擇最合適的 FET 的最大挑戰(zhàn)。性能、價(jià)格和尺寸之間的權(quán)衡從來沒有比在開關(guān)模式電源 (SMPS) 中使用 MOSFET 的情況更混亂。
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用集成MOSFET解決方案取代 BJT
功率因數(shù)校正 (PFC) 階段就像好壽司中的米飯。正如大米創(chuàng)造了一個(gè)讓其他成分發(fā)光的基礎(chǔ)，PFC 階段可以讓其他成分為最終產(chǎn)品提供動力。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 對 PFC 控制器輸出信號變化的響應(yīng)對 PFC 級至關(guān)重要。為了使時(shí)序正確，柵極驅(qū)動電路必須僅在應(yīng)有的時(shí)候切換 FET。
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意法半導(dǎo)體新MDmesh??K6?800V?STPOWER?MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！2021年10月26日,中國——STPOWERMDmeshK6新系列超級結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如，LED驅(qū)動器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導(dǎo)體80...
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意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗
2021 年 10 月 26 日,中國——STPOWER MDmesh K6 新系列超級結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如， LED 驅(qū)動器、HID 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。
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三季度報(bào)告，捷捷微電：部分MOSFET因產(chǎn)能上漲了50%-60%
集微網(wǎng)消息，10月23日，捷捷微電近日發(fā)布2021年第三季度報(bào)告，實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入4.94億元，同比增長74.25%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.49億元，同比增長94.11%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1.37億元，同比增長88.11%。捷捷微電在最新的投資者活...
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MOSFET柵極前?100?Ω?電阻有什么用？
故事開始年輕的應(yīng)用工程師Neubean想通過實(shí)驗(yàn)證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個(gè)100Ω的電阻放在MOSFET柵極前。擁有30年經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用工程師Gureux對他的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了監(jiān)督，并全程提供專家指導(dǎo)。高端電流檢測簡介圖1中的電路所示為一個(gè)典型的高端電流檢測示例。圖1高端電...
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如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實(shí)際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系，無任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓?fù)涫?PFC 最常見的拓?fù)?。在效率和功率密度的表現(xiàn)上，必須要走向無橋型，才能進(jìn)一步減少器件使用，減少功率器件數(shù)量與導(dǎo)通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其控制法亦趨于成熟。
