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MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 柵極驅(qū)動器的重要性，第二部分

    為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗，必須盡快對柵極電容器進行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個過渡期。如果驅(qū)動器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會降低，因為功率瞬態(tài)的峰值會更短。一般來說，柵極驅(qū)動器執(zhí)行以下任務(wù)：

  • 采用高可信度的MOSFET模型進行基于模型的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計

    在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時，可以使用仿真模型在多個設(shè)計維度之間進行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進行快速仿真，帶來更多的工程洞見。然而，與制造商精細的器件模型相比，這種簡易的器件模型無法在設(shè)計中提供與之相匹敵的可信度。本文探討了功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員該如何結(jié)合使用系統(tǒng)級模型和精細模型，探索設(shè)計空間，并帶來高可信度結(jié)果。本文使用MathWorks的系統(tǒng)級建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精細的英飛凌車規(guī)級MOSFET SPICE子電路），對該過程進行示范性展示。

  • 意法半導(dǎo)體推出符合 VDA 標準的LIN 交流發(fā)電機穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車電氣系統(tǒng)的性能和靈活性

    該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流，當(dāng)勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸出電壓保持穩(wěn)定不變。

  • 新品推薦：-60V SGT介紹

    2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子，其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流，獨特的柵極負壓開啟機制，使其成為高端開關(guān)的理想選擇。P 溝道MOSFET特性的優(yōu)勢在于可簡化柵極驅(qū)動技術(shù)，降低應(yīng)用的設(shè)計復(fù)雜度，從而降低整體成本。

  • 電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

    在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件，這個問題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。

  • 評估 SiC 在汽車行業(yè)之外的潛力

    碳化硅 (SiC) 因其更高的開關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過去五年中，汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗場。事實證明，通過 SiC 轉(zhuǎn)換器實現(xiàn) DC 到 AC 的基本轉(zhuǎn)換比硅 (Si) 轉(zhuǎn)換器更小、更輕且更高效，因此寬帶隙器件在汽車行業(yè)的潛力將顯著增長。

  • 使用 SiC MOSFET 提高工業(yè)驅(qū)動能效

    工業(yè)電源應(yīng)用基于強大的電動機，可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機、縫紉機和冰箱中找到。三相電動機是最常見的電動機類型，它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動器驅(qū)動。它可以吸收一個行業(yè)高達 60% 的全部電力需求，因此對于驅(qū)動器提供高效率水平至關(guān)重要。

  • 從硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技術(shù)的發(fā)展

    本文追溯了電力電子的歷史，可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動強大的電子負載時。讓我們通過描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界，了解電子世界是如何在短短幾年內(nèi)發(fā)生巨大變化的，因為新的 SiC 和 GaN MOSFET 的發(fā)現(xiàn)和開發(fā)。

    功率器件
    2022-07-07
    SiC GaN MOSFET

  • 溫度監(jiān)控系統(tǒng)優(yōu)化電源設(shè)計中的冷卻系統(tǒng)

    與低功率同類產(chǎn)品不同，MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產(chǎn)生大量熱量。因此，有效的熱管理對于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要，包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)備。

  • 使用新型預(yù)驅(qū)動器和 MOSFET 的汽車功率負載控制

    今天的汽車配備了種類繁多的電子配件和電子安全輔助裝置，使車輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外，傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動力轉(zhuǎn)向和自動變速箱)正在被電動等效系統(tǒng)取代，以幫助減輕整體重量并提高燃油經(jīng)濟性。

  • 說明 SiC MOSFET 在電力電子中的優(yōu)勢

    電力設(shè)計是由市場需求驅(qū)動的，以提高效率和生產(chǎn)力，同時符合法規(guī)要求。最重要的最終用戶需求幾乎總是更小、更輕、更高效的系統(tǒng)，這得益于功率半導(dǎo)體設(shè)計的重大創(chuàng)新。在硅 MOSFET 和 IGBT 長期以來一直在功率半導(dǎo)體中占據(jù)主導(dǎo)地位的地方，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)，尤其是碳化硅 (SiC) 技術(shù)的最新進展正在為電力電子系統(tǒng)的設(shè)計人員帶來額外的好處，提高效率和更高的電壓能力，從而減少形式因素。

  • 新增國產(chǎn)耗盡型MOSFET，世強硬創(chuàng)全線代理方舟微消費/工業(yè)類產(chǎn)品線

    2022年3月24日，世強硬創(chuàng)平臺與成都方舟微電子有限公司(下稱“方舟微“)簽署合作協(xié)議，方舟微授權(quán)世強硬創(chuàng)平臺代理旗下耗盡型MOSFET、增強型MOSFET和保護器件等全線產(chǎn)品。

  • 國際碳化硅專利布局報告出爐，MOSFET量產(chǎn)公司派恩杰受關(guān)注

    在幾家造車新勢力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺電動汽車后，中國功率半導(dǎo)體上車進程開始進入白熱化，電車廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。

  • EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應(yīng)晶體管，可實現(xiàn)最高功率密度

    宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2066)，為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

  • Diodes 公司 PowerDI8080 封裝的 MOSFET 提升現(xiàn)代汽車應(yīng)用功率密度

    【2022 年 05 月 26 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出創(chuàng)新高電流、高熱效率且符合電動車 (EV) 產(chǎn)品應(yīng)用需求的功率封裝 PowerDI?8080-5。PowerDI?8080-5 封裝的首款產(chǎn)品為 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 閘極驅(qū)動下，此款符合汽車規(guī)格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 僅為 0.54mΩ，閘極電荷為 117nC。如此領(lǐng)先業(yè)界的效能使汽車高功率 BLDC 馬達驅(qū)動器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器及充電系統(tǒng)的設(shè)計人員能大幅提升系統(tǒng)效率，同時確保將功耗維持在絕對最低水平。

  • 耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

    在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。

  • 意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

    2022 年 5 月 18日，中國 – 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)式電源 (SMPS)。

  • 在電池保護應(yīng)用中如何選擇 MOSFET器件

    在這篇文章中，我們將研究 MOSFET 用于電池保護。 每年，越來越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。高功率密度、低自放電率和易于充電使其成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類型——如今，從口袋里的手機到每天數(shù)以百萬計開車上班的電動汽車，應(yīng)有盡有由鋰離子電池供電。盡管它們具有許多優(yōu)點，但這些電池也帶來了一定的風(fēng)險和設(shè)計挑戰(zhàn)，如果不成功緩解這些風(fēng)險和設(shè)計挑戰(zhàn)，可能會導(dǎo)致災(zāi)難性的后果。我認為沒有人會很快忘記 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 設(shè)備平板電腦和隨后的召回。

  • 負載開關(guān)的應(yīng)用如何選擇 MOSFET器件

    MOSFET 被用作負載開關(guān)的次數(shù)超過了在任何其他應(yīng)用中的使用量，一次數(shù)量為數(shù)億個。我可能應(yīng)該從我在這里定義“負載開關(guān)”的確切方式開始。為了這篇文章的緣故，考慮負載開關(guān)任何小信號 FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (

  • 如何選擇 MOSFET – 開關(guān)電源應(yīng)用

    在當(dāng)前市場上，高性能功率 MOSFET 最常見的用途或許也是選擇最合適的 FET 的最大挑戰(zhàn)。性能、價格和尺寸之間的權(quán)衡從來沒有比開關(guān)模式電源 (SMPS) 中使用的 MOSFET 更混亂。 遍歷一個詳盡的 SMPS 拓撲列表，包括隔離的和非隔離的，并列出每個拓撲最重要的考慮因素，這可能需要一個新奇的 - 一個比我這樣的簡單營銷工程師擁有更多技術(shù)知識的應(yīng)用程序?qū)＜摇５掖_實希望在本博客的后續(xù)段落中，我可以提供至少一些技巧和陷阱來避免。